DTC114EM3T5G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.56 грн |
| 8000+ | 2.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC114EM3T5G ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTC114EM3T5G за ціною від 2.91 грн до 26.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC114EM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 5270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DTC114EM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DTC114EM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 5270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DTC114EM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DTC114EM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 19090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DTC114EM3T5G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 31080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 7016 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
DTC114EM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DTC114EM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |