BCW68GLT1G

BCW68GLT1G ON Semiconductor


bcw68glt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW68GLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BCW68GLT1G за ціною від 1.18 грн до 14.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Виробник : ONSEMI 2354270.pdf Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.93 грн
9000+ 1.49 грн
24000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Виробник : onsemi bcw68glt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.03 грн
6000+ 1.85 грн
9000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw68glt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.09 грн
9000+ 1.61 грн
24000+ 1.46 грн
45000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw68glt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5495+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 5495
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Виробник : ONSEMI 2354270.pdf Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Виробник : ONSEMI bcw68glt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 120...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+10.14 грн
55+ 6.59 грн
108+ 3.36 грн
500+ 2.19 грн
585+ 1.44 грн
1608+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 39
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Виробник : onsemi bcw68glt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 30528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.03 грн
37+ 7.97 грн
100+ 4.33 грн
500+ 3.19 грн
1000+ 2.22 грн
Мінімальне замовлення: 25
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Виробник : onsemi BCW68GLT1_D-2310331.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP
на замовлення 28316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+12.09 грн
40+ 8.15 грн
100+ 3.27 грн
1000+ 1.95 грн
3000+ 1.67 грн
9000+ 1.32 грн
24000+ 1.18 грн
Мінімальне замовлення: 27
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Виробник : ONSEMI bcw68glt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 120...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+12.17 грн
33+ 8.21 грн
100+ 4.03 грн
500+ 2.62 грн
585+ 1.73 грн
1608+ 1.64 грн
9000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 24
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Виробник : ONSEMI 2354270.pdf Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+14.19 грн
82+ 9.51 грн
190+ 4.11 грн
500+ 3.74 грн
Мінімальне замовлення: 55
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw68glt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BCW68GLT1G BCW68GLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw68glt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній