Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (9314) > Сторінка 55 з 156
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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DMG1013T-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 107104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG1013UW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 40534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG1013UWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG1013UWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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US3M-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - US3M-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.8 V, 85 ns, 120 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.8V Sperrverzögerungszeit: 85ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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US3M-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - US3M-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.8 V, 85 ns, 120 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.8V Sperrverzögerungszeit: 85ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS84W-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 38994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AS358MTR-G1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AS358MTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: -V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 0.02µA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AS358MTR-G1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AS358MTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: -V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 0.02µA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AS358AMTR-G1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AS358AMTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: -V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 0.02µA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AS358AMTR-G1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AS358AMTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: -V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 0.02µA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM4040B25FTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM4040B25FTA - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, Shunt, fest, AEC-Q100 LM4040, 2.5V, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Referenzspannung, max.: 2.505V IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: 20ppm/C Eingangsspannung, max.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: LM4040 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, fest Anfangsgenauigkeit: 0.2% SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMBJ10CA-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMBJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 11.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 12.8V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 10V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 17V SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMBJ10CA-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMBJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 11.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 12.8V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 10V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 17V SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3099L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3099L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3099L-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 29645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3099L-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMC2400UV-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2400UV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.03A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.03A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 450mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 450mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM2902AQT14-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM2902AQT14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, TSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.3V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz Eingangsoffsetspannung: 1mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -20nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM2902AQT14-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM2902AQT14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, TSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.3V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz Eingangsoffsetspannung: 1mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -20nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM2902QS14-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM2902QS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85411000 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.3V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -20nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM2902AQS14-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM2902AQS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85411000 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.3V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz Eingangsoffsetspannung: 1mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -20nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM2902QS14-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM2902QS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85411000 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.3V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -20nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM2902AQS14-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM2902AQS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85411000 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.3V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz Eingangsoffsetspannung: 1mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -20nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT4403-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT4403-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 46615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT4403T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT4403T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBR20100CTF-G1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MBR20100CTF-G1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220F, 3 Pin(s), 850 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBR20100CT-G1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MBR20100CT-G1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220, 3 Pin(s), 850 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZMR250FTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZMR250FTA - Linearer Festspannungsregler, positiv, 6.5V bis 20Vin, 2.5Vout und 0.1Aout, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 100 Nominelle feste Ausgangsspannung: 2.5 usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Betriebstemperatur, min.: -55 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 20 Bauform - Linearregler: SOT-23 euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 6.5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1SMB5925B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1SMB5925B - Zener-Diode, 10 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5711WS-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1N5711WS-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 15 mA, 1 V, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 1ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5711 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1SMB5922B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1SMB5922B - Zener-Diode, 7.5 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 7.5V SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1SMB5921B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1SMB5921B - Zener-Diode, 6.8 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 211009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 31899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 