BFU610F,115 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 15.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU610F,115 NXP USA Inc.
Description: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 15GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BFU610F,115 за ціною від 12.12 грн до 53.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BFU610F,115 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 3353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFU610F,115 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 3353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFU610F,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 23.5dB Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4-DFP |
на замовлення 5793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFU610F,115 | Виробник : NXP Semiconductors | RF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFU610F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFU610F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BFU610F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU610F,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFU610F,115 Код товару: 99602 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
BFU610F,115 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BFU610F,115 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
товар відсутній |