Продукція > DIODES ZETEX > MMBT3904LP-7
MMBT3904LP-7

MMBT3904LP-7 Diodes Zetex

ds31835.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+3.96 грн
12000+ 3.93 грн
15000+ 3.88 грн
24000+ 3.71 грн
30000+ 3.4 грн
75000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 9000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3904LP-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT3904LP-7 за ціною від 3.48 грн до 21.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31835.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1353000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.2 грн
6000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Zetex ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+4.27 грн
12000+ 4.23 грн
15000+ 4.18 грн
24000+ 3.99 грн
30000+ 3.66 грн
75000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Zetex ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Zetex ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Zetex ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 1239000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009631869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5.97 грн
1500+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009631869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+17.27 грн
65+ 12.3 грн
107+ 7.4 грн
500+ 5.97 грн
1500+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 46
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31835.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+18.13 грн
31+ 12.01 грн
39+ 9.55 грн
50+ 7.86 грн
100+ 6.54 грн
211+ 4.06 грн
579+ 3.84 грн
Мінімальне замовлення: 22
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31835.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1357086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.01 грн
23+ 13.03 грн
100+ 6.56 грн
500+ 5.46 грн
1000+ 4.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31835-3215659.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
на замовлення 37120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.58 грн
24+ 13.9 грн
100+ 5.69 грн
1000+ 4.43 грн
3000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31835.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.76 грн
19+ 14.96 грн
25+ 11.46 грн
50+ 9.44 грн
100+ 7.85 грн
211+ 4.87 грн
579+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 14
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Zetex ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Zetex ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Виробник : Diodes Inc 40196171966665184ds31835.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товар відсутній