FDT86102LZ ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 53.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT86102LZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDT86102LZ за ціною від 60 грн до 177.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDT86102LZ | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 4327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86102LZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V |
на замовлення 3006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86102LZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 4029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 15065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDT86102LZ | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDT86102LZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223 Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 2.2W On-state resistance: 46mΩ Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.6A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223 Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 2.2W On-state resistance: 46mΩ Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.6A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |