Продукція > BCW
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCW 60B E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF Transistors | на замовлення 47995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW 60C E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 60C E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 33021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 60D E6327 | Infineon | NPN 100mA 32V 250mW 250MHz BCW60D TBCW60d кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 60D E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 60D E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 48541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 60FF E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 61A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 61A E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 10917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 61A E6327 | Infineon | PNP 100mA 32V 330mW BCW61A TBCW61a кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 61B E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW 61B E6327 | Infineon | PNP 100mA 32V 250mW 100MHz BCW61BE6327HTSA1 BCW61B TBCW61b кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 61C E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 20596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 61C E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 61D | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 61D E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 42000 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 61D E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 66F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 66G E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 66G E6327 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 66H B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 66H E6327 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 66H E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 66KF E6327 | Infineon | NPN 800mA 45V 500mW 170MHz BCW66KF TBCW66kf кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 66KF E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | на замовлення 46378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 66KG E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 66KG E6433 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 66KH E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | на замовлення 168000 шт: термін постачання 442-451 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 67A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 67A E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 67B E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 67C E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 27701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 68F | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 68F E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 32995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW 68G | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 68G E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW 68H E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP 45 V 800 mA | на замовлення 40170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW-500X10- 3 GN Клема для друкованої плати | на замовлення 1000 шт: термін постачання 3-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
BCW0001 | Balluff | Description: DIMENSION= 18 X 65 MM, SERIES=M1 Packaging: Bag Package / Case: Module Output Type: Analog Current Sensing Distance: 0" ~ 0.315" (0mm ~ 8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 10°C ~ 55°C Termination Style: Cable Voltage - Supply: 12V ~ 35V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Capacitive Ingress Protection: IP67 Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW0004 | Balluff | Description: SENSOR LEVEL Packaging: Bag Voltage Rating: 4V ~ 8V Mounting Type: Cable Mount Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Material - Housing & Prism: Polyethylene Terephthalate (PET) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW29 | Nexperia | Nexperia | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW29 /T3 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW29 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW29,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW29,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW29,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW29/SOT23/TO-236AB | на замовлення 6040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW29,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW29,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW29,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW29,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 36700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW29,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW29,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW29,235 Код товару: 175652 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW29,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW29,235 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW29,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW29,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW29/SOT23/TO-236AB | на замовлення 8745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW29LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW29TA | FERRANTI | SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30 | ST | SOT23/ | на замовлення 2292 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30 | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30 | FAIRCHILD | 07+ SOT-23 | на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30 Код товару: 30973 | Транзистори > Біполярні PNP | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW30 | PHILIPS | SOT23 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30 /T3 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 215...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW30/SOT23/TO-236AB | на замовлення 15717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 215...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW30,235 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW30/SOT23/TO-236AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30/C2P | PHILIPS | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW30235 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BCW30 - SMALL SIGNA Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30c2P | PHILIPS | 00+ sot-23 | на замовлення 69100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30GC2 | ROHM | 96+ SOT-23 | на замовлення 27100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30L | onsemi | onsemi SILICON TRANSISTOR PLAST | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30LT1 | onsemi | Description: TRANS PNP GP 32V 100MA SOT-23 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW30LT1 - TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT1C2H | MOTOROLA | 98+ SOT-23 | на замовлення 9100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V PNP | на замовлення 5251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215 DC-Stromverstärkung hFE: 215 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ON-Semicoductor | PNP 100mA 32V 250mW 100MHz BCW30,215, BCW30LT1G BCW30 smd TBCW30 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 23800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 12377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 215...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 11175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 215...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | на замовлення 11175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW30LT3 - BCW30LT3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30LT3 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW30T116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30T116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 100MA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW30T146 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW30TA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW30_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW31 | PHILIPS | на замовлення 167900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW31 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW31 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 258018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW31 | PHILIPS | 03+ SOT23 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW31 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW31 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 500mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW31 BK | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 20V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW31 TR | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 20V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW31,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW31,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 190hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW31,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW31,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW31/SOT23/TO-236AB | на замовлення 16803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW31,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW31,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 190hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW31,215 Код товару: 194333 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW31,215 | NXP Semiconductors | на замовлення 14194 шт: термін постачання 5 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW31,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 92129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW31,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 110...220 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 32316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW31,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 110...220 кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 32316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW31,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW31GD1 | ROHM | 96+ 23 | на замовлення 27100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW31LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW31LT1 | на замовлення 5614 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW31R | PHILIPS | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW31T116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW31TAD1 | ZETEX | 99+ 23 | на замовлення 15100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW31_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 500mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW32 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW32 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW32 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW32,215 | NEXPERIA | BCW32.215 NPN SMD transistors | на замовлення 3085 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW32,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW32/SOT23/TO-236AB | на замовлення 28767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW32,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Übergangsfrequenz: -MHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 17447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 23900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW32,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Übergangsfrequenz: -MHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 17447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 23900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW32,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW32/SOT23/TO-236AB | на замовлення 5507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32235 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BCW32 - SMALL SIGNA Packaging: Bulk | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32D2 | FAIRCHILD | 00+ SOT-23 | на замовлення 27100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW32GD2 | ROHM | 96+ SOT-23 | на замовлення 24100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW32LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW32LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN GP 32V 100MA SOT-23 Packaging: Bulk | на замовлення 423000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1 | ON Semiconductor | на замовлення 5773 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW32LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW32LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW32LT1 - BCW32LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 423000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN | на замовлення 10617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 37065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW32LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ONSEMI | BCW32LT1G NPN SMD transistors | на замовлення 2725 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW32R | T | на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW32T116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW32T116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 100MA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW32T146 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW32TAD2 | ZETEX | 00+ SOT-23 | на замовлення 18100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW32_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW33 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW33 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW33 - TRANSISTOR SMD SOT 223 BIPOLAR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: TBA euEccn: Unknown hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: Unknown | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33 | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Type of transistor: NPN Frequency: 300MHz Collector current: 0.1A | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW33 | ONS | Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=32V; Ic=0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=420/800(аналог BCW33) | на замовлення 286 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.5A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW33 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW33 | ONS | Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=32V; Ic=0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=420/800(аналог BCW33) | на замовлення 11194 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33 T116 | ROHM | SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW33 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 15222 | NXP | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 32 V Ic,A: 0,1 A h21: 800 Монтаж: SMD | у наявності 1947 шт: 1517 шт - склад430 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BCW33 T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW33,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор NPN; Uceo, В = 32; Ic = 100 мА; ft, МГц = 100; hFE = 420 @ 2 мA, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.21 @ 2.5 мA, 50 мA; Р, Вт = 0,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA BCW33 - SMALL SIGNAL BI Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 83341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW33,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW33/SOT23/TO-236AB | на замовлення 16961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW33,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: 0 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Type of transistor: NPN Frequency: 100MHz Collector current: 0.1A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW33,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: 0 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 0 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Type of transistor: NPN Frequency: 100MHz Collector current: 0.1A | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW33,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 83341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33L | onsemi | onsemi SILICON TRANSISTOR PLAST | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW33LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW33LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW33LT1 | MOTOROLA | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT1G | ON SEMICONDUCTOR | NPN 32V 0.2A 0.25W SOT-23 | на замовлення 713 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW33LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 138289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN | на замовлення 16848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW33LT1G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 32, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 174408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 420...800 Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 164 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN | на замовлення 21618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 840000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 420...800 Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW33LT3G Код товару: 183750 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW33LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 116699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW33T116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60 Код товару: 34842 | Philips | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 250 MHz Uceo,V: 32 V Ucbo,V: 32 V Ic,A: 0,1 A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60 | SM | на замовлення 207000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW60A | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60A | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60A E6327 | INFINEON | SOT23-AA | на замовлення 7306 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60A E6327 SOT23-AA | INFINEON | на замовлення 7306 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW60ALT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60A_D87Z | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60A_D87Z | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60A_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60B | PHILIPS | SOT23 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60B | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60B | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60B | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60B/SOT23/TO-236AB | на замовлення 4324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60B,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 20...310 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 5440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23 Packaging: Bulk | на замовлення 36914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60B,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 20...310 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz | на замовлення 5440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60B,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60B,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60B,235 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60B,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60B/SOT23/TO-236AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60B,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60B/ABP | PHILIPS | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW60BE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60BE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | на замовлення 3084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60BE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3084 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60BE6327HTSA1 | Infineon | NPN 100mA 32V 250mW 250MHz BCW60B TBCW60b кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60BLT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60BLT1 | MOTOROLA | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW60B_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C Код товару: 175305 | NXP | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 250 MHz Uceo,V: 32 V Ucbo,V: 32 V Ic,A: 0,1 A h21: 40 Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C Код товару: 192447 | Infineon | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 250 MHz Uceo,V: 32 V Ucbo,V: 32 V Ic,A: 0,1 A Монтаж: SMD | у наявності 1177 шт: 942 шт - склад35 шт - РАДІОМАГ-Київ 200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BCW60C | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C /T3 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60C/SOT23/TO-236AB | на замовлення 8137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 460hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW60 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 40...460 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz | на замовлення 3040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 40...460 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 3040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 460hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW60 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C,235 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60C/SOT23/TO-236AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C,235 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60C-E6327 | INFINEON | 00+/01 | на замовлення 456000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60C/2X | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW60C/Acp | PHI | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW60C215 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL BIPOLA Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60C235 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL BIPOLA Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60CAcp | PHILIPS | 95+ SOT-23 | на замовлення 33100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60CE-6327Acs | SIEMENS | 99+ SOT-23 | на замовлення 12100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60CE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | на замовлення 622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60CE6327 | Infineon | NPN 100mA 32V 330mW 250MHz BCW60C smd TBCW60c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60CE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 100918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60CE6327SOT23-ACPB-FREE | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW60CLT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60CT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.2A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60CWT106 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW60C_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60D | FSC | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60D | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60D | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60D | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60D | PHI | на замовлення 2975 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW60D /T3 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60D,215 Код товару: 162624 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW60D,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60D,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 380hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 100...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 100...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 41887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60D,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 380hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60D/SOT23/TO-236AB | на замовлення 18567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60D,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 380hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60D,235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,235 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60D,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60D/SOT23/TO-236AB | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60D,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60D,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60D,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60DE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 13852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60DLT | Allegro | 07+ | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60DRTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60DRTA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60DRTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60DRTC | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60DT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.2A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60DTA | ZETEX | 09+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60D_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60E6422HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60E6422HTMA1 | Infineon Technologies | Description: BCW60 - BIPOLAR BJT TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.05V @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60E6422HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60E6422HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60FE6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60FF | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60FF | INFINEON | 09+ | на замовлення 15018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60FFE6327 | Infineon Technologies | Description: BCW60 - LOW NOISE TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60FFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60FFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60FFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60FFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 315000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW60FN | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60FNE-6393Ks | SIEMENS | 97+ SOT-23 | на замовлення 6100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW60FNE6393HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW60R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW60RC | NEC# | 05+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61 | PH | 05+ SOT-23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61-B-MTFBB | SAMSUNG | SOT-23 | на замовлення 12100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW618 | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61A Код товару: 81891 | NXP | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 Uке, В: 32 V Uкб, В: 32 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 120 | у наявності 7 шт: 7 шт - РАДІОМАГ-Київ |
| ||||||||||||||||||
BCW61A | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61A | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61A E6327 | INFINEON | SOT23-BA PB-FREE | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61A E6327 SOT23-BA PB | INFINEON | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61AE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61AE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61AE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 378000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61AE6327SOT23-BAPB-FREE | INFINEON | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61ALT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61AMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61AMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61B | PHILIPS | SOT23-BB | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61B | PHILIPS | 07+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61B | Philips | Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=-32V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=180/310 | на замовлення 6239 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61B | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP/32V/100MA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61B | INFINEON | 09+ | на замовлення 186018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61B SOT23-BB | PHILIPS | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61B E6327 | Infineon | SOT23 | на замовлення 111000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61B,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 | на замовлення 1811 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61B,215 Код товару: 194332 | Транзистори > Біполярні PNP | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW61B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 14796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61B,215 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA BCW61B - SMALL SIGNAL B Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61B,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61B,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW61B/SOT23/TO-236AB | на замовлення 5245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61B,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30...310 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2835 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61B,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 14796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61B,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30...310 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61B-E6327 | INFINEON | 01+ | на замовлення 168000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61B-E6327 | INFINEON | на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61BBSTA Код товару: 19076 | NXP | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uке, В: 32 V Uкб, В: 32 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 310 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61BBSTA | Транзисторы биполярные PNP | на замовлення 160 шт: термін постачання 1-2 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61BE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 156 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61BE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61BE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61BE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61BE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 547960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 547960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61BLT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61BLT1 | MOTO | на замовлення 555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61BLT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW61BLT1 - BCW61BLT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61BLT1 | onsemi | Description: TRANS GP BJT PNP 32V 0.1A 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61BLT3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW61BLT3 - BCW61BLT3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 39500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61BLT3 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 39500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61BMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61BMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61BMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61BMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61BMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61BMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61BMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW61BMTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61BMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 12581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61BMTF-ON | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61BSOT143-1KP | PHILIPS | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61BSOT23-BB | PHILIPS | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61C | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61C | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61C | Транзисторы биполярные PNP | на замовлення 42 шт: термін постачання 1-2 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61C Код товару: 30603 | NXP | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uке, В: 32 V Uкб, В: 32 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 460 | у наявності 843 шт: 5 шт - склад326 шт - РАДІОМАГ-Київ 155 шт - РАДІОМАГ-Львів 99 шт - РАДІОМАГ-Харків 210 шт - РАДІОМАГ-Одеса 48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується 250 шт: 250 шт - очікується |
| ||||||||||||||||||
BCW61C | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61C | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61C | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bag Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 2262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C /T3 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61C T/R | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61C,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW61C/SOT23/TO-236AB | на замовлення 15600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61C,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...460 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | на замовлення 5325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...460 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C,215 | BCW61C,215 Транзисторы | на замовлення 5078 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61C,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C,235 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...460 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61C,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61C,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61C,235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61C,235 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23 Packaging: Bulk | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW61C/SOT23/TO-236AB | на замовлення 8898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61C,235 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...460 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61C,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C/DG/B2215 | NXP | Description: NXP - BCW61C/DG/B2215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C/DG/B2215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C/DG/B4215 | NXP | Description: NXP - BCW61C/DG/B4215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 35990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61C/DG/B4215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 35990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61CE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61CE6327 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61CE6327 | INFINEON | PNP Uce=32V, Ic=100mA, P=330mW, B>40, SOT23 | на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61CE6327 | Infineon | Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=-32V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/460 | на замовлення 865 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61CE6327HTSA1 | Infineon | PNP 100mA 32V 330mW 250MHz BCW61C smd TBCW61c кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | BCW61CE6327 (PNP,35V,0.2A,180MHZ,SOT-23) | на замовлення 24 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 56972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61CE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61CE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61CMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61CMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61CT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61CT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61CT116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 200MA | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61D | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61D | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP; Uceo, В = -32; Ic = -100 мА; ft, МГц = 100; hFE = 380...630 @ Ic = -50 mA, Uce = -1 V; Icutoff-max = -20 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = -335 @ -50 mA, -1,25 mA; Р, Вт = 0,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 | на замовлення 2317 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61D | NXP | PNP 200mA 32V 330mW 180MHz BCW61D TBCW61d кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61D | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61D | Philips | Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=-32V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=380/630 | на замовлення 24684 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61D Код товару: 1360 | Infineon | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uке, В: 32 V Uкб, В: 32 V Iк, А: 0,2 A h21,max: 630 | у наявності 39 шт: 29 шт - РАДІОМАГ-Харків10 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
| ||||||||||||||||||
BCW61D T/R | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61D,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61D,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61D,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW61D/SOT23/TO-236AB | на замовлення 7980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61D,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61D,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61D,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23 Packaging: Bulk | на замовлення 517525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61D,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61D,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61D/BDP | PHILIPS | на замовлення 5122 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW61DE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 64915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61DE6327 | INFINEON | PNP, 32 В, 100 мА, 330 мВт | на замовлення 5402 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61DE6327 | Infineon | Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=-32V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=380/630 | на замовлення 645 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61DE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61DE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 19915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 190400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61DE6327HTSA1 : BCW61DE6327 | Infineon Technologies | BCW61DE6327 TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 | на замовлення 171 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW61DLT1 | onsemi | Description: TRANS GP BJT PNP 32V 0.1A Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61DMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61DMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61DTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61DTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61DTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANSISTOR AF SOT23 Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61E6384HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61E6384HTMA1 - BCW61 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANSISTOR AF SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW61FN | на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW62D | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW64FN | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW65A | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65ALT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 22157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | на замовлення 11310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65ALT1G Код товару: 53614 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65ALT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 65044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65B | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65B | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65B(Z) | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65BTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65BTC | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65BTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65C | SM | на замовлення 357000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW65C | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW65C | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65C-T&R-SIE | Infineon Technologies | NPN 32 V 1 A 100 MHz SOT-23 | на замовлення 1175 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW65CLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CLT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65CLT1 - BCW65CLT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 31270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 103497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 2025 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | на замовлення 26502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 31270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CLT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW65CTA | ZETEX | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW65CTAEC | ZETEX | 01+ SOT-23 | на замовлення 90100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66 | onsemi | onsemi LESHANBE SS SOT23 GP XSTR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66E-6359 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW66F | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66F | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66F | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 45V, 600mA, NPN | на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66F | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.6A; 300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 50...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 3925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66F | Rectron | Current & Power Monitors & Regulators Bipolar NPN Trans .8A, 75V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66F | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.6A; 300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 50...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 3925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66F | Diotec Electronics | Trans GP BJT NPN 45V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66F | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66F-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66F-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN SILICON TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66F215 | NXP USA Inc. | Description: BCW66 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRA Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66FN | на замовлення 10540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW66FR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66FR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 1A Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 5175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66FR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66FR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BCW66 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66FR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66FR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66FR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW66F/SOT23/TO-236AB | на замовлення 71126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66FR | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66FR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66FR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66FR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 1A Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 5175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66FTAEF | ZETEX | 01+ SOT-23 | на замовлення 18100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66FTCEF | ZETEX | SOT-23 | на замовлення 90100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66FVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW66F/SOT23/TO-236AB | на замовлення 27025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66FVL | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66FVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66FVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66FVL | Nexperia USA Inc. | Description: BCW66FSOT23TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66FVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66FVL | Nexperia USA Inc. | Description: BCW66FSOT23TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66G | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BCW66G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 170MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66G | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66G-D87Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66G-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66G-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN Plastic-Encapsulate Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66G215 | NXP USA Inc. | Description: BCW66 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRA Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66GLT1 | ON | SOT23 | на замовлення 302 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66GLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66GLT1 | LRC | SOT-23 03+ | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 29350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT1G Код товару: 173997 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 29350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 32481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V | на замовлення 124314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 2925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 160...400 Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.3W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR | на замовлення 59307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 160...400 Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.3W кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66GLT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 231760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GLT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160 hazardous: false DC-Stromverstärkung hFE: 160 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW66G/SOT23/TO-236AB | на замовлення 6675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 160...400 Collector current: 0.8A Pulsed collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 12725 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66GR | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66GR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66GR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66GR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BCW66 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66GR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66GR Код товару: 202835 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW66GR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 