BFU730F,115 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFU730F,115 NXP USA Inc.
Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 55GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BFU730F,115 за ціною від 12.96 грн до 32.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFU730F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFU730F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 197mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU730F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 16364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU730F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
на замовлення 16364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU730F,115 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 197mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 55GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFU730F,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 197mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 55GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
на замовлення 76835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFU730F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
на замовлення 10852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFU730F,115 Код товару: 99614 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||
 |
BFU730F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BFU730F,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
товар відсутній |