Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BXT1000N06M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3 Mounting: SMD Drain current: 2A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Case: SOT23-3 Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT1150N10D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12.8A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 78W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT1150N10D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12.8A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 78W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT1150N10J | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 2W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BXT1150N10J | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 2W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BXT1700P06M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT23-3 Power dissipation: 1.5W Gate charge: 22nC Drain current: -2.8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.17Ω Pulsed drain current: -16A |
на замовлення 6285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT1700P06M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT23-3 Power dissipation: 1.5W Gate charge: 22nC Drain current: -2.8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.17Ω Pulsed drain current: -16A кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BXT170N06D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 94W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BXT170N06D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 94W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
BXT230P03B | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOP8 Gate charge: 28nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 34mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.9W |
на замовлення 3264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT230P03B | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOP8 Gate charge: 28nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 34mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.9W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT270N02M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 1W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT270N02M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 1W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7173 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BXT2800N10M | BRIDGELUX | BXT2800N10M SMD N channel transistors |
на замовлення 5390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BXT280N02B | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 1.6W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT280N02B | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 1.6W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3032 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT2N7002BK | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 16110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT2N7002BK | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT330N06D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: TO252 Gate charge: 24.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27.8W |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT330N06D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: TO252 Gate charge: 24.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27.8W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT3800P06M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.1A; Idm: -12A; 1.2W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.2W Gate charge: 11nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Case: SOT23-3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.1A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BXT3800P06M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.1A; Idm: -12A; 1.2W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.2W Gate charge: 11nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Case: SOT23-3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.1A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BXT420N03M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3 Mounting: SMD Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 16A Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23-3 On-state resistance: 70mΩ Drain current: 2.6A Drain-source voltage: 30V |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT420N03M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3 Mounting: SMD Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 16A Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23-3 On-state resistance: 70mΩ Drain current: 2.6A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BXT520P02M | BRIDGELUX | BXT520P02M SMD P channel transistors |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BXT600P03M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23-3 On-state resistance: 85mΩ Pulsed drain current: -16.4A Type of transistor: P-MOSFET Drain current: -2.7A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 1.51W Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT600P03M | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23-3 On-state resistance: 85mΩ Pulsed drain current: -16.4A Type of transistor: P-MOSFET Drain current: -2.7A Drain-source voltage: -30V Power dissipation: 1.51W Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT900P06D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: TO252 Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXT900P06D | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: TO252 Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BXW10M1K2H | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W Polarisation: unipolar On-state resistance: 610mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 80.6W Kind of package: tube Gate charge: 29nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -3...20V Pulsed drain current: 40A Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BXW10M1K2H | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W Polarisation: unipolar On-state resistance: 610mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 80.6W Kind of package: tube Gate charge: 29nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -3...20V Pulsed drain current: 40A Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BXW18M1K2H | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT On-state resistance: 345mΩ Kind of package: tube Power dissipation: 96.9W Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -3...20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 18A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BXW18M1K2H | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT On-state resistance: 345mΩ Kind of package: tube Power dissipation: 96.9W Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -3...20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 18A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 100 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BXW3M1K7H | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 69W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -3...20V On-state resistance: 1.69Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BXW3M1K7H | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 69W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -3...20V On-state resistance: 1.69Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BXW60M1K2J | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 240A; 271.7W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 170nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -3...18V Pulsed drain current: 240A Mounting: THT Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 60A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 271.7W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BXW60M1K2J | BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 240A; 271.7W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 170nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -3...18V Pulsed drain current: 240A Mounting: THT Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 60A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 271.7W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
OLMA-40C000-A01A-AA000 | Bridgelux |
![]() |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
OLMA-40C000-A06A-AA000 | Bridgelux |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
OLMA-40E000-A01A-AA000 | Bridgelux |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
OLMA-40E000-A06A-AA000 | Bridgelux |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
OLMA-50C000-A01A-AA000 | Bridgelux |
![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
OLMA-50C000-A06A-AA000 | Bridgelux |
![]() |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
OLMA-56C000-A01A-AA000 | Bridgelux |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
OLMA-56C000-A06A-AA000 | Bridgelux |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
OLMB-40C000-A01A-AA000 | Bridgelux |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
OLMB-40C000-A06A-AA000 | Bridgelux |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
OLMB-56C000-A01A-AA000 | Bridgelux | Description: MODULE LED OLM 5600K 70CRI |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
OLMB-56C000-A06A-AA000 | Bridgelux | Description: MODULE LED OLM 5600K 70CRI |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
Світлодіод 5,8W, білий теплий BXRE-30E0800-D-73 BRIDGELUX Код товару: 154398 |
BRIDGELUX |
![]() Колір: Білий теплий Тип: 12,5x12,5x1,7 mm Потужність: 5,8 W Падіння напруги: 16,7 V Струм: 350 mA Кут свічення: 120° Колірна температура: 3000 K |
у наявності: 4 шт
|
|
||||||||||||||||
![]() |
Светодиод smd5050 5Вт 9В, белый нейтральный (4000K), Bridgelux ( BXEP-40E-435-09A-00-00-0) Код товару: 183236 |
Bridgelux |
![]() Колір: білий нейтральний Розмір: 5050 Падіння напруги: 9 V Сила світла: 545 lm Кут свічення: 116° Температура свічення: 4000 K Примітка: Потужний 5W |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
Светодиод smd5050 5Вт 9В, белый теплый (3000K), Bridgelux (BXEP-30E-435-09A-00-00-0) Код товару: 183235 |
BRIDGELUX |
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD Колір: білий теплий Розмір: 5050 Лінза: жовта, матова Падіння напруги: 9 V Сила світла: 522 lm Кут свічення: 116° Температура свічення: 3000 K Примітка: Потужний 5W |
товар відсутній
|
BXT1000N06M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Mounting: SMD
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Mounting: SMD
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 18.34 грн |
21+ | 12.91 грн |
100+ | 8.32 грн |
402+ | 2.46 грн |
1105+ | 2.32 грн |
BXT1150N10D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 19.1 грн |
24+ | 14.9 грн |
30+ | 11.92 грн |
100+ | 10.64 грн |
128+ | 6.46 грн |
352+ | 6.1 грн |
BXT1150N10D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 22.92 грн |
15+ | 18.56 грн |
25+ | 14.3 грн |
100+ | 12.77 грн |
128+ | 7.75 грн |
352+ | 7.32 грн |
BXT1150N10J |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT1150N10J |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT1700P06M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23-3
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 22nC
Drain current: -2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: -16A
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23-3
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 22nC
Drain current: -2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: -16A
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 13.14 грн |
45+ | 8.51 грн |
100+ | 5.68 грн |
175+ | 4.66 грн |
480+ | 4.41 грн |
BXT1700P06M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23-3
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 22nC
Drain current: -2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: -16A
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23-3
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 22nC
Drain current: -2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.17Ω
Pulsed drain current: -16A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 15.77 грн |
25+ | 10.61 грн |
100+ | 6.81 грн |
175+ | 5.6 грн |
480+ | 5.29 грн |
BXT170N06D |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXT170N06D |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; Idm: 200A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXT230P03B |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 24.45 грн |
19+ | 18.94 грн |
25+ | 16.17 грн |
100+ | 12.91 грн |
122+ | 6.81 грн |
335+ | 6.46 грн |
BXT230P03B |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 29.34 грн |
12+ | 23.6 грн |
25+ | 19.41 грн |
100+ | 15.49 грн |
122+ | 8.17 грн |
335+ | 7.75 грн |
BXT270N02M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 23.68 грн |
33+ | 11.07 грн |
46+ | 7.78 грн |
100+ | 5.52 грн |
250+ | 2.77 грн |
500+ | 2.09 грн |
528+ | 1.54 грн |
1451+ | 1.46 грн |
BXT270N02M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 28.42 грн |
20+ | 13.79 грн |
28+ | 9.33 грн |
100+ | 6.62 грн |
250+ | 3.32 грн |
500+ | 2.5 грн |
528+ | 1.85 грн |
BXT2800N10M |
Виробник: BRIDGELUX
BXT2800N10M SMD N channel transistors
BXT2800N10M SMD N channel transistors
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 7.42 грн |
350+ | 2.84 грн |
960+ | 2.69 грн |
BXT280N02B |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 14.52 грн |
34+ | 10.57 грн |
40+ | 9.08 грн |
100+ | 7.25 грн |
220+ | 3.76 грн |
603+ | 3.55 грн |
BXT280N02B |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 17.42 грн |
21+ | 13.17 грн |
25+ | 10.9 грн |
100+ | 8.7 грн |
220+ | 4.51 грн |
603+ | 4.26 грн |
BXT2N7002BK |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
57+ | 6.78 грн |
117+ | 3.05 грн |
172+ | 2.07 грн |
212+ | 1.67 грн |
281+ | 1.26 грн |
500+ | 1.14 грн |
949+ | 0.87 грн |
2611+ | 0.82 грн |
BXT2N7002BK |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; Idm: 1.8A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 8.13 грн |
70+ | 3.8 грн |
103+ | 2.49 грн |
128+ | 2.01 грн |
250+ | 1.52 грн |
500+ | 1.36 грн |
949+ | 1.05 грн |
BXT330N06D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Gate charge: 24.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.8W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Gate charge: 24.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.8W
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 19.1 грн |
26+ | 13.83 грн |
33+ | 11 грн |
100+ | 9.86 грн |
143+ | 5.82 грн |
391+ | 5.46 грн |
BXT330N06D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Gate charge: 24.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.8W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Gate charge: 24.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.8W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 22.92 грн |
16+ | 17.24 грн |
25+ | 13.2 грн |
100+ | 11.83 грн |
143+ | 6.98 грн |
391+ | 6.55 грн |
BXT3800P06M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.1A; Idm: -12A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.1A; Idm: -12A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
BXT3800P06M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.1A; Idm: -12A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.1A; Idm: -12A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.1A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BXT420N03M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 2.6A
Drain-source voltage: 30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 2.6A
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 11.46 грн |
68+ | 5.25 грн |
98+ | 3.63 грн |
122+ | 2.91 грн |
250+ | 2.6 грн |
500+ | 2.18 грн |
548+ | 1.5 грн |
1505+ | 1.42 грн |
BXT420N03M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 2.6A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
On-state resistance: 70mΩ
Drain current: 2.6A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 13.75 грн |
41+ | 6.54 грн |
59+ | 4.36 грн |
100+ | 3.49 грн |
250+ | 3.12 грн |
500+ | 2.62 грн |
548+ | 1.8 грн |
BXT520P02M |
Виробник: BRIDGELUX
BXT520P02M SMD P channel transistors
BXT520P02M SMD P channel transistors
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
41+ | 6.8 грн |
420+ | 2.39 грн |
1150+ | 2.26 грн |
BXT600P03M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
On-state resistance: 85mΩ
Pulsed drain current: -16.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
On-state resistance: 85mΩ
Pulsed drain current: -16.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 16.04 грн |
49+ | 7.38 грн |
70+ | 5.14 грн |
100+ | 4.11 грн |
250+ | 3.67 грн |
384+ | 2.15 грн |
1056+ | 2.04 грн |
BXT600P03M |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
On-state resistance: 85mΩ
Pulsed drain current: -16.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
On-state resistance: 85mΩ
Pulsed drain current: -16.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2.7A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 19.25 грн |
29+ | 9.19 грн |
42+ | 6.16 грн |
100+ | 4.93 грн |
250+ | 4.4 грн |
384+ | 2.58 грн |
1056+ | 2.44 грн |
BXT900P06D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 40.49 грн |
17+ | 22.06 грн |
25+ | 18.8 грн |
100+ | 15.04 грн |
101+ | 8.16 грн |
278+ | 7.73 грн |
BXT900P06D |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 48.59 грн |
10+ | 27.49 грн |
25+ | 22.56 грн |
100+ | 18.05 грн |
101+ | 9.79 грн |
278+ | 9.28 грн |
BXW10M1K2H |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 610mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80.6W
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 610mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80.6W
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
товар відсутній
BXW10M1K2H |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 610mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80.6W
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 610mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80.6W
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXW18M1K2H |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 345mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 96.9W
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 345mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 96.9W
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній
BXW18M1K2H |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 345mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 96.9W
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 100 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 345mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 96.9W
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 100 шт
товар відсутній
BXW3M1K7H |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -3...20V
On-state resistance: 1.69Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -3...20V
On-state resistance: 1.69Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BXW3M1K7H |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -3...20V
On-state resistance: 1.69Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 12A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -3...20V
On-state resistance: 1.69Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BXW60M1K2J |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 240A; 271.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 170nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...18V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 271.7W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 240A; 271.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 170nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...18V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 271.7W
товар відсутній
BXW60M1K2J |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 240A; 271.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 170nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...18V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 271.7W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 240A; 271.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 170nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...18V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 271.7W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
OLMA-40C000-A01A-AA000 |
![]() |
Виробник: Bridgelux
Description: LED MOD OLM 4000K 70CRI A01A
Description: LED MOD OLM 4000K 70CRI A01A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)OLMA-40C000-A06A-AA000 |
![]() |
Виробник: Bridgelux
Description: LED MOD OLM 4000K 70CRI A06A
Description: LED MOD OLM 4000K 70CRI A06A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)OLMA-50C000-A01A-AA000 |
![]() |
Виробник: Bridgelux
Description: LED MOD OLM 5000K 70CRI A01A
Description: LED MOD OLM 5000K 70CRI A01A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)OLMA-50C000-A06A-AA000 |
![]() |
Виробник: Bridgelux
Description: LED MOD OLM 5000K 70CRI A06A
Description: LED MOD OLM 5000K 70CRI A06A
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Світлодіод 5,8W, білий теплий BXRE-30E0800-D-73 BRIDGELUX Код товару: 154398 |
![]() |
Виробник: BRIDGELUX
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра потужні
Колір: Білий теплий
Тип: 12,5x12,5x1,7 mm
Потужність: 5,8 W
Падіння напруги: 16,7 V
Струм: 350 mA
Кут свічення: 120°
Колірна температура: 3000 K
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра потужні
Колір: Білий теплий
Тип: 12,5x12,5x1,7 mm
Потужність: 5,8 W
Падіння напруги: 16,7 V
Струм: 350 mA
Кут свічення: 120°
Колірна температура: 3000 K
у наявності: 4 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 149 грн |
Светодиод smd5050 5Вт 9В, белый нейтральный (4000K), Bridgelux ( BXEP-40E-435-09A-00-00-0) Код товару: 183236 |
![]() |
Виробник: Bridgelux
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
Колір: білий нейтральний
Розмір: 5050
Падіння напруги: 9 V
Сила світла: 545 lm
Кут свічення: 116°
Температура свічення: 4000 K
Примітка: Потужний 5W
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
Колір: білий нейтральний
Розмір: 5050
Падіння напруги: 9 V
Сила світла: 545 lm
Кут свічення: 116°
Температура свічення: 4000 K
Примітка: Потужний 5W
товар відсутній
Светодиод smd5050 5Вт 9В, белый теплый (3000K), Bridgelux (BXEP-30E-435-09A-00-00-0) Код товару: 183235 |
Виробник: BRIDGELUX
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
Колір: білий теплий
Розмір: 5050
Лінза: жовта, матова
Падіння напруги: 9 V
Сила світла: 522 lm
Кут свічення: 116°
Температура свічення: 3000 K
Примітка: Потужний 5W
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра SMD
Колір: білий теплий
Розмір: 5050
Лінза: жовта, матова
Падіння напруги: 9 V
Сила світла: 522 lm
Кут свічення: 116°
Температура свічення: 3000 K
Примітка: Потужний 5W
товар відсутній