![FDT86113LZ FDT86113LZ](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/5/11/9/4/37/349/ons_/manual/3sot-223.jpg)
FDT86113LZ ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 26.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT86113LZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDT86113LZ за ціною від 23.03 грн до 88.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDT86113LZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86113LZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V |
на замовлення 25801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86113LZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 8799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86113LZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT86113LZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDT86113LZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDT86113LZ | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.3A On-state resistance: 189mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDT86113LZ | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.3A On-state resistance: 189mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |