BXT230P03B BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
на замовлення 3264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 24.45 грн |
19+ | 18.94 грн |
25+ | 16.17 грн |
100+ | 12.91 грн |
122+ | 6.81 грн |
335+ | 6.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT230P03B BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Case: SOP8, Gate charge: 28nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -40A, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -7A, On-state resistance: 34mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 3.9W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXT230P03B за ціною від 7.75 грн до 29.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BXT230P03B | Виробник : BRIDGELUX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOP8 Gate charge: 28nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 34mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.9W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|