Результат пошуку "50n06" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FQP50N06 FQP50N06
Код товару: 193976 		JSMicro fqp50n06-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 71 шт
38 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 200 шт
200 шт - очікується 05.10.2024
1+38 грн
10+ 34.2 грн
100+ 30.8 грн
RFP50N06LE RFP50N06LE
Код товару: 189268 		JSMICRO JSM50N06C_TO-220AB.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 122 шт
62 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+49 грн
10+ 44.5 грн
50N06 50N06 UMW UMW%2050N06.pdf Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.59 грн
10+ 47.88 грн
100+ 31.43 грн
500+ 22.86 грн
1000+ 20.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
23EZS0450N0625 23EZS0450N0625 Essentra Components skuAsset?mediaId=164409 Description: CBL CLIP TWIST LOCK NAT PUSH IN
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Push In
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Length: 0.562" (14.28mm)
Type: Clip, Twist Lock
Width: 0.218" (5.54mm)
Panel Hole Size: 0.187" (4.75mm)
Height: 1.184" (30.07mm)
Opening Size: 0.453" (11.50mm)
Type Attributes: Standoff
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.01 грн
18+ 17.23 грн
21+ 14.31 грн
25+ 12.66 грн
50+ 12.11 грн
100+ 10.77 грн
250+ 10.07 грн
500+ 9.54 грн
1000+ 9.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
383LX122M350N062 383LX122M350N062 Cornell Dubilier Knowles 381-383.pdf Description: CAP ALUM 1200UF 20% 350V SNAP TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
Size / Dimension: 1.575" Dia (40.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
ESR (Equivalent Series Resistance): 207mOhm
Lifetime @ Temp.: 3000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.559" (65.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1200 µF
Voltage - Rated: 350 V
Ripple Current @ Low Frequency: 3.2 A @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 4.5 A @ 20 kHz
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1181.97 грн
24+ 761.54 грн
72+ 746.21 грн
383LX222M250N062 383LX222M250N062 Cornell Dubilier Knowles 381-383.pdf Description: CAP ALUM 2200UF 20% 250V SNAP TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
Size / Dimension: 1.575" Dia (40.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
ESR (Equivalent Series Resistance): 98mOhm
Lifetime @ Temp.: 3000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.559" (65.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 2200 µF
Voltage - Rated: 250 V
Ripple Current @ Low Frequency: 3.7 A @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 5.15 A @ 20 kHz
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1325.15 грн
10+ 929.89 грн
50+ 789.24 грн
100+ 699.4 грн
500+ 628.83 грн
1000+ 606.74 грн
383LX681M450N062 383LX681M450N062 Cornell Dubilier - CDE 381-383.pdf Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20%
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1366.25 грн
10+ 1246.64 грн
25+ 1025.77 грн
48+ 937.29 грн
96+ 843.78 грн
288+ 807.81 грн
528+ 779.04 грн
383LX681M450N062 383LX681M450N062 Cornell Dubilier Knowles 381-383.pdf Description: CAP ALUM 680UF 20% 450V SNAP TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
Size / Dimension: 1.575" Dia (40.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
ESR (Equivalent Series Resistance): 244mOhm
Lifetime @ Temp.: 3000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.559" (65.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 680 µF
Voltage - Rated: 450 V
Ripple Current @ Low Frequency: 2.5 A @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 3.5 A @ 20 kHz
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1501.78 грн
10+ 1061.62 грн
50+ 905.3 грн
100+ 803.7 грн
500+ 725.25 грн
AM50N06-15D-CT AM50N06-15D-CT Analog Power Inc. AM50N06-15D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 51A TO-252 (D-Pa
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252 (D-Pak)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2022 pF @ 15 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.13 грн
13+ 24.2 грн
100+ 21.8 грн
500+ 15.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
D2450N06T D2450N06T Infineon Technologies Infineon_D2450N_DS_v03_01_en_de-3360096.pdf Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15615.41 грн
9+ 14402.96 грн
27+ 12132.28 грн
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di050n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.29 грн
14+ 26.98 грн
25+ 24.35 грн
47+ 18.73 грн
130+ 17.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
DI050N06D1 DI050N06D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di050n06d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.75 грн
9+ 33.62 грн
25+ 29.22 грн
47+ 22.48 грн
130+ 21.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI050N06D1 DI050N06D1 Diotec Semiconductor Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.03 грн
10+ 46.38 грн
100+ 30.43 грн
500+ 25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI050N06D1 DI050N06D1 Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.8 грн
10+ 60.97 грн
100+ 31.79 грн
500+ 31.43 грн
1000+ 30.5 грн
2500+ 19.93 грн
5000+ 18.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI050N06D1-AQ DI050N06D1-AQ Diotec Semiconductor di050n06d1.pdf Description: MOSFET DPAK N 60V 50A 0.0085OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.58 грн
10+ 47.66 грн
100+ 32.98 грн
500+ 25.86 грн
1000+ 22.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit050n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.26 грн
14+ 28.47 грн
16+ 24.88 грн
41+ 21.73 грн
112+ 20.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit050n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.91 грн
8+ 35.48 грн
10+ 29.85 грн
41+ 26.08 грн
112+ 24.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
DIT050N06 DIT050N06 Diotec Semiconductor dit050n06.pdf Description: MOSFET TO220AB N 60V 0.014OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.58 грн
50+ 45.38 грн
100+ 32.93 грн
500+ 25.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
DIT050N06 DIT050N06 Diotec Semiconductor dit050n06.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.03 грн
10+ 51.95 грн
100+ 29.78 грн
500+ 24.96 грн
1000+ 20.64 грн
2500+ 19.85 грн
5000+ 18.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQI50N06LTU FQI50N06LTU Fairchild Semiconductor FAIRS18825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+99.25 грн
Мінімальне замовлення: 211
FQI50N06TU FQI50N06TU Fairchild Semiconductor FAIRS45719-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 411
FQP50N06 JSMicro Semiconductor fqp50n06-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20 грн
Мінімальне замовлення: 50
FQP50N06L ON-Semicoductor fqp50n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
G050N06LL G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL.pdf Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.73 грн
6000+ 7.14 грн
9000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G050N06LL G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL.pdf Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.13 грн
14+ 22.78 грн
100+ 14.55 грн
500+ 10.29 грн
1000+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
G050N06LL G050N06LL Goford Semiconductor G050N06LL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.59 грн
15000+ 4.98 грн
30000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G350N06D32 Goford Semiconductor G350N06D32.pdf Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G350N06D32 G350N06D32 Goford Semiconductor G350N06D32.pdf Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.25 грн
10+ 37.39 грн
100+ 24.31 грн
500+ 17.5 грн
1000+ 15.78 грн
2000+ 14.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
HYG350N06LA1D HUAYI Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
IPD350N06L G IPD350N06L G Infineon Technologies Infineon_IPD350N06LG__DS_v01_03_en-3359999.pdf MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.62 грн
100+ 33.92 грн
500+ 25.18 грн
1000+ 23.38 грн
2500+ 23.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.29 грн
12+ 33.72 грн
25+ 29.75 грн
34+ 25.85 грн
94+ 24.43 грн
500+ 24.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.75 грн
7+ 42.02 грн
25+ 35.7 грн
34+ 31.02 грн
94+ 29.31 грн
500+ 29.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982 Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.49 грн
10+ 58.67 грн
100+ 38.96 грн
500+ 28.61 грн
1000+ 26.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982 Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S2_14_DS_v01_01_en-1731714.pdf MOSFETs N
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.56 грн
10+ 103.4 грн
100+ 64.09 грн
500+ 51.14 грн
1000+ 46.97 грн
2500+ 43.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.51 грн
10+ 93.89 грн
100+ 63.85 грн
500+ 49.29 грн
1000+ 43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S2L_13_DS_v01_00_en-1731785.pdf MOSFETs N
на замовлення 31018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.49 грн
10+ 97.61 грн
100+ 65.75 грн
250+ 62.08 грн
500+ 52.58 грн
1000+ 48.27 грн
2500+ 44.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.62 грн
10+ 96.21 грн
100+ 65.52 грн
500+ 49.13 грн
1000+ 45.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4_09_DS_v01_02_en-1227078.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 12305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.64 грн
10+ 64.94 грн
100+ 44.17 грн
500+ 37.26 грн
1000+ 35.32 грн
2500+ 32.51 грн
5000+ 32.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.72 грн
10+ 74.93 грн
100+ 50.91 грн
500+ 37.79 грн
1000+ 34.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S4L08ATMA1 IPD50N06S4L08ATMA1 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
831+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 831
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.61 грн
10+ 78.6 грн
100+ 52.97 грн
500+ 39.37 грн
1000+ 36.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en-1731795.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.49 грн
10+ 86.03 грн
100+ 53.23 грн
500+ 42.15 грн
1000+ 38.2 грн
2500+ 33.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.15 грн
7+ 54.85 грн
20+ 44.36 грн
55+ 41.96 грн
500+ 40.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.58 грн
5+ 68.35 грн
20+ 53.23 грн
55+ 50.35 грн
500+ 48.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4L_12_DS_v01_00_en-1226991.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 6463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.22 грн
10+ 76.6 грн
100+ 48.12 грн
500+ 37.91 грн
1000+ 34.1 грн
2500+ 31 грн
5000+ 29.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.16 грн
5000+ 28.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.72 грн
10+ 71.33 грн
100+ 47.84 грн
500+ 35.42 грн
1000+ 32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
MCB150N06KY-TP MCB150N06KY-TP Micro Commercial Co Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 30 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.07 грн
10+ 99.81 грн
100+ 68.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3-TP Micro Commercial Components (MCC) MCTL150N06YHE3_TOLL_8_-3462174.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+412.9 грн
10+ 341.65 грн
25+ 280.54 грн
100+ 240.26 грн
250+ 226.59 грн
500+ 213.64 грн
1000+ 182.71 грн
RF1S50N06 RF1S50N06 Harris Corporation HRISS983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+72.69 грн
Мінімальне замовлення: 290
RF1S50N06LE Harris Corporation Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+74.78 грн
Мінімальне замовлення: 281
RF1S50N06LESM Harris Corporation HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 307
RF1S50N06SM9A RF1S50N06SM9A Fairchild Semiconductor FAIRS43769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 9898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+66.4 грн
Мінімальне замовлення: 317
RF1S50N06SM9AS2551 Harris Corporation HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 60V 50A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 293
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.99 грн
4+ 113.89 грн
10+ 87.67 грн
28+ 83.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFP50N06 RFP50N06 ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.58 грн
3+ 141.93 грн
10+ 105.2 грн
28+ 99.81 грн
250+ 95.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP50N06
Код товару: 193976		 fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Виробник: JSMicro
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31
Монтаж: THT
у наявності: 71 шт
38 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 200 шт
200 шт - очікується 05.10.2024
Кількість Ціна без ПДВ
1+38 грн
10+ 34.2 грн
100+ 30.8 грн
RFP50N06LE
Код товару: 189268		 JSM50N06C_TO-220AB.pdf
RFP50N06LE
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 122 шт
62 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+49 грн
10+ 44.5 грн
50N06 UMW%2050N06.pdf
50N06
Виробник: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2928 pF @ 25 V
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.59 грн
10+ 47.88 грн
100+ 31.43 грн
500+ 22.86 грн
1000+ 20.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
23EZS0450N0625 skuAsset?mediaId=164409
23EZS0450N0625
Виробник: Essentra Components
Description: CBL CLIP TWIST LOCK NAT PUSH IN
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Push In
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Length: 0.562" (14.28mm)
Type: Clip, Twist Lock
Width: 0.218" (5.54mm)
Panel Hole Size: 0.187" (4.75mm)
Height: 1.184" (30.07mm)
Opening Size: 0.453" (11.50mm)
Type Attributes: Standoff
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.01 грн
18+ 17.23 грн
21+ 14.31 грн
25+ 12.66 грн
50+ 12.11 грн
100+ 10.77 грн
250+ 10.07 грн
500+ 9.54 грн
1000+ 9.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
383LX122M350N062 381-383.pdf
383LX122M350N062
Виробник: Cornell Dubilier Knowles
Description: CAP ALUM 1200UF 20% 350V SNAP TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
Size / Dimension: 1.575" Dia (40.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
ESR (Equivalent Series Resistance): 207mOhm
Lifetime @ Temp.: 3000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.559" (65.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1200 µF
Voltage - Rated: 350 V
Ripple Current @ Low Frequency: 3.2 A @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 4.5 A @ 20 kHz
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1181.97 грн
24+ 761.54 грн
72+ 746.21 грн
383LX222M250N062 381-383.pdf
383LX222M250N062
Виробник: Cornell Dubilier Knowles
Description: CAP ALUM 2200UF 20% 250V SNAP TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
Size / Dimension: 1.575" Dia (40.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
ESR (Equivalent Series Resistance): 98mOhm
Lifetime @ Temp.: 3000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.559" (65.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 2200 µF
Voltage - Rated: 250 V
Ripple Current @ Low Frequency: 3.7 A @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 5.15 A @ 20 kHz
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1325.15 грн
10+ 929.89 грн
50+ 789.24 грн
100+ 699.4 грн
500+ 628.83 грн
1000+ 606.74 грн
383LX681M450N062 381-383.pdf
383LX681M450N062
Виробник: Cornell Dubilier - CDE
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 680uF 450V 20%
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1366.25 грн
10+ 1246.64 грн
25+ 1025.77 грн
48+ 937.29 грн
96+ 843.78 грн
288+ 807.81 грн
