![BCW61AE6327HTSA1 BCW61AE6327HTSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/c0ddb12910782e88fe26033003a634dead8dd47d/sot23_lowres.jpg)
BCW61AE6327HTSA1 Infineon Technologies
![bcw61_bcx71.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45000+ | 3.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW61AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.
Інші пропозиції BCW61AE6327HTSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCW61AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
BCW61AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW |
товар відсутній |
|
![]() |
BCW61AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |