Продукція > DTC
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTC-076C-1 | DTC | PLCC44 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-076C-1FN44 | IMP | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC-076C-1FN44 | IMP | 09+ PLCC-44 | на замовлення 1044 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-076C-3FN44 | IMP | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC-076C-3FN44 | IMP | 09+ PLCC-44 | на замовлення 1019 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-114B | DTC | PLCC44 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-114B PD48 | IMP | DIP 88+ | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-114B-PQ44 | IMP | 09+ PLCC-44 | на замовлення 1043 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-114B-PQ44 | IMP | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC-140H | EXCELITAS | SPECIALTY SILICON DETECTORS - UV-ENHANCED | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC-158A | DTC | PLCC84 | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-220 | DTC | PLCC68 | на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-228A | DIP28 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC-253 | WSI | на замовлення 235 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC-253 | DTC | PLCC28 | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-253 | WSI | 09+ PLCC-68 | на замовлення 1235 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-253-2 | WSI | 09+ PLCC-68 | на замовлення 1096 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-253-2 | WSI | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC-269 | DTC | PLCC68 | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-320A | DTC | PLCC28 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-327A | DTC | PLCC44 | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-327B | DTC | PLCC44 | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-327C | DTC | PLCC44 | на замовлення 138 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-331A | DTC | PLCC44 | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-331B | DTC | PLCC44 | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-332A | 09+ | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC-332B | SC | PLCC | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-332B | . | 08+ PLCC | на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-351A | DTC | PLCC44 | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-356B | DTC | PLCC44 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-402A | NS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC-402A | DTC | PLCC44 | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-403/4 | SC | PLCC | на замовлення 126 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-406A | DTC | PLCC68 | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-454 | DTC | PLCC44 | на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-461 | DTC | PLCC44 | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-485 | DTC | PLCC44 | на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-486 | DTC | PLCC52 | на замовлення 109 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-487 | DTC | PLCC68 | на замовлення 103 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC-K-F. | OMEGA | Description: OMEGA - DTC-K-F. - THERMOCOUPLE CONNECTOR, K TYPE, RCPT tariffCode: 85366990 Thermoelement: K productTraceability: No rohsCompliant: YES Ausführung: Socket euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: DTC Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC-K-M. | OMEGA | Description: OMEGA - DTC-K-M. - THERMOCOUPLE CONNECTOR, K TYPE, PLUG tariffCode: 85366990 Thermoelement: K productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: DTC Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC-KI-M | OMEGA | Description: OMEGA - DTC-KI-M - Thermoelement-Stecker, Standard, 4 Flachstifte, Typ K, -29°C bis 180°C, IEC, DTC-Serie tariffCode: 85366990 Thermoelement: K productTraceability: No rohsCompliant: YES Ausführung: Stecker euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: DTC SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC-U-F-ROHS | OMEGA | Description: OMEGA - DTC-U-F-ROHS - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ U, Produktreihe DTC Thermoelement: U Ausführung: Buchse Produktpalette: DTC Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC013ZEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC013ZEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC013Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC013ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 10544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC013ZEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC013ZEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC013Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC013ZEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC013ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC013ZMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC013ZMT2L NPN SMD transistors | на замовлення 875 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC013ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC013ZMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC013ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC013Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC013ZMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 15258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC013ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3 | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC013ZMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC013ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC013Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC013ZUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC013ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC013ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F | на замовлення 1478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 457497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 18120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 5606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC014EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC014EEBTL NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 83930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Case: SOT723 Collector-emitter voltage: 50V Mounting: SMD Collector current: 0.1A Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.15W Type of transistor: NPN Current gain: 35 Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 10kΩ Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 30781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Case: SOT723 Collector-emitter voltage: 50V Mounting: SMD Collector current: 0.1A Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.15W Type of transistor: NPN Current gain: 35 Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 10kΩ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 9734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC014EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC014E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC014EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC014E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 243340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 13892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014EUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC014EUBTL NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 5547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014TEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC014TMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 1478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014TMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC014TMT2L NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 4137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC014TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC014TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC014TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC014TUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 3926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 17450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 4796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 17721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 196630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 15700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC014YMT2L NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 60409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 70180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 15399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC014YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-323FL Produktpalette: DTC014Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 5223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC014YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: SOT-323FL Produktpalette: DTC014Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC014YUBTL NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC015EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC015EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC015EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC015EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | на замовлення 7891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC015EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 3834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC015EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC015EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC015EUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC015EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC015TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC015TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC015TEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC015TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC015TMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 6970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC015TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC015TUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC015TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC015TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC015TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC015TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 6740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC023EEBTL NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 4857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 8230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC023EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC023E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 2916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023EUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023JEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 204020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023JEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023JEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023JEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023JEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 19497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023JEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC023JEBTL NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023JEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023JMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023JMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023JMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 38950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023JMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023JMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 10930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023JMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 6773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023JUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023JUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 7453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023JUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F | на замовлення 2084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023JUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 4328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023JUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 87026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023JUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023YEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023YEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC023YEBTL NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 5320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023YMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC023YMT2L NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023YMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 18972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | на замовлення 3424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 6947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023YUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 6592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC023YUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC023YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Produktpalette: DTC023Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC023YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC023YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 5846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC024EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC024EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC024EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC024EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 1123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC024EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC024EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC024EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC024EUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC024EUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC024EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC024E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC024EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC024EUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC024EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC024E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC024XEBTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN, SOT-416FL, R1R2 LEAK ABSORP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC024XEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC024XEBTL NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC024XEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC024XEBTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN, SOT-416FL, R1R2 LEAK ABSORP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC024XMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 15389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC024XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3 | на замовлення 7035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC024XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC024XUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC024XUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F | на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC024XUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC89; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SC89 Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 87650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC89; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SC89 Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 33316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ Case: SOT723 Collector-emitter voltage: 50V Mounting: SMD Collector current: 0.1A Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.15W Type of transistor: NPN Current gain: 20 Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 4.7kΩ Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 14756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 10940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ Case: SOT723 Collector-emitter voltage: 50V Mounting: SMD Collector current: 0.1A Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.15W Type of transistor: NPN Current gain: 20 Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 4.7kΩ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 103343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 162020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043EUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 8664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 56590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043TEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 9914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 2799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 2536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 4779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043TMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 30830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043TUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043XEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital transistor (with built-in resistors) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043XEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 8958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043XEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC89; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SC89 Current gain: 35 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043XEBTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043XEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC89; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SC89 Current gain: 35 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043XEBTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043XEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 35650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043XMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 5206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 7732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043XMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital transistor (with built-in resistors). These are the standard products of "digital transistors" which ROHM invented and marketed first in the world. | на замовлення 3493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043XUB | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043XUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043XUBTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043XUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043XUBTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043XUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital transistor (with built-in resistors). These are the standard products of "digital transistors" which ROHM invented and marketed first in the world. | на замовлення 10875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZEB | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 176780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 74245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC89; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SC89 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043ZEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC043ZEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-416FL Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC043Z Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 21223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 510017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC89; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SC89 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC043ZEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416FL Produktpalette: DTC043Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 21223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SOT723 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 167433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC043ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC043Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased Digital TR NPN | на замовлення 48539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 150mW Case: SOT723 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC043ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC043Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZUB TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 191870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC043ZUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC043ZUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-323FL Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC043Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 3435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 37999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 14026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC043ZUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-323FL Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC043Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 3435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 200mW Case: SOT323F Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043ZUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC043ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC043ZUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 200mW Case: SOT323F Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC044EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC044EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC044EEBTL NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC044EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 4218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC044EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC044EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 47kΩ Case: SOT723 Collector-emitter voltage: 50V Mounting: SMD Collector current: 0.1A Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.15W Type of transistor: NPN Current gain: 80 Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 47kΩ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC044EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC044EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 47kΩ Case: SOT723 Collector-emitter voltage: 50V Mounting: SMD Collector current: 0.1A Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.15W Type of transistor: NPN Current gain: 80 Kind of transistor: BRT Base resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 47kΩ Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC044EMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC044EMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC044E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC044EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC044EMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC044EMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC044E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC044EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 5701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC044EUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 24747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC044EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC044EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC044TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC044TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC044TEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 17991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC044TMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC044TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC044TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC044TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC044TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC044TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC044TUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC044TUBTL NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC044TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC044TUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC1000C | Delta Electronics/Industrial Automation | Description: DTC MPU, CURRENT OUTPUT Packaging: Box Output Type: Analog Mounting Type: Chassis Mount, DIN Rail Type: Process, Temperature Controller (RTD, Type B, E, J, K, L, N, R, S, T, TXK, U) Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 24VDC Input Range: -200°C ~ 1800°C, 0 ~ 20mA, 0 ~ 10VDC, 0 ~ 50mV Communications: RS-485 (Modbus) Control Method: On/Off, Proportional (PID) Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC1000L | Delta Electronics/Industrial Automation | Description: DTC MPU, LINEAR VOLTAGE OUTPUT Packaging: Box Output Type: Analog Mounting Type: Chassis Mount, DIN Rail Type: Process, Temperature Controller (RTD, Type B, E, J, K, L, N, R, S, T, TXK, U) Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 24VDC Input Range: -200°C ~ 1800°C, 0 ~ 20mA, 0 ~ 10VDC, 0 ~ 50mV Communications: RS-485 (Modbus) Control Method: On/Off, Proportional (PID) Part Status: Active | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC1000R | Delta Electronics | Temperature Controllers DTC MPU, relay output - Din Rail | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC1000V | Delta Electronics/Industrial Automation | Description: DTC MPU, VOLTAGE OUTPUT Packaging: Box Output Type: Voltage (External SSR) Mounting Type: Chassis Mount, DIN Rail Type: Process, Temperature Controller (RTD, Type B, E, J, K, L, N, R, S, T, TXK, U) Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 24VDC Input Range: -200°C ~ 1800°C, 0 ~ 20mA, 0 ~ 10VDC, 0 ~ 50mV Communications: RS-485 (Modbus) Control Method: On/Off, Proportional (PID) Part Status: Active | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC1000V | Delta Electronics | Controllers | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC1001R | Delta Electronics/Industrial Automation | Description: DTC MPU, RELAY OUTPUT WITH CT CO Packaging: Box Output Type: Relay Mounting Type: Chassis Mount, DIN Rail Type: Process, Temperature Controller (RTD, Type B, E, J, K, L, N, R, S, T, TXK, U) Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 24VDC Input Range: -200°C ~ 1800°C, 0 ~ 20mA, 0 ~ 10VDC, 0 ~ 50mV Communications: RS-485 (Modbus) Control Method: On/Off, Proportional (PID) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113EET1G | onsemi | Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 3674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 153900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113EET1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113EM3T5G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT723 Current gain: 3...5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113EM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113EM3T5G | onsemi | Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 5612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113EM3T5G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT723 Current gain: 3...5 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113EM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113EM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC113EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 151845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCA | Yangjie Technology | Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCA | Yangjie Electronic Technology | Digital Transistors (Built-in Resistors) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCA RF | Taiwan Semiconductor | NPN Small Signal Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCA-HF | Comchip Technology | Digital Transistors TRANS DIGITAL NPN 50V 200mW SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCA-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCA-HF | Comchip Technology | Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3L Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 4979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3L Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 1KOhms 250MHz | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Mounting: SMD Current gain: 33 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Case: SOT23 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZCAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist | на замовлення 9249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Mounting: SMD Current gain: 33 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Case: SOT23 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor | на замовлення 5025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 33 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 250MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZCAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 33 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZE RK | Taiwan Semiconductor | DTC113ZE RK | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 5970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 100mA; 50V EMT3F | на замовлення 8442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZEFRATL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DTC113ZEFRA is a transistor with bias resistor, suitable for inverter. It is a highly reliable product for automotive. | на замовлення 5589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZK | ROHM | 09+ | на замовлення 35518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZK | ROHM | 06+ SOT-23 | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZK | ROHM | SOT23 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZKA | ROHM | SOT-23 | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZKA | ROHM | 04+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZKA | ROHM | SOT23 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZKA T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 3644 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 100MA | на замовлення 31732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 12717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 3080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 45886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZKT146 | на замовлення 81000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTC113ZL | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTC113ZM RM | Taiwan Semiconductor | DTC113ZM RM | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 7610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Digital Trans w/Res VMT3 | на замовлення 7938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 4895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZSA | ROHM | TO-92 02+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZSA A3 | Taiwan Semiconductor | DTC113ZSA A3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZSA TP | ROHM | TO92 | на замовлення 4100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 0.1A 1kO SOT-323 | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-323 Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323 | на замовлення 8814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZUA | Yangjie Electronic Technology | DTC113ZUA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZUA | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZUA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZUA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZUA RV | Taiwan Semiconductor | NPN Small Signal Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZUA T106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 8702 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC113ZUA-HF | Comchip Technology | Digital Transistors TRANS DIGITAL NPN 50V 200mW SOT-323 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZUA-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZUA-HF | Comchip Technology | Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZUA-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZUA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 1KOhms 250MHz | на замовлення 5301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZUA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZUA-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ | на замовлення 5975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZUA-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 5975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC113ZUA/121 | ROHM | на замовлення 19471 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC113ZUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-323 Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1Verhältnis Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 4147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZUAT106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA SOT-323 | на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC113ZUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 296002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTC114-EKA-T146 Код товару: 16459 | Транзистори > Біполярні PNP | товар відсутній | ||||||||||||||||||
DTC1144EKA T146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC1144EUA | ROHM | SOT-323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114BKA | ROHM | N A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114E | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114E - DTC114E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114E | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EBT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ECA | Yangjie Technology | Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ECA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 11425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECA | Yangjie Electronic Technology | DTC114ECA | на замовлення 999000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 11425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 3175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECA RF | Taiwan Semiconductor | NPN Small Signal Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ECA RF | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ECA RU | Taiwan Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ECA-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23- | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ECA-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23- | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECA-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 5450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors Sgle NPN, 100mA | на замовлення 6665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ECA-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHE3-TP | Micro Commercial Components | DTC114ECAHE3-TP | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ECAHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-23 | на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ECAHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200/350mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 200/350mW Case: SOT23 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 2575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200/350mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 200/350mW Case: SOT23 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 2575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist | на замовлення 30602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 32747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DTC114EKAT146 IS PREFERRED | на замовлення 8660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE | ROHM | SOT23 | на замовлення 9496 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.15W; SOT523; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE | ON | SOT523 | на замовлення 212560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EE | ROHM | 09+ | на замовлення 3038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EE | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EE | ROHM | SOT23/ | на замовлення 2823 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.15W; SOT523; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 17400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE | Yangjie Technology | Description: SOT-523 NPN 0.15W 0.1A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE | Yangjie Electronic Technology | DTC114EE | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE | ROHM | 06+ SOT-523 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EE | onsemi | onsemi SS SC75 BR XSTR NPN 50V | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EE RK | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EE RK | Taiwan Semiconductor | DTC114EE RK | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EE TL | ROHM | SOT23 | на замовлення 9832 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EE-TP | Micro Commercial Components | DIGITAL TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EE-TP | Micro Commercial Components | DIGITAL TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 50Vcc 50mA 1mA 100mA 150mW | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 4668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 2837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 5415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EEBMGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 100MA 50V SOT-416FL | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 2671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Transistormontage: Oberflächenmontage Produktpalette: DTC114E SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 114378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | на замовлення 7314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EEFRATL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Trans Digital BJT NPN 100mA | на замовлення 5894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EEFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A; SOT416 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EEFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A; SOT416 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EEPT | CHENMKO | 05+ SOT-523 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EET1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114EET1 - DTC114EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1 | ON Semiconductor | на замовлення 1570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114EET1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EET1 | onsemi | Description: TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 31629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 27659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT416 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2/0.3W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 35...60 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2725 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 225518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | ONS | Транз. Бипол. (со встроенными резисторами 10k) ММ NPN EMT3 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30 | на замовлення 6117 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT416 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2/0.3W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 35...60 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN | на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 64417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EETL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: EMT Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 37936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75A; SOT416 Frequency: 250MHz Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2745 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75A; SOT416 Frequency: 250MHz Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN | на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 264981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EETL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 37136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 50MA SOT-416 | на замовлення 149901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EK | ROME | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114EK | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EK | ROHM | SOT23 | на замовлення 67600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EK | ROHM | 09+ | на замовлення 483038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EK FRAT146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EK HRAT146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EK T146 | ROHM | SOT23-24 | на замовлення 3565 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EK T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 2479 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EK/24 | ROHM | 03+ SOT-23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKA | ROHM | SOT23/ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EKA | ROHM | 09+ | на замовлення 15038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKA | ROHM | SOT23-3 | на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKA | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 4648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKA | ROHM | 07+ SOT-23 | на замовлення 96000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKA | ROHM | SOT23 | на замовлення 71670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKA F T146 | ROHM | SOT23-24 PB-FREE | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKA T146 | ROHM - Japan | NPN 50mA 50V 10kOhm DTC114EKAT146 TDTC114ekat146 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EKA T146 | ROHM - Japan | NPN 50mA 50V 10kOhm DTC114EKAT146 TDTC114ekat146 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EKA(24) | ROHM | 01+ SOT-23 | на замовлення 39999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKA-T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 5850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 100mA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EKA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 100mA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EKA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR NPN SOT-23-3L | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EKA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3L Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EKA/24 | ROHM | на замовлення 36203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114EKAF | ROHM | SOT23 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKAF | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114EKAF T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKAF T146 | ROHM | SOT23-24 PB-FREE | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKAFS | ROHM | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKAFT146 | ROHM | 05+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKAFT146SOT23-24PB-FREE | ROHM | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114EKAHRA | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114EKAMHT146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKASOT23-24 | на замовлення 152000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTC114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 1706193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 190689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITL NPN 50V 50MA | на замовлення 384611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 1704000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 5594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EKAT146 Код товару: 61361 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
DTC114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 59975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 5594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EKHRAT146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EKT146 | ROHM Semiconductor | Array | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EKT146SOT23-24 | ROHM | на замовлення 7775 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114EL | TESE-JY | SOT23 | на замовлення 2654 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EM | ROHM | SOT-323 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EM | ROHM | SMD | на замовлення 10060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EM | ROHM | 10+ SOT-723 | на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EM | ROHM | SOT23 | на замовлення 3807 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EM G T2L | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EM RM | Taiwan Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SOT-723 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EM T2L | ROHM | SOT23 | на замовлення 7700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EM-TP | Micro Commercial Components | Digital Transistors | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EM-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EM-TP | Micro Commercial Components | Digital Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EM3T5G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 31080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 5270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 19090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 5270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | на замовлення 7016 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114EM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EMFHAT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-105AA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (100MA/50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EMFHAT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Automotive Digital Transistors | на замовлення 8000 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin VMT T/R | на замовлення 1181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (100MA/50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EMFHAT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-105AA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 19843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 50MA | на замовлення 11450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 61000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 143568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 30069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESA | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESA | Taiwan Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin TO-92S T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESA | ROHM | на замовлення 4059 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114ESA A3 | Taiwan Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92S Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESA TP | ROHM | TO92 | на замовлення 121 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114ESA-AP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92S Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESA-AP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92S Ammo | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESA-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANSISTOR TO-92 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESA-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESA-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESA-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANSISTOR TO-92 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESATP | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SPT | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESATP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114ESATP (транзистор біполярный NPN) Код товару: 37807 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||
DTC114EU | ROHM | на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114EU | ROHM | SOT323 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EU Код товару: 171895 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||||
DTC114EU FRAT106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 5551 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EU T106 | ROHM | SOT23 | на замовлення 2124 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 2892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3HZGT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3HZGT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 2892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323 | на замовлення 16071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 12720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3 | на замовлення 12752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 12720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 11027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 4941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUA | Yangjie Electronic Technology | Digital Transistors (Built-in Resistors) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 4400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUA | Yangjie Technology | Description: SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transisto Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUA FRAT106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 1243 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EUA RR | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUA RR | Taiwan Semiconductor | DTC114EUA RR | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUA RV | Taiwan Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUA T106 | ROHM | SOT23 | на замовлення 5567 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EUA T106 | ROHM | 0536+ | на замовлення 2851 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EUA T106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2984 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EUA-13P | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUA-13P | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUA-T106 | на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTC114EUA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUA-TP Код товару: 198107 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||
DTC114EUA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors Sgle NPN, 100mA | на замовлення 7903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUAF | ROHM | SOT323 | на замовлення 4530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EUAF | ROHM | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUAHE3-TP | Micro Commercial Components | DTC114EUAHE3-TP | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUAHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 50Vcc -10Vin 40V | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUAHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: BIPOLAR TRANSISTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUAT106 | rohm | SOT323 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUAT106 | ROHM | 08+ SOT-323 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EUAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUAT106 Код товару: 147887 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||
DTC114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 8537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITL NPN 50V 50MA SOT-323 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUAT106 | ROHM | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114EUB | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUB TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 7959 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114EUBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUBHZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-323FL 50V VCC 0.1A IC | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 480255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 20318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 4342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR | на замовлення 5638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EUT106 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114EXV3T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114EXV3T1 - DTC114EXV3T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114EXV3T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114GK | ROHM | SOT23 | на замовлення 79700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GKA | ROHM | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GKA | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GKAT146 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114GL-TL2 | на замовлення 1330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTC114GS | ROHM | TO-92S | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GU | ROHM | SOT323 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GU | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114GU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: -kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114GU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC114GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: -kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114GU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114GU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323 | на замовлення 3405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114GU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: DTC114GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 1934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: DTC114GU3 IS AN DIGITAL TRANSIST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GUA | ROHM | SOT323 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GUAFRAT106 | ROHM | SOT23/ | на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | на замовлення 5218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | на замовлення 5218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114GUAT106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA SOT-323 | на замовлення 853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114NPN150MWEMT3CXI2005 | N/A | N/A | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114T | onsemi | Description: TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114T | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114T - DTC114T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 10kΩ Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 10kΩ Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TCA | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TCA | Yangjie Electronic Technology | DTC114TCA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TCA RF | Taiwan Semiconductor | NPN Small Signal Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23 | на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased Sgle NPN, 100mA | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TCAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TCAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist | на замовлення 2287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 6904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor | на замовлення 5236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TE | onsemi | onsemi SS SC75 BR XSTR NPN 50V | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TE | ROHM | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TE | ROHM | SOT23 | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TE | ROHM | 06+ SOT-523 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TE | Yangjie Electronic Technology | DTC114TE | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE | ROHM | SOT-523 | на замовлення 10366 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TE | Yangjie Technology | Description: SOT-523 NPN 0.15W 0.1A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE RK | Taiwan Semiconductor | DTC114TE RK | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TE TL | ROHM | SOT23 | на замовлення 2864 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TE-T106/8-H | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTC114TE-TL | ROHM | SOT423 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 10KOhms 250MHz | на замовлення 1974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 5955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TEBMGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 100MA 50V SOT-416FL | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F | на замовлення 820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 2082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TEF | ROHM | SOT23-3 | на замовлення 2644 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TET1 | ON Semiconductor | на замовлення 1312 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114TET1 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TET1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114TET1 - DTC114TET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TET1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TET1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V | на замовлення 178332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TET1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75 Current gain: 160...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 42250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TET1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75 Current gain: 160...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TET1G | ON Semiconductor | на замовлення 610 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114TET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 59685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A; SOT416 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 100MA | на замовлення 11302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A; SOT416 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TKA | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TKA | ROHM | SOT23 | на замовлення 29788 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TKA T146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TKA T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 1768 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TKA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 29635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA | на замовлення 28169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 17200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TM | ROHM | SOT523 | на замовлення 80200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 412973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 23257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TM3T5G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 2151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TMFHAT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Automotive Digital Transistors | на замовлення 8000 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW Automotive 3-Pin VMT T/R | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TMT | ROHM | SOT-523 | на замовлення 2838 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 100MA | на замовлення 14817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 13703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 5651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TSA | ROHM | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114TSA | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TSA A3 | Taiwan Semiconductor | DTC114TSA A3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TSATP | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TSATP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TSATP (транзистор біполярный NPN) Код товару: 28218 | Rohm | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92S Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 50 V Ic,A: 0,1 A h21: 600 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TU | ROHM | 10+ SOT-323 | на замовлення 166500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TU | ROHM | SOT-323 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TU | ROHM | SOT323 | на замовлення 6600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TU/04 | ROHM | на замовлення 6321 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114TU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R | на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Digital Trans w/Res UMT3 | на замовлення 2882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TUA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TUA | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TUA | Yangjie Electronic Technology | DTC114TUA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TUA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TUA RV | Taiwan Semiconductor | NPN Small Signal Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TUA-T106 | ROHM | SOT423 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TUA-TP Код товару: 184302 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||||
DTC114TUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TUA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 10KOhms 250MHz | на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TUA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TUAFRAT106 | ROHM | SOT23/ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114TUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114TUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V | на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TUAT106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA SOT-323 | на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 5965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114TUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 50V 100MA | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TUT106 | ROHM | SOT323 | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TXV3T1 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114TXV3T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114TXV3T1 - DTC114TXV3T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114WCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114WCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114WCA-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114WE | ROHM | на замовлення 67000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114WE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114WE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114WE RK | Taiwan Semiconductor | DTC114WE RK | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114WE TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 1988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114WETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114WETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114WETL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114WETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114WETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114WETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 20850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114WETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTC114WETL | на замовлення 228000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTC114WK | ROHM | 09+ | на замовлення 2518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114WK | ROHM | SOT23 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114WK | ROHM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTC114WK | ROHM | SOT-23 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114WKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114WKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 42098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTC114WKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTC114WKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|