BXT1000N06M

BXT1000N06M BRIDGELUX


BXT1000N06M.pdf Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Mounting: SMD
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+15.28 грн
35+ 10.36 грн
100+ 6.93 грн
402+ 2.05 грн
1105+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 25
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXT1000N06M BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3, Mounting: SMD, Drain current: 2A, On-state resistance: 0.11Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 5.2nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 12A, Case: SOT23-3, Drain-source voltage: 60V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXT1000N06M за ціною від 2.32 грн до 18.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BXT1000N06M BXT1000N06M Виробник : BRIDGELUX BXT1000N06M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Mounting: SMD
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+18.34 грн
21+ 12.91 грн
100+ 8.32 грн
402+ 2.46 грн
1105+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 15