31899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 23770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 200mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 23770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904FA-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904FZ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 925mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904FZ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 925mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904LP-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904LP-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3904FA-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMST3904-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMST3904-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 73571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906LP-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906FA-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906FZ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 925mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906FZ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 925mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906Q-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906Q-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBT3906FA-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2N7002K-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 132863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG1013T-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 107104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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500+ | 3.81 грн |
1500+ | 3.45 грн |
DMG1013UW-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 40534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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500+ | 4.69 грн |
1500+ | 4.24 грн |
DMG1013UWQ-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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27+ | 30.11 грн |
39+ | 21.01 грн |
103+ | 7.84 грн |
500+ | 5.7 грн |
1000+ | 3.8 грн |
5000+ | 3.72 грн |
DMG1013UWQ-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 21.01 грн |
103+ | 7.84 грн |
500+ | 5.7 грн |
1000+ | 3.8 грн |
5000+ | 3.72 грн |
US3M-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - US3M-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.8 V, 85 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Sperrverzögerungszeit: 85ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - US3M-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.8 V, 85 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Sperrverzögerungszeit: 85ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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16+ | 51.84 грн |
21+ | 40.17 грн |
US3M-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - US3M-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.8 V, 85 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Sperrverzögerungszeit: 85ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - US3M-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.8 V, 85 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Sperrverzögerungszeit: 85ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BSS84W-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
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500+ | 5.91 грн |
1500+ | 5.35 грн |
AS358MTR-G1 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AS358MTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - AS358MTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 35.18 грн |
35+ | 23.51 грн |
100+ | 10.3 грн |
500+ | 7.92 грн |
AS358MTR-G1 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AS358MTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - AS358MTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 10.3 грн |
500+ | 7.92 грн |
AS358AMTR-G1 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AS358AMTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - AS358AMTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 9.5 грн |
500+ | 7.92 грн |
1000+ | 6.73 грн |
AS358AMTR-G1 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AS358AMTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - AS358AMTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
62+ | 13.12 грн |
71+ | 11.43 грн |
100+ | 9.5 грн |
500+ | 7.92 грн |
1000+ | 6.73 грн |
LM4040B25FTA |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM4040B25FTA - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, Shunt, fest, AEC-Q100 LM4040, 2.5V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 2.505V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 20ppm/C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: LM4040
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, fest
Anfangsgenauigkeit: 0.2%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - LM4040B25FTA - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, Shunt, fest, AEC-Q100 LM4040, 2.5V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 2.505V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 20ppm/C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: LM4040
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, fest
Anfangsgenauigkeit: 0.2%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 79.7 грн |
13+ | 63.03 грн |
100+ | 43.95 грн |
500+ | 34.76 грн |
1000+ | 25.6 грн |
2500+ | 21.11 грн |
5000+ | 19.8 грн |
SMBJ10CA-13-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMBJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 12.8V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - SMBJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 12.8V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
26+ | 31.8 грн |
35+ | 23.67 грн |
100+ | 13.04 грн |
500+ | 10.91 грн |
1000+ | 6.07 грн |
SMBJ10CA-13-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMBJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 12.8V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - SMBJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 12.8V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 13.04 грн |
500+ | 10.91 грн |
1000+ | 6.07 грн |
DMP3099L-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
62+ | 13.04 грн |
81+ | 9.98 грн |
117+ | 6.9 грн |
500+ | 4.56 грн |
1500+ | 4.13 грн |
DMP3099L-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 4.56 грн |
1500+ | 4.13 грн |
DMP3099L-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 29645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28+ | 29.14 грн |
44+ | 18.52 грн |
106+ | 7.6 грн |
500+ | 5.51 грн |
1000+ | 3.66 грн |
5000+ | 3.58 грн |
DMP3099L-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 18.52 грн |
106+ | 7.6 грн |
500+ | 5.51 грн |
1000+ | 3.66 грн |
5000+ | 3.58 грн |
DMC2400UV-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2400UV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.03A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.03A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMC2400UV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.03A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.03A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 23.59 грн |
50+ | 16.34 грн |
100+ | 9.02 грн |
500+ | 5.91 грн |
1500+ | 5.35 грн |
LM2902AQT14-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM2902AQT14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - LM2902AQT14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 50.8 грн |
21+ | 38.56 грн |
100+ | 26 грн |
500+ | 20.71 грн |
1000+ | 14.84 грн |
LM2902AQT14-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM2902AQT14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - LM2902AQT14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 26 грн |
500+ | 20.71 грн |
1000+ | 14.84 грн |
LM2902QS14-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM2902QS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - LM2902QS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 53.37 грн |
20+ | 41.7 грн |
100+ | 27.93 грн |
500+ | 21.9 грн |
1000+ | 15.66 грн |
LM2902AQS14-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM2902AQS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - LM2902AQS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 50.8 грн |
20+ | 40.73 грн |
100+ | 27.85 грн |
500+ | 21.98 грн |
1000+ | 16.22 грн |
LM2902QS14-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM2902QS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - LM2902QS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 27.93 грн |
500+ | 21.9 грн |
1000+ | 15.66 грн |
LM2902AQS14-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM2902AQS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - LM2902AQS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 27.85 грн |
500+ | 21.98 грн |
1000+ | 16.22 грн |
MMBT4403-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT4403-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: DIODES INC. - MMBT4403-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 46615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
63+ | 12.96 грн |
91+ | 8.86 грн |
219+ | 3.69 грн |
500+ | 2.48 грн |
1000+ | 1.41 грн |
5000+ | 1.1 грн |
MMBT4403T-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 5.01 грн |
1000+ | 2.28 грн |
2000+ | 2.21 грн |
MMBT4403T-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 23.26 грн |
53+ | 15.38 грн |
129+ | 6.28 грн |
500+ | 5.01 грн |
1000+ | 2.28 грн |
2000+ | 2.21 грн |
MBR20100CTF-G1 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MBR20100CTF-G1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220F, 3 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MBR20100CTF-G1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220F, 3 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 47.41 грн |
MBR20100CT-G1 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MBR20100CT-G1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220, 3 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MBR20100CT-G1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220, 3 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)ZMR250FTA |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZMR250FTA - Linearer Festspannungsregler, positiv, 6.5V bis 20Vin, 2.5Vout und 0.1Aout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 100
Nominelle feste Ausgangsspannung: 2.5
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -55
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 20
Bauform - Linearregler: SOT-23
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 6.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: DIODES INC. - ZMR250FTA - Linearer Festspannungsregler, positiv, 6.5V bis 20Vin, 2.5Vout und 0.1Aout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 100
Nominelle feste Ausgangsspannung: 2.5
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -55
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 20
Bauform - Linearregler: SOT-23
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 6.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 79.37 грн |
14+ | 58.93 грн |
100+ | 45.32 грн |
1SMB5925B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1SMB5925B - Zener-Diode, 10 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - 1SMB5925B - Zener-Diode, 10 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 37.84 грн |
29+ | 28.5 грн |
100+ | 15.46 грн |
500+ | 12.86 грн |
1000+ | 6.31 грн |
1N5711WS-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1N5711WS-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 15 mA, 1 V, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 1ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5711
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - 1N5711WS-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 15 mA, 1 V, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 1ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5711
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 34.53 грн |
35+ | 23.59 грн |
100+ | 12.4 грн |
500+ | 9.19 грн |
1000+ | 6.77 грн |
5000+ | 6.63 грн |
1SMB5922B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1SMB5922B - Zener-Diode, 7.5 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - 1SMB5922B - Zener-Diode, 7.5 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 37.11 грн |
29+ | 28.34 грн |
100+ | 15.21 грн |
500+ | 13.08 грн |
1000+ | 6.25 грн |
5000+ | 6.12 грн |
1SMB5921B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1SMB5921B - Zener-Diode, 6.8 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - 1SMB5921B - Zener-Diode, 6.8 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 37.11 грн |
29+ | 28.34 грн |
100+ | 15.21 грн |
MMBT3904-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 211009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
133+ | 6.05 грн |
185+ | 4.37 грн |
301+ | 2.68 грн |
500+ | 1.5 грн |
1500+ | 1.35 грн |
MMBT3904T-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
98+ | 8.29 грн |
131+ | 6.19 грн |
197+ | 4.09 грн |
500+ | 2.41 грн |
1500+ | 2.19 грн |
MMBT3904T-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.41 грн |
1500+ | 2.19 грн |
MMBT3904LP-7B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 23770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 21.65 грн |
69+ | 11.67 грн |
250+ | 9.42 грн |
1000+ | 6.7 грн |
5000+ | 6.06 грн |
MMBT3904LP-7B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 23770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 11.67 грн |
250+ | 9.42 грн |
1000+ | 6.7 грн |
5000+ | 6.06 грн |
MMBT3904FA-7B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 12.24 грн |
500+ | 9.19 грн |
1000+ | 6.42 грн |
5000+ | 6.29 грн |
MMBT3904FZ-7B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 18.35 грн |
500+ | 11.29 грн |
1000+ | 7.24 грн |
5000+ | 7.11 грн |
MMBT3904FZ-7B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 35.34 грн |
28+ | 29.62 грн |
100+ | 18.35 грн |
500+ | 11.29 грн |
1000+ | 7.24 грн |
5000+ | 7.11 грн |
MMBT3904LP-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
49+ | 16.66 грн |
67+ | 12.08 грн |
108+ | 7.48 грн |
500+ | 6.04 грн |
1500+ | 4.73 грн |
MMBT3904LP-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 6.04 грн |
1500+ | 4.73 грн |
MMBT3904FA-7B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 32.6 грн |
32+ | 25.2 грн |
100+ | 12.24 грн |
500+ | 9.19 грн |
1000+ | 6.42 грн |
5000+ | 6.29 грн |
MMST3904-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMST3904-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMST3904-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 23.99 грн |
50+ | 16.26 грн |
127+ | 6.38 грн |
500+ | 4.35 грн |
1000+ | 2.55 грн |
MMBT3906-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 73571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
126+ | 6.41 грн |
170+ | 4.76 грн |
260+ | 3.1 грн |
500+ | 1.85 грн |
1500+ | 1.68 грн |
MMBT3906T-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3906T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 21.57 грн |
57+ | 14.17 грн |
148+ | 5.44 грн |
500+ | 3.89 грн |
MMBT3906LP-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 23.26 грн |
50+ | 16.26 грн |
120+ | 6.76 грн |
500+ | 5.52 грн |
1000+ | 4.38 грн |
MMBT3906FA-7B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 25.28 грн |
64+ | 12.72 грн |
250+ | 9.58 грн |
1000+ | 5.91 грн |
5000+ | 5.38 грн |
MMBT3906FZ-7B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 35.18 грн |
28+ | 29.38 грн |
100+ | 18.27 грн |
500+ | 13.31 грн |
1000+ | 8.49 грн |
MMBT3906FZ-7B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 18.27 грн |
500+ | 13.31 грн |
1000+ | 8.49 грн |
MMBT3906T-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3906T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 3.89 грн |
MMBT3906LP-7B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
72+ | 11.27 грн |
94+ | 8.61 грн |
179+ | 4.51 грн |
500+ | 3.96 грн |
1000+ | 3.52 грн |
5000+ | 3.31 грн |
MMBT3906Q-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.89 грн |
1000+ | 1.45 грн |
MMBT3906Q-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
55+ | 14.65 грн |
82+ | 9.82 грн |
178+ | 4.54 грн |
500+ | 2.89 грн |
1000+ | 1.45 грн |
MMBT3906LP-7B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 8.61 грн |
179+ | 4.51 грн |
500+ | 3.96 грн |
1000+ | 3.52 грн |
5000+ | 3.31 грн |
MMBT3906FA-7B |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 12.72 грн |
250+ | 9.58 грн |
1000+ | 5.91 грн |
5000+ | 5.38 грн |
2N7002K-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - 2N7002K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 132863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.99 грн |
1500+ | 2.7 грн |