BCW65CLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.42 грн |
| 6000+ | 2.16 грн |
| 9000+ | 1.79 грн |
| 30000+ | 1.65 грн |
| 75000+ | 1.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW65CLT1G onsemi
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCW65CLT1G за ціною від 1.46 грн до 15.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCW65CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW65CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW65CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 103497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 31270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW65CLT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN |
на замовлення 26502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 31270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW65CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |