Результат пошуку "2N7000" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N7000 2N7000
Код товару: 200238 		CJ 2N7000-datasheetjcet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 743 шт
452 шт - склад
61 шт - РАДІОМАГ-Київ
197 шт - РАДІОМАГ-Львів
33 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N7000 2N7000
Код товару: 20638 		NXP 2N7000-D.PDF Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності: 856 шт
822 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
3+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N7000 2N7000 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.03 грн
16+23.09 грн
25+15.30 грн
94+8.87 грн
259+8.37 грн
2000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7000 2N7000 LUGUANG ELECTRONIC 2N7000-LGE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Kind of package: bulk
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
85+4.62 грн
130+2.85 грн
250+2.55 грн
380+2.19 грн
1045+2.07 грн
3000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 85
2N7000 2N7000 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 22171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+10.78 грн
55+6.58 грн
100+4.45 грн
374+2.22 грн
1028+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 36
2N7000 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
на замовлення 301 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
42+7.02 грн
50+5.43 грн
100+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 42
2N7000 Fairchild/ON Semiconductor ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
10+62.40 грн
100+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000 2N7000 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+12.94 грн
33+8.20 грн
100+5.34 грн
374+2.67 грн
1028+2.52 грн
24000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7000 2N7000 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+36.04 грн
10+28.78 грн
25+18.36 грн
94+10.64 грн
259+10.04 грн
2000+9.95 грн
10000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7000 Aptina Imaging ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 6608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+26.21 грн
888+13.85 грн
1131+10.87 грн
2500+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 469
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.16 грн
8000+2.77 грн
12000+2.62 грн
20000+2.31 грн
28000+2.22 грн
40000+2.13 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 6626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.20 грн
26+24.30 грн
100+12.84 грн
1000+9.72 грн
2500+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 22171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3199+3.84 грн
8000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3199
2N7000 Aptina Imaging ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+13.20 грн
2500+12.11 грн
5000+11.93 грн
7500+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 932
2N7000 2N7000 DIOTEC 4400006.pdf Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000 2N7000 onsemi / Fairchild ONSM_S_A0018755274_1-3326336.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET 60V 200mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
на замовлення 144181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.55 грн
15+22.18 грн
100+10.23 грн
1000+8.44 грн
2500+7.76 грн
50000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 115304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+12.62 грн
36+8.15 грн
100+5.48 грн
500+3.92 грн
1000+3.51 грн
2000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.96 грн
65+9.38 грн
66+9.29 грн
100+8.83 грн
250+8.09 грн
500+4.04 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 69648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.23 грн
27+22.97 грн
100+12.14 грн
1000+9.19 грн
2500+7.83 грн
10000+7.11 грн
50000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7000 2N7000 ONSEMI ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.35 грн
29+27.41 грн
100+13.24 грн
500+10.51 грн
1000+8.05 грн
5000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7000 Aptina Imaging ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 27168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3034+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 3034
2N7000 2N7000 DIOTEC 4400006.pdf Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+4.54 грн
176+4.39 грн
182+4.24 грн
500+3.29 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 170
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.65 грн
8000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000 Aptina Imaging ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 132326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3034+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 3034
2N7000 2N7000 onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 11736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.06 грн
12+25.45 грн
100+16.28 грн
500+11.56 грн
1000+10.36 грн
2000+9.35 грн
5000+8.11 грн
10000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
на замовлення 72754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.37 грн
36+8.84 грн
100+5.15 грн
500+3.98 грн
1000+3.09 грн
4000+2.81 грн
8000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1247+9.86 грн
1260+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 1247
2N7000 Aptina Imaging ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 69648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 334
2N7000 LGE ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6270 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 400
2N7000 DIOTEC ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.02 грн
28+12.94 грн
50+10.22 грн
100+9.30 грн
112+7.44 грн
308+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.02 грн
17+16.13 грн
50+12.27 грн
100+11.15 грн
112+8.92 грн
308+8.41 грн
1500+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI 2304304.pdf Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.79 грн
50+20.33 грн
100+15.78 грн
500+11.01 грн
1000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 32
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.40 грн
4000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z onsemi / Fairchild ONSM_S_A0018755274_1-3326336.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 22486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.55 грн
18+17.68 грн
100+11.39 грн
500+8.79 грн
1000+7.96 грн
2000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.27 грн
4000+7.20 грн
6000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+6.87 грн
4000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.09 грн
4000+9.95 грн
6000+9.80 грн
8000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 16074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.12 грн
13+22.31 грн
100+14.20 грн
500+10.03 грн
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.93 грн
4000+7.80 грн
6000+7.39 грн
10000+6.50 грн
14000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7000-D74Z 2N7000-D74Z onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.58 грн
12+24.95 грн
100+15.94 грн
500+11.30 грн
1000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7000-D74Z 2N7000-D74Z onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.79 грн
4000+8.56 грн
6000+8.11 грн
10000+7.15 грн
14000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D74Z 2N7000-D74Z onsemi / Fairchild NDS7002A_D-2317584.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 28984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.72 грн
15+21.63 грн
100+9.27 грн
1000+7.14 грн
2000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+24.64 грн
22+16.95 грн
29+12.73 грн
100+9.87 грн
113+7.36 грн
310+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.57 грн
13+21.12 грн
25+15.27 грн
100+11.84 грн
113+8.84 грн
310+8.41 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.57 грн
4000+7.48 грн
6000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z onsemi / Fairchild ONSM_S_A0018755274_1-3326336.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.27 грн
18+18.55 грн
100+8.51 грн
1000+7.69 грн
2000+5.97 грн
10000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.38 грн
14+21.52 грн
100+13.66 грн
500+9.64 грн
1000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-G 2N7000-G MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Kind of package: bulk
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.75 грн
14+26.96 грн
15+25.10 грн
35+24.31 грн
94+22.88 грн
100+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7000-G 2N7000-G MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+69.30 грн
8+33.59 грн
10+30.12 грн
35+29.17 грн
94+27.46 грн
100+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 6968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.64 грн
25+28.57 грн
100+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.08 грн
18+34.51 грн
25+31.04 грн
50+29.63 грн
100+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 4034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.02 грн
18+34.45 грн
25+31.00 грн
50+29.59 грн
100+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+25.29 грн
500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 486
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 321
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+45.08 грн
500+33.57 грн
1000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 273
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology 2N7000_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3441670.pdf MOSFETs 60V 5Ohm
на замовлення 8569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.44 грн
25+26.29 грн
100+23.61 грн
250+23.47 грн
500+21.55 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000-G 2N7000-G MICROCHIP 2337817.pdf Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.96 грн
25+31.34 грн
100+26.64 грн
1000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7000
Код товару: 200238		 2N7000-datasheetjcet.pdf
2N7000
Виробник: CJ
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 743 шт
452 шт - склад
61 шт - РАДІОМАГ-Київ
197 шт - РАДІОМАГ-Львів
33 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N7000
Код товару: 20638		 2N7000-D.PDF
2N7000
Виробник: NXP
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності: 856 шт
822 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
3+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N7000 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+30.03 грн
16+23.09 грн
25+15.30 грн
94+8.87 грн
259+8.37 грн
2000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N7000 2N7000-LGE-DTE.pdf
2N7000
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Kind of package: bulk
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
85+4.62 грн
130+2.85 грн
250+2.55 грн
380+2.19 грн
1045+2.07 грн
3000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 85
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 22171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+10.78 грн
55+6.58 грн
100+4.45 грн
374+2.22 грн
1028+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 36
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Виробник: Fairchild Semiconductor
Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
на замовлення 301 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
42+7.02 грн
50+5.43 грн
100+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 42
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
10+62.40 грн
100+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+12.94 грн
33+8.20 грн
100+5.34 грн
374+2.67 грн
1028+2.52 грн
24000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N7000 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+36.04 грн
10+28.78 грн
25+18.36 грн
94+10.64 грн
259+10.04 грн
2000+9.95 грн
10000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 6608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
469+26.21 грн
888+13.85 грн
1131+10.87 грн
2500+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 469
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+3.16 грн
8000+2.77 грн
12000+2.62 грн
20000+2.31 грн
28000+2.22 грн
40000+2.13 грн
100000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000 nds7002a-d.pdf
2N7000
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 6626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+36.20 грн
26+24.30 грн
100+12.84 грн
1000+9.72 грн
2500+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 22171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3199+3.84 грн
8000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3199
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
932+13.20 грн
2500+12.11 грн
5000+11.93 грн
7500+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 932
2N7000 4400006.pdf
2N7000
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000 ONSM_S_A0018755274_1-3326336.pdf
2N7000
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Small Signal MOSFET 60V 200mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92
на замовлення 144181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.55 грн
15+22.18 грн
100+10.23 грн
1000+8.44 грн
2500+7.76 грн
50000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 115304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+12.62 грн
36+8.15 грн
100+5.48 грн
500+3.92 грн
1000+3.51 грн
2000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+23.96 грн
65+9.38 грн
66+9.29 грн
100+8.83 грн
250+8.09 грн
500+4.04 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 26
2N7000 nds7002a-d.pdf
2N7000
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 69648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+34.23 грн
27+22.97 грн
100+12.14 грн
1000+9.19 грн
2500+7.83 грн
10000+7.11 грн
50000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N7000 ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7000
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.35 грн
29+27.41 грн
100+13.24 грн
500+10.51 грн
1000+8.05 грн
5000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 27168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3034+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 3034
2N7000 4400006.pdf
2N7000
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+4.54 грн
176+4.39 грн
182+4.24 грн
500+3.29 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 170
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.65 грн
8000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 132326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3034+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 3034
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000
Виробник: onsemi
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 11736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.06 грн
12+25.45 грн
100+16.28 грн
500+11.56 грн
1000+10.36 грн
2000+9.35 грн
5000+8.11 грн
10000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
2N7000
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
на замовлення 72754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.37 грн
36+8.84 грн
100+5.15 грн
500+3.98 грн
1000+3.09 грн
4000+2.81 грн
8000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1247+9.86 грн
1260+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 1247
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 69648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
334+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 334
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Виробник: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6270 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 400
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Виробник: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N7000-D26Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.02 грн
28+12.94 грн
50+10.22 грн
100+9.30 грн
112+7.44 грн
308+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N7000-D26Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D26Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+24.02 грн
17+16.13 грн
50+12.27 грн
100+11.15 грн
112+8.92 грн
308+8.41 грн
1500+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000-D26Z 2304304.pdf
2N7000-D26Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+24.79 грн
50+20.33 грн
100+15.78 грн
500+11.01 грн
1000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 32
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+7.40 грн
4000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26Z ONSM_S_A0018755274_1-3326336.pdf
2N7000-D26Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 22486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.55 грн
18+17.68 грн
100+11.39 грн
500+8.79 грн
1000+7.96 грн
2000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+7.27 грн
4000+7.20 грн
6000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+6.87 грн
4000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+10.09 грн
4000+9.95 грн
6000+9.80 грн
8000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26Z ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000-D26Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 16074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.12 грн
13+22.31 грн
100+14.20 грн
500+10.03 грн
1000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7000-D26Z ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000-D26Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+8.93 грн
4000+7.80 грн
6000+7.39 грн
10000+6.50 грн
14000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N7000-D74Z ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000-D74Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.58 грн
12+24.95 грн
100+15.94 грн
500+11.30 грн
1000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N7000-D74Z ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000-D74Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+9.79 грн
4000+8.56 грн
6000+8.11 грн
10000+7.15 грн
14000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D74Z NDS7002A_D-2317584.pdf
2N7000-D74Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 28984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.72 грн
15+21.63 грн
100+9.27 грн
1000+7.14 грн
2000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-D75Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+24.64 грн
22+16.95 грн
29+12.73 грн
100+9.87 грн
113+7.36 грн
310+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N7000-D75Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D75Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+29.57 грн
13+21.12 грн
25+15.27 грн
100+11.84 грн
113+8.84 грн
310+8.41 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000-D75Z ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000-D75Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+8.57 грн
4000+7.48 грн
6000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N7000-D75Z ONSM_S_A0018755274_1-3326336.pdf
2N7000-D75Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.27 грн
18+18.55 грн
100+8.51 грн
1000+7.69 грн
2000+5.97 грн
10000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N7000-D75Z ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000-D75Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.38 грн
14+21.52 грн
100+13.66 грн
500+9.64 грн
1000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Kind of package: bulk
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.75 грн
14+26.96 грн
15+25.10 грн
35+24.31 грн
94+22.88 грн
100+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+69.30 грн
8+33.59 грн
10+30.12 грн
35+29.17 грн
94+27.46 грн
100+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 6968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.64 грн
25+28.57 грн
100+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+36.08 грн
18+34.51 грн
25+31.04 грн
50+29.63 грн
100+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 4034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+36.02 грн
18+34.45 грн
25+31.00 грн
50+29.59 грн
100+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
486+25.29 грн
500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 486
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
321+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 321
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
273+45.08 грн
500+33.57 грн
1000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 273
2N7000-G 2N7000_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3441670.pdf
2N7000-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 60V 5Ohm
на замовлення 8569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.44 грн
25+26.29 грн
100+23.61 грн
250+23.47 грн
500+21.55 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N7000-G 2337817.pdf
2N7000-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+35.96 грн
25+31.34 грн
100+26.64 грн
1000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]