BFU710F,115 NXP Semiconductors
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 13.14 грн |
| 100+ | 13.13 грн |
| 250+ | 12.65 грн |
| 500+ | 11.71 грн |
| 3000+ | 11.23 грн |
| 15000+ | 11.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU710F,115 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 43GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BFU710F,115 за ціною від 9.87 грн до 47.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFU710F,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU710F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 20407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFU710F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 43GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFU710F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU710F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 136mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 43GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BFU710F,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 136mW Current - Collector (Ic) (Max): 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 43GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
на замовлення 9250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BFU710F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BFU710F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
товар відсутній |