160...400 Collector current: 0.8A Pulsed collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape | на замовлення 12725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 19705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 69224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66GVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 19705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW66G/SOT23/TO-236AB | на замовлення 28070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66GVL | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66GVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66G_D87Z | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66H | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BCW66H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 170MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 11337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66H | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66H (BCW66HTA) транзистор Код товару: 79944 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW66H EH. | Infineon | NPN 800mA 45V 330mW 100MHz-170MHz hfe160min (100mA) BCW66HB6327, BCW66HE6327, BCW66HTA, BCW66HTC BCW66H INFINEON TBCW66h кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66H-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN Plastic-Encapsulate Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66H-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66H-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 45V 1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66HQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HQTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66HQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66HQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCW66HQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCW66HQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor | на замовлення 2684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 1A Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW66H/SOT23/TO-236AB | на замовлення 368961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66HR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HR | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 23014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 1A Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 330mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Current gain: 80...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 2305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66HTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Saturation | на замовлення 34810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCW66HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 5272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66HTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 330mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Current gain: 80...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2305 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCW66HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66HVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66HVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HVL | Nexperia USA Inc. | Description: BCW66HSOT23TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66HVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW66H/SOT23/TO-236AB | на замовлення 24264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HVL | Nexperia USA Inc. | Description: BCW66HSOT23TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 82735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66HVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66HVL | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KE6359HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KE6359HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KFE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 170MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KFE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 170MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KHB6327 | INFINEON | 09+ SOT-235 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW66KHB6327HTLA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KHE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 170MHz Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar | на замовлення 1143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KHE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 170MHz Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1143 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | на замовлення 321633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 44974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon | NPN 800mA 45V 500mW 170MHz BCW66KH TBCW66kh кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2950 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 44974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW67 | INFINEON | 04+ SOT-23 | на замовлення 12100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW67A | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW67A | SM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW67A | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW67AE6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW67AE6327XT | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW67B | INFINEON | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW67B | SM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW67BE6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW67BE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW67BE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW67BE6327HTSA1 | Infineon | PNP 800mA 32V 330mW 200MHz BCW67B TBCW67b кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.8A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 379951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW67C | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW67C | INFINEON | 04+ DIP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW67C | INFINEON | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW67C | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 176900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW67CE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Collector current: 0.8A Collector-emitter voltage: 32V Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.33W Frequency: 200MHz Type of transistor: PNP | на замовлення 3010 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW67CE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Collector current: 0.8A Collector-emitter voltage: 32V Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.33W Frequency: 200MHz Type of transistor: PNP | на замовлення 3010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68 | INF | SOT23 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68 | NFINEON | 10+ SOT-23 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68 | INFINEON | 02+ QFP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68 | SIEMENS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW68/D6S | INF | на замовлення 2984 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW68E-6359 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW68E6327 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW68E6359HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANSISTOR AF SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68E6359HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW68E6359HTMA1 - TRANS BJTS SINGLE45V 800MA SOT23-3 TOR R tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68E6359HTMA1 | Infineon Technologies | BCW68E6359HTMA1 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68F | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68F | SMBT | на замовлення 342000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW68F | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68FE-6327DFs | INFINEON | 00+ SOT-23 | на замовлення 15100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68FE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68FE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68FE6327/DF | INF | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68FR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68FR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 161000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68FR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68FR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW68F/SOT23/TO-236AB | на замовлення 3973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68FR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68FR | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68FR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68FVL | Nexperia USA Inc. | Description: BCW68FSOT23TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68FVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68FVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68FVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW68F/SOT23/TO-236AB | на замовлення 8981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68FVL | Nexperia USA Inc. | Description: BCW68FSOT23TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68FVL | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68FVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68FVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68G | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68G | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BCW68G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68G | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 209660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW68G - TRANSISTOR,PNP,45V,0.8A,SOT23 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 44530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68G-ON | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 44530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68G-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68G-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 330mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Pulsed collector current: 1A Current gain: 50...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 2527 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68G-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN Plastic-Encapsulate Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68G-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 330mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Pulsed collector current: 1A Current gain: 50...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | на замовлення 2527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GE6327 | Infineon | PNP 800mA 45V 225mW 100MHz BCW68GLT3G, BCW68GLT1G, BCW68GE6327HTSA1, BCW68GE6327, BCW68G BCW68G TBCW68g кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GE6327 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GE6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GE6327 Код товару: 122761 | Infineon | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 200 MHz Uке, В: 45 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 1 А h21,max: 400 | у наявності 138 шт: 13 шт - склад44 шт - РАДІОМАГ-Львів 37 шт - РАДІОМАГ-Одеса 44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GE6327HTSA1 | Infineon | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW68GLT1 - TRANSISTOR, PNP SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1 | на замовлення 4100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW68GLT1 | onsemi | Description: TRANS PNP GP 45V 800MA SOT-23 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 120...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 5200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP | на замовлення 28316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 28838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 120...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GLT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 120...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GLT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW68GLT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 14518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GLT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 120...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GLT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR | на замовлення 8309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GR | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68GR | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 1A Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68GR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GR | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 1A Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW68G/SOT23/TO-236AB | на замовлення 6527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GTA | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BCW68GVL | Nexperia USA Inc. | Description: BCW68GSOT23TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW68G/SOT23/TO-236AB | на замовлення 11534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GVL | Nexperia USA Inc. | Description: BCW68GSOT23TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GVL | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68GVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68GVL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 139960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68GVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68G\GC | lnfineon | SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68G_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68H | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68H | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BCW68H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68H | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68H-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68H-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68H-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68H215 | Nexperia USA Inc. | Description: 45 V, 800MA PNP GENERAL-PURPOSE Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HE6327 | Infineon | Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=45 V; Ic=0,8 A; f=200MHz; Pdmax=0,3 W; hfe=250 @ 100mA, 1V | на замовлення 2840 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HE6327 Код товару: 118279 | Транзистори > Біполярні PNP | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW68HE6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 102350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 870000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HE6327HTSA1 | Infineon | PNP 800mA 45V 330mW 200MHz hfe250min (100mA) BCW68H smd TBCW68h кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP 45 V 800 mA | на замовлення 12625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HQTA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68HR - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HR | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 1A Current gain: 600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4776 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW68H/SOT23/TO-236AB | на замовлення 11706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HR | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68HR | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Pulsed collector current: 1A Current gain: 600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz | на замовлення 4776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HR | Nexperia Inc. | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB | на замовлення 105 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW68HR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HR транзистор Код товару: 204259 | Транзистори > Біполярні PNP | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BCW68HTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP Low Saturation | на замовлення 80112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HTA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 310mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Current gain: 250...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 5180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCW68HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 310mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Current gain: 250...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 662371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCW68HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 657000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 489000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HVL | Nexperia USA Inc. | Description: BCW68HSOT23TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 36523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68HVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 19050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HVL | Nexperia USA Inc. | Description: BCW68HSOT23TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW68H/SOT23/TO-236AB | на замовлення 114727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW68HVL | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW68HVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68HVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 19050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW69 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW69 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW69 | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BCW69,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 41338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW69,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP; Ptot, Вт = 0,25; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 120 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 2,5 мA, 50 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3 | на замовлення 264 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW69,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW69,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -45 V, -100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 260hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW69,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW69,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 260hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BCW69,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW69,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 90...260 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW69,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW69,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, -45 V, -100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 260hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BCW69,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній |