MMBT3906LP-7B

MMBT3906LP-7B Diodes Incorporated


MMBT3906LP.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.6 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT3906LP-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT3906LP-7B за ціною від 5.06 грн до 31.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT3906LP-7B MMBT3906LP-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0001002688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.55 грн
500+ 8.67 грн
1000+ 6.04 грн
5000+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBT3906LP-7B MMBT3906LP-7B Виробник : Diodes Incorporated MMBT3906LP.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 73371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+18.31 грн
22+ 13.74 грн
100+ 8.27 грн
500+ 7.19 грн
1000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
MMBT3906LP-7B MMBT3906LP-7B Виробник : Diodes Incorporated MMBT3906LP.pdf Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 9512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+19.92 грн
22+ 15.17 грн
100+ 7.34 грн
1000+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 17
MMBT3906LP-7B MMBT3906LP-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0001002688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+31.26 грн
34+ 23.74 грн
100+ 11.55 грн
500+ 8.67 грн
1000+ 6.04 грн
5000+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 26
MMBT3906LP-7B MMBT3906LP-7B Виробник : Diodes Inc 381ds31836.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товар відсутній
MMBT3906LP-7B MMBT3906LP-7B Виробник : Diodes Zetex mmbt3906lp.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
товар відсутній