Продукція > BFU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BFU.2K.100.CZSLEMOStandard Circular Connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BFU06703
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU308PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU309PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU310PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU520235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU520ARNXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.1 грн
50+ 33.04 грн
100+ 28.9 грн
500+ 18.26 грн
1500+ 16.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 5062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+29.51 грн
464+ 26.27 грн
466+ 26.17 грн
505+ 23.28 грн
1000+ 19.02 грн
Мінімальне замовлення: 413
BFU520ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.78 грн
6000+ 15.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.26 грн
26+ 23.84 грн
100+ 20.47 грн
250+ 18.71 грн
500+ 16.77 грн
1000+ 14.16 грн
Мінімальне замовлення: 23
BFU520ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 126370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.14 грн
10+ 35.26 грн
100+ 23.99 грн
500+ 20.79 грн
1000+ 16.82 грн
3000+ 15.76 грн
6000+ 14.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+25.67 грн
533+ 22.86 грн
540+ 22.57 грн
578+ 20.32 грн
1000+ 15.88 грн
Мінімальне замовлення: 475
BFU520ARNXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.9 грн
500+ 18.26 грн
1500+ 16.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
на замовлення 5534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.22 грн
13+ 28.98 грн
43+ 20.48 грн
117+ 19.37 грн
500+ 19.15 грн
1000+ 18.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU520ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5534 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.86 грн
8+ 36.11 грн
43+ 24.57 грн
117+ 23.24 грн
500+ 22.98 грн
1000+ 22.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU520ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.76 грн
10+ 36.74 грн
25+ 34.54 грн
100+ 26.47 грн
250+ 24.59 грн
500+ 20.92 грн
1000+ 16.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
BFU520AVLNXPDescription: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.16 грн
29+ 28.34 грн
100+ 19.35 грн
500+ 14.05 грн
1000+ 9.28 грн
5000+ 9.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
BFU520AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
BFU520AVLNXPDescription: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.35 грн
500+ 14.05 грн
1000+ 9.28 грн
5000+ 9.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 4891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.44 грн
12+ 28.89 грн
100+ 17.18 грн
1000+ 9.65 грн
2500+ 9.58 грн
10000+ 7.38 грн
20000+ 6.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU520RNXPDescription: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU520
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.11 грн
29+ 27.79 грн
100+ 20.62 грн
Мінімальне замовлення: 23
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.55 грн
11+ 28.17 грн
25+ 26.29 грн
100+ 19.74 грн
250+ 18.33 грн
500+ 15.51 грн
1000+ 11.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.76 грн
11+ 30.04 грн
100+ 19.45 грн
500+ 16.39 грн
1000+ 12.7 грн
3000+ 10.86 грн
9000+ 10.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520RNXPDescription: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU520
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520R
Код товару: 191928		Транзистори > Біполярні NPN
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 24 V
Ic,A: 0,005 A
товару немає в наявності
BFU520VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU520VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
BFU520VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU520W135NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU520WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
BFU520WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU520WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
BFU520WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 30036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.76 грн
12+ 27.99 грн
100+ 13.63 грн
1000+ 10.15 грн
2500+ 8.8 грн
10000+ 8.02 грн
20000+ 7.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 10688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.55 грн
12+ 26.54 грн
25+ 24.31 грн
100+ 16.98 грн
250+ 15.38 грн
500+ 12.73 грн
1000+ 9.39 грн
2500+ 8.61 грн
5000+ 8.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.48 грн
12+ 26.24 грн
25+ 24.49 грн
100+ 18.39 грн
250+ 17.07 грн
500+ 14.45 грн
1000+ 10.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520WXNXPDescription: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.87 грн
500+ 15.01 грн
1000+ 9.55 грн
5000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+17.9 грн
37+ 16.35 грн
38+ 16.28 грн
100+ 13.66 грн
250+ 12.57 грн
500+ 9.11 грн
Мінімальне замовлення: 34
BFU520WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 64347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.55 грн
13+ 25.3 грн
100+ 16.89 грн
500+ 14.12 грн
1000+ 11.64 грн
3000+ 10.08 грн
9000+ 9.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
690+17.65 грн
694+ 17.55 грн
760+ 16.03 грн
1000+ 12.62 грн
Мінімальне замовлення: 690
BFU520WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.26 грн
6000+ 10.15 грн
15000+ 9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520WXNXPDescription: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.57 грн
33+ 24.84 грн
100+ 18.87 грн
500+ 15.01 грн
1000+ 9.55 грн
5000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 27
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
695+17.54 грн
798+ 15.26 грн
803+ 15.17 грн
Мінімальне замовлення: 695
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
BFU520WX транзистор
Код товару: 205617		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
BFU520X215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2323+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 2323
BFU520X215NXPDescription: NXP - BFU520X215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2793
BFU520X235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2323+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 2323
BFU520X235NXPDescription: NXP - BFU520X235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2793
BFU520XARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
товару немає в наявності
BFU520XARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
BFU520XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.24 грн
12+ 25.36 грн
25+ 23.21 грн
100+ 16.21 грн
250+ 14.69 грн
500+ 12.16 грн
1000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU520XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520XARNXPDescription: NXP - BFU520XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Bauform - HF-Transistor: SOT-143B
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5mA
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.79 грн
40+ 20.38 грн
100+ 13.85 грн
500+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 29
BFU520XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU520XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
BFU520XRRNXP SemiconductorsDescription: BFU520XR - NPN Wideband Silicon
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2581+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 2581
BFU520XRRNXPDescription: NXP - BFU520XRR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2793
BFU520XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 8362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.82 грн
14+ 24.57 грн
100+ 12.56 грн
1000+ 10.43 грн
3000+ 8.59 грн
9000+ 7.81 грн
24000+ 7.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU520XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
BFU520XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.76 грн
12+ 25.8 грн
25+ 21.5 грн
100+ 15.52 грн
250+ 13.23 грн
500+ 11.82 грн
1000+ 10.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU520XRVLNXPDescription: NXP - BFU520XRVL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2793
BFU520XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
BFU520XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2581+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 2581
BFU520XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
BFU520XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU520XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU520XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
12+ 28.97 грн
100+ 17.25 грн
1000+ 9.72 грн
2500+ 9.01 грн
10000+ 7.66 грн
20000+ 7.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU520YNXP USA Inc.Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
товару немає в наявності
BFU520Y115NXP USA Inc.Description: DUAL NPN WIDEBAND RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU520YFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
BFU520YFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband si silicon RF trans
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.03 грн
10+ 51.91 грн
100+ 30.8 грн
500+ 25.76 грн
1000+ 21.93 грн
2500+ 21.5 грн
10000+ 17.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU520YFNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU520YFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
BFU520YXNXPDescription: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.29 грн
500+ 33.05 грн
1000+ 22.45 грн
5000+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU520YXNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.22 грн
6000+ 27.33 грн
9000+ 26.93 грн
15000+ 24.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 392
BFU520YXNXPDescription: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.62 грн
16+ 50.48 грн
100+ 40.29 грн
500+ 33.05 грн
1000+ 22.45 грн
5000+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+64.73 грн
12+ 54.26 грн
25+ 53.29 грн
100+ 41.89 грн
250+ 38.42 грн
500+ 32.73 грн
1000+ 24.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU520YXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 62768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.3 грн
10+ 57.62 грн
100+ 39.53 грн
500+ 35.34 грн
1000+ 27.96 грн
3000+ 26.19 грн
6000+ 25.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU520YXNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.86 грн
10+ 46.21 грн
25+ 41.1 грн
100+ 33.27 грн
250+ 30.74 грн
500+ 29.22 грн
1000+ 27.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+79.42 грн
199+ 61.26 грн
226+ 53.86 грн
237+ 49.69 грн
500+ 43.47 грн
1000+ 34.6 грн
Мінімальне замовлення: 154
BFU530215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2032+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 2032
BFU530215NXPDescription: NXP - BFU530215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2446+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 2446
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
BFU530ARNXPDescription: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.88 грн
500+ 20.48 грн
1000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.68 грн
6000+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+22.09 грн
30+ 20.16 грн
39+ 15.71 грн
Мінімальне замовлення: 28
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530ARNXPDescription: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.9 грн
27+ 29.7 грн
100+ 25.88 грн
500+ 20.48 грн
1000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 22
BFU530ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 30534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.08 грн
11+ 31.42 грн
100+ 24.34 грн
500+ 20.72 грн
1000+ 16.54 грн
3000+ 14.83 грн
6000+ 13.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU530ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.69 грн
10+ 34.38 грн
25+ 32.29 грн
100+ 24.73 грн
250+ 22.97 грн
500+ 19.55 грн
1000+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
BFU530ARNXPTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB BFU530AR TBFU530ar
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+21.1 грн
580+ 21 грн
1000+ 20.49 грн
Мінімальне замовлення: 577
BFU530AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 10096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.8 грн
13+ 26.44 грн
100+ 17.18 грн
500+ 13.48 грн
1000+ 10.36 грн
2500+ 9.94 грн
10000+ 8.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530AVLNXPDescription: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.35 грн
500+ 14.12 грн
1000+ 9.21 грн
5000+ 9.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU530AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
BFU530AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
BFU530AVLNXPDescription: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.7 грн
31+ 25.8 грн
100+ 19.35 грн
500+ 14.12 грн
1000+ 9.21 грн
5000+ 9.01 грн
Мінімальне замовлення: 27
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 1200
BFU530R
Код товару: 99606		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU530RNXPDescription: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Verlustleistung: 450
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-143B
Dauer-Kollektorstrom: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
BFU530RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.41 грн
13+ 23.14 грн
25+ 21.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 1200
BFU530RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.55 грн
14+ 23.51 грн
100+ 15.61 грн
500+ 13.48 грн
1000+ 10.72 грн
3000+ 7.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU530RNXPDescription: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
DC-Stromverstärkung hFE: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-143B
Bauform - HF-Transistor: SOT-143B
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BFU530
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 40
Übergangsfrequenz: 11
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
BFU530RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
BFU530VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU530VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.55 грн
13+ 26.53 грн
100+ 17.25 грн
500+ 13.56 грн
1000+ 10.43 грн
2500+ 9.94 грн
10000+ 8.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU530W,115NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 433MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 1214
BFU530W115NXPDescription: NXP - BFU530W115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 1461
BFU530W115NXP SemiconductorsDescription: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
товару немає в наявності
BFU530WFNXPDescription: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.4 грн
500+ 11.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
BFU530WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
BFU530WFNXPDescription: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.7 грн
34+ 24.04 грн
100+ 16.4 грн
500+ 11.83 грн
Мінімальне замовлення: 27
BFU530WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU530WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.8 грн
14+ 24.57 грн
100+ 14.62 грн
1000+ 8.16 грн
2500+ 8.02 грн
10000+ 6.53 грн
20000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
BFU530WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.86 грн
10+ 41.55 грн
25+ 34.86 грн
100+ 25.57 грн
250+ 22.05 грн
500+ 19.9 грн
1000+ 17.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 7243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.64 грн
25+ 25.39 грн
100+ 24.24 грн
250+ 22.22 грн
500+ 21.11 грн
1000+ 20.9 грн
3000+ 20.68 грн
6000+ 20.46 грн
Мінімальне замовлення: 24
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 7243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+27.35 грн
450+ 27.07 грн
455+ 26.8 грн
500+ 25.58 грн
1000+ 23.44 грн
3000+ 22.27 грн
6000+ 22.03 грн
Мінімальне замовлення: 446
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.87 грн
100+ 23.41 грн
500+ 17.15 грн
1000+ 13.92 грн
Мінімальне замовлення: 29
BFU530WXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT323
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.83 грн
9+ 33.17 грн
25+ 28.65 грн
44+ 24.09 грн
119+ 22.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU530WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU530WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 26998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.65 грн
100+ 20.94 грн
500+ 16.68 грн
1000+ 14.76 грн
6000+ 14.69 грн
9000+ 13.2 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
BFU530WXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT323
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.53 грн
14+ 26.61 грн
25+ 23.88 грн
44+ 20.07 грн
119+ 18.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
556+21.91 грн
559+ 21.81 грн
580+ 21 грн
1000+ 19.37 грн
2000+ 17.84 грн
Мінімальне замовлення: 556
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.41 грн
500+ 17.15 грн
1000+ 13.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU530XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.76 грн
11+ 29.71 грн
100+ 19.16 грн
500+ 16.54 грн
1000+ 12.92 грн
3000+ 10.72 грн
24000+ 10.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU530XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
11+ 27.72 грн
25+ 25.93 грн
100+ 19.45 грн
250+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU530XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU530XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
BFU530XRNXP USA Inc.Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
товару немає в наявності
BFU530XRRNXPDescription: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143R
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU530XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
BFU530XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
BFU530XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
BFU530XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
BFU530XRRNXPDescription: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143R
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU530XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU530XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
BFU530XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.41 грн
13+ 23.14 грн
25+ 21.59 грн
100+ 16.21 грн
250+ 15.06 грн
500+ 12.74 грн
1000+ 9.68 грн
2500+ 8.83 грн
5000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.55 грн
14+ 24.73 грн
100+ 15.97 грн
500+ 13.56 грн
1000+ 10.43 грн
2500+ 9.08 грн
10000+ 8.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU530XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
товару немає в наявності
BFU530XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
BFU530XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU530XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU530XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
BFU550215NXPDescription: NXP - BFU550215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1430+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 1430
BFU550215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1189+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 1189
BFU550235NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1807+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 1807
BFU550235NXPDescription: NXP - BFU550235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2173+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 2173
BFU550A215NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU550A235NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU550ARNXPDescription: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.7 грн
500+ 10.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
BFU550ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.22 грн
11+ 26.72 грн
13+ 21.29 грн
100+ 11.71 грн
106+ 9.78 грн
290+ 9.24 грн
500+ 8.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 5058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
780+15.62 грн
785+ 15.52 грн
968+ 12.58 грн
1035+ 11.35 грн
3000+ 8.64 грн
Мінімальне замовлення: 780
BFU550ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+ 22.47 грн
25+ 18.66 грн
100+ 13.42 грн
250+ 11.4 грн
500+ 10.16 грн
1000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550ARNXPDescription: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.39 грн
43+ 18.55 грн
100+ 11.7 грн
500+ 10.42 грн
Мінімальне замовлення: 30
BFU550ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
на замовлення 9610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+31.85 грн
18+ 21.44 грн
21+ 17.74 грн
100+ 9.76 грн
106+ 8.15 грн
290+ 7.7 грн
500+ 7.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
BFU550ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 66541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
14+ 23.59 грн
100+ 13.98 грн
1000+ 7.88 грн
3000+ 7.17 грн
9000+ 6.32 грн
24000+ 5.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.49 грн
9000+ 6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.65 грн
6000+ 7.64 грн
9000+ 7.3 грн
15000+ 6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
BFU550AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9703 шт:
термін постачання 81-90 дні (днів)
10+35.44 грн
13+ 26.61 грн
100+ 14.41 грн
1000+ 7.59 грн
2500+ 6.81 грн
10000+ 5.89 грн
20000+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU550AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
BFU550AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU550RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 37762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.69 грн
10+ 34.52 грн
25+ 32.47 грн
100+ 24.86 грн
250+ 23.09 грн
500+ 19.66 грн
1000+ 15.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 6548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+20.03 грн
32+ 19.17 грн
100+ 16.83 грн
250+ 15.38 грн
500+ 13.8 грн
1000+ 13.54 грн
3000+ 13.28 грн
6000+ 13.03 грн
Мінімальне замовлення: 31
BFU550RNXPDescription: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.13 грн
500+ 18.11 грн
1000+ 15.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+19.88 грн
616+ 19.78 грн
1000+ 19.38 грн
Мінімальне замовлення: 613
BFU550RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.05 грн
6000+ 12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU550RNXPDescription: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.8 грн
30+ 27.31 грн
100+ 22.13 грн
500+ 18.11 грн
1000+ 15.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFU550RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 21059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.46 грн
10+ 39.67 грн
100+ 23.56 грн
500+ 19.66 грн
1000+ 16.75 грн
3000+ 15.19 грн
6000+ 14.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550R
Код товару: 182070		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 6548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
590+20.64 грн
648+ 18.8 грн
657+ 18.55 грн
703+ 16.71 грн
1000+ 15.19 грн
3000+ 14.31 грн
6000+ 14.04 грн
Мінімальне замовлення: 590
BFU550VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
BFU550VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU550VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU550W135NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1483+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 1483
BFU550WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
на замовлення 30651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.69 грн
10+ 34.08 грн
25+ 31.82 грн
100+ 23.89 грн
250+ 22.19 грн
500+ 18.78 грн
1000+ 14.27 грн
2500+ 13.01 грн
5000+ 12.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.87 грн
20000+ 14.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.5 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.16 грн
500+ 19.81 грн
1000+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU550WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+54.98 грн
271+ 45.03 грн
364+ 33.47 грн
365+ 32.18 грн
500+ 25.18 грн
1000+ 18.7 грн
Мінімальне замовлення: 222
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.84 грн
20000+ 13.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.12 грн
24+ 33.92 грн
100+ 25.16 грн
500+ 19.81 грн
1000+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 19
BFU550WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 12532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.46 грн
10+ 36.65 грн
100+ 23.7 грн
500+ 20.01 грн
1000+ 15.47 грн
2500+ 13.27 грн
10000+ 12.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550WFNXP SemiconductorsDescription: BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
на замовлення 720043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 1521
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+31.09 грн
394+ 30.96 грн
454+ 26.83 грн
456+ 25.74 грн
556+ 19.57 грн
1000+ 18.6 грн
3000+ 17.41 грн
Мінімальне замовлення: 392
BFU550WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.06 грн
6000+ 20.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.66 грн
21+ 28.87 грн
25+ 28.75 грн
100+ 24.03 грн
250+ 22.13 грн
500+ 17.44 грн
1000+ 17.27 грн
3000+ 16.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFU550WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.03 грн
10+ 49.87 грн
100+ 32.58 грн
500+ 27.61 грн
1000+ 23.07 грн
3000+ 21.01 грн
6000+ 20.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+32.97 грн
373+ 32.66 грн
500+ 31.75 грн
Мінімальне замовлення: 370
BFU550WXNXP SemiconductorsDescription: BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
на замовлення 7039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
904+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 904
BFU550WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.88 грн
10+ 50.57 грн
25+ 47.46 грн
100+ 36.35 грн
250+ 33.77 грн
500+ 28.74 грн
1000+ 22.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
BFU550WXNXPDescription: NXP - BFU550WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
978+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 978
BFU550XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 23696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.52 грн
10+ 36.32 грн
100+ 24.49 грн
500+ 21.29 грн
1000+ 14.34 грн
3000+ 13.13 грн
9000+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU550XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.76 грн
10+ 36.37 грн
25+ 33.95 грн
100+ 25.48 грн
250+ 23.67 грн
500+ 20.03 грн
1000+ 15.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+36.51 грн
423+ 28.81 грн
425+ 28.7 грн
500+ 24.94 грн
1000+ 16.84 грн
Мінімальне замовлення: 334
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+46.1 грн
18+ 35.38 грн
25+ 33.99 грн
100+ 25.83 грн
250+ 23.67 грн
500+ 20.63 грн
1000+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
BFU550XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.61 грн
6000+ 14.06 грн
15000+ 13.09 грн
30000+ 11.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
803+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 803
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.98 грн
23+ 35.75 грн
100+ 26.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
BFU550XAR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU550XR215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU550XR235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143R T/R
товару немає в наявності
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
BFU550XRRNXPDescription: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Verlustleistung: 450
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-143R
Dauer-Kollektorstrom: 15
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
BFU550XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.94 грн
14+ 21.96 грн
25+ 19.81 грн
100+ 12.84 грн
250+ 10.81 грн
500+ 8.79 грн
1000+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU550XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.37 грн
18+ 18.94 грн
100+ 9.44 грн
1000+ 7.17 грн
3000+ 6.03 грн
9000+ 5.54 грн
24000+ 5.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU550XRRNXPDescription: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
DC-Stromverstärkung hFE: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-143R
Bauform - HF-Transistor: SOT-143R
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BFU550XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Übergangsfrequenz: 11
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
BFU550XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1799+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 1799
BFU550XRR215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU550XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.93 грн
13+ 26.77 грн
100+ 13.2 грн
1000+ 6.74 грн
2500+ 5.89 грн
10000+ 4.4 грн
20000+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU550XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU550XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
BFU550XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU550XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU550XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
BFU550XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.44 грн
11+ 29.79 грн
100+ 19.3 грн
500+ 15.19 грн
1000+ 11.78 грн
2500+ 10.79 грн
10000+ 9.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU580G115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU580GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
товару немає в наявності
BFU580GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.43 грн
2000+ 23.75 грн
5000+ 22.57 грн
10000+ 20.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
BFU580GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
BFU580GXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.67 грн
10+ 53.3 грн
100+ 36.27 грн
500+ 32.01 грн
1000+ 24.98 грн
2000+ 23.21 грн
5000+ 22.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU580GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 10838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.58 грн
10+ 50.05 грн
25+ 47.52 грн
100+ 36.63 грн
250+ 34.24 грн
500+ 30.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU580GXNXPDescription: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.61 грн
500+ 31.64 грн
1000+ 21.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
BFU580GXNXPDescription: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59 грн
16+ 50.24 грн
100+ 38.61 грн
500+ 31.64 грн
1000+ 21.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
BFU580QXNXPDescription: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU580QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.03 грн
2000+ 26.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
BFU580QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.02 грн
10+ 56.92 грн
25+ 54 грн
100+ 41.62 грн
250+ 38.91 грн
500+ 34.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU580QXNXPDescription: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+79.93 грн
161+ 75.87 грн
196+ 62.28 грн
205+ 57.41 грн
500+ 45.92 грн
Мінімальне замовлення: 153
BFU580QXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.94 грн
10+ 60.48 грн
100+ 40.95 грн
500+ 35.98 грн
1000+ 28.74 грн
2000+ 26.83 грн
5000+ 25.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU590GXNXPTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 BFU590GX TBFU590g
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+81.38 грн
10+ 80.08 грн
25+ 78.79 грн
100+ 74.73 грн
250+ 68.04 грн
500+ 64.22 грн
1000+ 63.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+90.99 грн
136+ 90.07 грн
159+ 76.68 грн
200+ 69.05 грн
Мінімальне замовлення: 134
BFU590GXNXPDescription: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.98 грн
11+ 73.48 грн
100+ 56.45 грн
500+ 46.28 грн
1000+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU590GX
Код товару: 121346		Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-223
fT: 8,5 GHz
Uceo,V: 24 V
Ucbo,V: 24 V
Ic,A: 0,08 A
h21: 95
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+42 грн
10+ 37.8 грн
100+ 34.5 грн
BFU590GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.56 грн
2000+ 34.65 грн
5000+ 32.92 грн
10000+ 29.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.67 грн
10+ 77.39 грн
20+ 54.12 грн
53+ 50.57 грн
500+ 49.68 грн
1000+ 48.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
BFU590GXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 29002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.08 грн
10+ 76.64 грн
100+ 52.02 грн
500+ 45.92 грн
1000+ 36.27 грн
2000+ 33.29 грн
5000+ 32.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8.5GHz
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.23 грн
10+ 62.1 грн
20+ 45.1 грн
53+ 42.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+86.24 грн
144+ 84.85 грн
146+ 83.46 грн
250+ 79.14 грн
500+ 72.04 грн
1000+ 67.97 грн
Мінімальне замовлення: 142
BFU590GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 27125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.22 грн
10+ 72.97 грн
25+ 69.32 грн
100+ 53.42 грн
250+ 49.94 грн
500+ 44.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590GX
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BFU590GXNXPDescription: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.45 грн
500+ 46.28 грн
1000+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU590Q115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU590Q115NXPDescription: NXP - BFU590Q115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 663
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+71.96 грн
171+ 71.24 грн
233+ 52.29 грн
345+ 34.04 грн
Мінімальне замовлення: 170
BFU590QXNXPDescription: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.8 грн
12+ 68.87 грн
100+ 53.82 грн
500+ 42.36 грн
1000+ 30.03 грн
5000+ 29.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU590QXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 10721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.94 грн
10+ 68.97 грн
100+ 44.14 грн
500+ 42.02 грн
1000+ 33 грн
2000+ 31.58 грн
5000+ 30.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.45 грн
2000+ 31.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.91 грн
3000+ 35.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+83.11 грн
10+ 66.82 грн
25+ 66.16 грн
100+ 46.82 грн
250+ 29.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU590QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.54 грн
10+ 67.13 грн
25+ 63.73 грн
100+ 49.12 грн
250+ 45.92 грн
500+ 40.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+86.32 грн
143+ 85.4 грн
195+ 62.68 грн
208+ 56.44 грн
500+ 40.57 грн
1000+ 38.87 грн
Мінімальне замовлення: 142
BFU590QXNXPDescription: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.82 грн
500+ 42.36 грн
1000+ 30.03 грн
5000+ 29.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.3 грн
3000+ 33.2 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
BFU590QX
Код товару: 131638		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.42 грн
18+ 45.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU610F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.53 грн
10+ 37.19 грн
100+ 25.85 грн
500+ 18.94 грн
1000+ 15.4 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+20.55 грн
652+ 18.69 грн
658+ 18.5 грн
693+ 16.95 грн
1000+ 13.56 грн
3000+ 12.99 грн
Мінімальне замовлення: 593
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1544+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 1544
BFU610F,115
Код товару: 99602		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.52 грн
32+ 19.08 грн
100+ 16.73 грн
250+ 15.34 грн
500+ 13.99 грн
1000+ 12.08 грн
3000+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
BFU610F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.52 грн
10+ 41.79 грн
100+ 27.11 грн
500+ 21.29 грн
1000+ 16.54 грн
3000+ 15.05 грн
9000+ 13.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU610F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU630F,115NXPDescription: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.47 грн
14+ 43.57 грн
25+ 43.1 грн
100+ 30.25 грн
250+ 27.73 грн
500+ 22.2 грн
1000+ 19.23 грн
3000+ 15.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFU630F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 11838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.9 грн
10+ 45.13 грн
100+ 27.75 грн
500+ 23.14 грн
1000+ 19.8 грн
3000+ 17.32 грн
6000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+91.15 грн
250+ 48.83 грн
294+ 41.49 грн
296+ 39.7 грн
500+ 31.68 грн
1000+ 26.34 грн
Мінімальне замовлення: 134
BFU630F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 12820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.85 грн
10+ 30.98 грн
100+ 21.45 грн
500+ 16.82 грн
1000+ 15.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU630F,115NXPBFU630F.115 NPN SMD transistors
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.23 грн
39+ 27.24 грн
105+ 25.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU630F,115NXPDescription: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+46.41 грн
361+ 33.79 грн
364+ 33.45 грн
500+ 26.9 грн
1000+ 21.58 грн
3000+ 16.52 грн
Мінімальне замовлення: 263
BFU630F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU660F,115
Код товару: 99607		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
BFU660F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU660F,115NXPDescription: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+25.67 грн
479+ 25.42 грн
484+ 25.16 грн
500+ 24.01 грн
1000+ 22 грн
3000+ 20.9 грн
6000+ 20.68 грн
15000+ 20.46 грн
Мінімальне замовлення: 475
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+24.32 грн
26+ 23.84 грн
100+ 22.76 грн
250+ 20.86 грн
500+ 19.82 грн
1000+ 19.61 грн
3000+ 19.41 грн
6000+ 19.2 грн
Мінімальне замовлення: 25
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
572+21.3 грн
575+ 21.2 грн
625+ 19.47 грн
1000+ 17.51 грн
2000+ 16.12 грн
3000+ 15.39 грн
Мінімальне замовлення: 572
BFU660F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.09 грн
10+ 41.47 грн
100+ 27.08 грн
500+ 19.59 грн
1000+ 17.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU660F,115NXPDescription: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU660F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 6464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.2 грн
11+ 31.26 грн
100+ 22.14 грн
500+ 19.09 грн
1000+ 17.32 грн
3000+ 15.54 грн
9000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU668F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.04A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU668F,115NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
BFU668F,115NXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BFU668F,115NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
BFU690F,115NXPDescription: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 70
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.49 грн
500+ 23.14 грн
1000+ 15.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU690F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 18GHz
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 294-303 дні (днів)
8+46.95 грн
10+ 40.56 грн
100+ 24.34 грн
500+ 20.3 грн
1000+ 17.32 грн
3000+ 15.47 грн
6000+ 14.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU690F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB ~ 18.5dB
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 18GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.17 грн
10+ 43.1 грн
100+ 28.17 грн
500+ 20.38 грн
1000+ 18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
BFU690F,115NXPDescription: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 90
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 490
Übergangsfrequenz ft: 18
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.36 грн
20+ 40.84 грн
100+ 30.49 грн
500+ 23.14 грн
1000+ 15.7 грн
Мінімальне замовлення: 17
BFU690F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB ~ 18.5dB
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 18GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
BFU690F,115
Код товару: 83917		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
BFU710F,115NXPDescription: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.11 грн
500+ 14.93 грн
1000+ 9.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU710F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.44 грн
10+ 32.9 грн
100+ 22.53 грн
500+ 16.7 грн
1000+ 15.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1146+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 1146
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU710F,115NXPDescription: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.17 грн
32+ 25.48 грн
100+ 19.11 грн
500+ 14.93 грн
1000+ 9.42 грн
Мінімальне замовлення: 27
BFU710F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.08 грн
10+ 33.71 грн
100+ 21.08 грн
500+ 17.1 грн
1000+ 14.55 грн
3000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU710F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+14.38 грн
53+ 11.38 грн
54+ 11.2 грн
55+ 10.64 грн
100+ 9.71 грн
250+ 9.18 грн
500+ 9.03 грн
1000+ 8.89 грн
3000+ 8.74 грн
Мінімальне замовлення: 42
BFU725FNXP2007 SOT343
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU725F
Код товару: 85278		NXPТранзистори > ВЧ
Корпус: SOT-343
Частота: 55 GHz
товару немає в наявності
1+20 грн
10+ 10.8 грн
BFU725F T/RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS
товару немає в наявності
BFU725F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU725F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors RF NPN Transistor
товару немає в наявності
BFU725F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 70GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
BFU725F/N1NXP Semiconductors BFU725F/DFP4//N1/REEL 7 Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
BFU725F/N1NXPSOT343F
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.88 грн
11+ 31.01 грн
100+ 19.16 грн
500+ 15.54 грн
1000+ 13.98 грн
3000+ 11.71 грн
9000+ 11.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU725F/N1,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.83 грн
10+ 30.24 грн
100+ 20.62 грн
500+ 15.25 грн
1000+ 13.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+17.44 грн
37+ 16.31 грн
38+ 16.15 грн
100+ 13.57 грн
250+ 12.43 грн
500+ 11.55 грн
1000+ 11.15 грн
3000+ 10.99 грн
Мінімальне замовлення: 35
BFU725F/N1,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.8V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 136mW
Case: SOT343F
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.63 грн
25+ 23.29 грн
49+ 17.82 грн
134+ 16.78 грн
Мінімальне замовлення: 15
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
839+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 839
BFU725F/N1,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.8V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 136mW
Case: SOT343F
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 110GHz
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.15 грн
25+ 29.02 грн
49+ 21.38 грн
134+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFU725F/N1,115NXPDescription: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.57 грн
500+ 17.37 грн
1000+ 13.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товару немає в наявності
BFU725F/N1,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товару немає в наявності
BFU725F/N1,115NXPDescription: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.33 грн
25+ 33.12 грн
100+ 23.57 грн
500+ 17.37 грн
1000+ 13.78 грн
Мінімальне замовлення: 21
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
882+13.8 грн
Мінімальне замовлення: 882
BFU725F/N1/S115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
BFU730F,115NXPDescription: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.86 грн
36+ 22.45 грн
100+ 17.52 грн
500+ 14.27 грн
1000+ 13.03 грн
Мінімальне замовлення: 27
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 16364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
637+19.12 грн
647+ 18.83 грн
657+ 18.54 грн
667+ 17.6 грн
1000+ 16.03 грн
3000+ 15.14 грн
6000+ 14.9 грн
15000+ 14.65 грн
Мінімальне замовлення: 637
BFU730F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 16364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+18.29 грн
34+ 17.75 грн
100+ 16.86 грн
250+ 15.37 грн
500+ 14.52 грн
1000+ 14.29 грн
3000+ 14.06 грн
6000+ 13.83 грн
Мінімальне замовлення: 33
BFU730F,115NXPDescription: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.52 грн
500+ 14.27 грн
1000+ 13.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU730F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.37 грн
13+ 25.55 грн
100+ 16.47 грн
500+ 14.41 грн
1000+ 14.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+18.77 грн
663+ 18.36 грн
1000+ 18.05 грн
Мінімальне замовлення: 649
BFU730F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 76746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.28 грн
10+ 35.56 грн
100+ 24.4 грн
500+ 18.15 грн
1000+ 16.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU730F,115
Код товару: 99614		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU730LXZNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15.8dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 53GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Supplier Device Package: DFN1006C-3
на замовлення 24556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.53 грн
11+ 28.46 грн
100+ 19.4 грн
500+ 14.32 грн
1000+ 13.03 грн
2000+ 11.94 грн
5000+ 10.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU730LXZNXPDescription: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-883C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 53GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.9 грн
25+ 32.56 грн
100+ 22.69 грн
500+ 16.41 грн
1000+ 10.99 грн
Мінімальне замовлення: 22
BFU730LXZNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors SiGe:C MMIC Transistor
на замовлення 5816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.84 грн
10+ 34.61 грн
100+ 21.36 грн
500+ 16.89 грн
1000+ 13.77 грн
2500+ 12.28 грн
10000+ 11.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1586+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 1586
BFU730LXZNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15.8dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 53GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Supplier Device Package: DFN1006C-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
товару немає в наявності
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+22.24 грн
32+ 19.11 грн
100+ 15.53 грн
250+ 10.6 грн
Мінімальне замовлення: 28
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.74 грн
21+ 28.95 грн
25+ 28.66 грн
100+ 22.19 грн
250+ 20.33 грн
500+ 15.62 грн
1000+ 12.74 грн
3000+ 11.14 грн
6000+ 9.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFU760F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 6570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.92 грн
10+ 32.82 грн
100+ 22.82 грн
500+ 16.72 грн
1000+ 13.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU760F,115NXPDescription: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 155
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220
Bauform - Transistor: SOT-343F
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.67 грн
28+ 29.3 грн
100+ 21.89 грн
500+ 17.23 грн
1000+ 11.33 грн
5000+ 11.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 38370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
620+19.65 грн
623+ 19.56 грн
697+ 17.49 грн
1000+ 16.26 грн
2000+ 14.97 грн
3000+ 13.92 грн
6000+ 13.39 грн
12000+ 12.86 грн
Мінімальне замовлення: 620
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU760F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.45 грн
6000+ 12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFU760F,115NXPDescription: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 220
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 70
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.89 грн
500+ 17.23 грн
1000+ 11.33 грн
5000+ 11.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+30.87 грн
492+ 24.78 грн
497+ 24.52 грн
621+ 18.92 грн
1000+ 14.29 грн
3000+ 12 грн
6000+ 10.61 грн
Мінімальне замовлення: 395
BFU760F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.63 грн
10+ 37.46 грн
100+ 22.71 грн
500+ 18.1 грн
1000+ 14.48 грн
3000+ 12.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU768F,115NXP SemiconductorsDescription: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 110GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
BFU768F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.48 грн
12+ 26.17 грн
100+ 18.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFU768F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.99 грн
14+ 23.34 грн
100+ 16.61 грн
500+ 14.05 грн
1000+ 11.43 грн
3000+ 9.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
BFU768F,115NXPDescription: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.44 грн
500+ 14.42 грн
1000+ 11.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU768F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU768F,115NXPDescription: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.04 грн
38+ 21.34 грн
100+ 17.44 грн
500+ 14.42 грн
1000+ 11.53 грн
Мінімальне замовлення: 34
BFU768F115NXPDescription: NXP - BFU768F115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2493900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2196+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 2196
BFU768F115NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
BFU790F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.86 грн
10+ 49.7 грн
100+ 34.35 грн
500+ 31.87 грн
1000+ 26.33 грн
3000+ 24.27 грн
6000+ 23.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+35.16 грн
19+ 33.06 грн
25+ 32.93 грн
100+ 28.21 грн
250+ 23.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
BFU790F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 234mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
BFU790F,115NXPDescription: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 234
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauer-Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
BFU790F,115NXPDescription: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235
DC-Stromverstärkung hFE: 235
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 234
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: SOT-343F
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Übergangsfrequenz: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
BFU790F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 234mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.38 грн
10+ 52.49 грн
100+ 36.51 грн
500+ 27.51 грн
1000+ 25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
BFU910F115Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 227704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
BFU910FXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 9.5V 0.015A 300mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 882540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 4157
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
BFU910FXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon germanium RF trans
товару немає в наявності