BXT330N06D BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Gate charge: 24.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.8W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Gate charge: 24.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27.8W
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 19.1 грн |
26+ | 13.83 грн |
33+ | 11 грн |
100+ | 9.86 грн |
143+ | 5.82 грн |
391+ | 5.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT330N06D BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Case: TO252, Gate charge: 24.5nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 80A, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 14A, On-state resistance: 45mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 27.8W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXT330N06D за ціною від 6.55 грн до 22.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BXT330N06D | Виробник : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 80A; 27.8W; TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: TO252 Gate charge: 24.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27.8W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXT330N06D Код товару: 197512 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|