528+ 779.04 грн
383LX681M450N062 381-383.pdf
383LX681M450N062
Виробник: Cornell Dubilier Knowles
Description: CAP ALUM 680UF 20% 450V SNAP TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can - Snap-In - 4 Lead
Size / Dimension: 1.575" Dia (40.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
ESR (Equivalent Series Resistance): 244mOhm
Lifetime @ Temp.: 3000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.559" (65.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 680 µF
Voltage - Rated: 450 V
Ripple Current @ Low Frequency: 2.5 A @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 3.5 A @ 20 kHz
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1501.78 грн
10+ 1061.62 грн
50+ 905.3 грн
100+ 803.7 грн
500+ 725.25 грн
AM50N06-15D-CT AM50N06-15D.pdf
AM50N06-15D-CT
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 51A TO-252 (D-Pa
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252 (D-Pak)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2022 pF @ 15 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.13 грн
13+ 24.2 грн
100+ 21.8 грн
500+ 15.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
D2450N06T Infineon_D2450N_DS_v03_01_en_de-3360096.pdf
D2450N06T
Виробник: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 2450A 600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+15615.41 грн
9+ 14402.96 грн
27+ 12132.28 грн
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+57.29 грн
14+ 26.98 грн
25+ 24.35 грн
47+ 18.73 грн
130+ 17.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
DI050N06D1 di050n06d1.pdf
DI050N06D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.75 грн
9+ 33.62 грн
25+ 29.22 грн
47+ 22.48 грн
130+ 21.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI050N06D1
DI050N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.03 грн
10+ 46.38 грн
100+ 30.43 грн
500+ 25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI050N06D1
DI050N06D1
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.8 грн
10+ 60.97 грн
100+ 31.79 грн
500+ 31.43 грн
1000+ 30.5 грн
2500+ 19.93 грн
5000+ 18.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI050N06D1-AQ di050n06d1.pdf
DI050N06D1-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET DPAK N 60V 50A 0.0085OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.58 грн
10+ 47.66 грн
100+ 32.98 грн
500+ 25.86 грн
1000+ 22.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.26 грн
14+ 28.47 грн
16+ 24.88 грн
41+ 21.73 грн
112+ 20.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.91 грн
8+ 35.48 грн
10+ 29.85 грн
41+ 26.08 грн
112+ 24.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 60V 0.014OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.58 грн
50+ 45.38 грн
100+ 32.93 грн
500+ 25.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
DIT050N06 dit050n06.pdf
DIT050N06
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.03 грн
10+ 51.95 грн
100+ 29.78 грн
500+ 24.96 грн
1000+ 20.64 грн
2500+ 19.85 грн
5000+ 18.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQI50N06LTU FAIRS18825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQI50N06LTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 26.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
211+99.25 грн
Мінімальне замовлення: 211
FQI50N06TU FAIRS45719-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQI50N06TU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
411+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 411
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+20 грн
Мінімальне замовлення: 50
FQP50N06L fqp50n06l-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP50N06L TFQP50n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
G050N06LL G050N06LL.pdf
G050N06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.73 грн
6000+ 7.14 грн
9000+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G050N06LL G050N06LL.pdf
G050N06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 5A,RD<45M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1343 pF @ 30 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.13 грн
14+ 22.78 грн
100+ 14.55 грн
500+ 10.29 грн
1000+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
G050N06LL G050N06LL.pdf
G050N06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.59 грн
15000+ 4.98 грн
30000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G350N06D32 G350N06D32.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G350N06D32 G350N06D32.pdf
G350N06D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.25 грн
10+ 37.39 грн
100+ 24.31 грн
500+ 17.5 грн
1000+ 15.78 грн
2000+ 14.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
HYG350N06LA1D
Виробник: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024; IRLR024TRL; IRLR024TR; IRLR024N; IRLR024NTRL; IRLR024NTR; IRLR024NTRR; HYG350N06LA1D HUAYI THYG350n06la1d
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
IPD350N06L G Infineon_IPD350N06LG__DS_v01_03_en-3359999.pdf
IPD350N06L G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 29A DPAK-2
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+40.62 грн
100+ 33.92 грн
500+ 25.18 грн
1000+ 23.38 грн
2500+ 23.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+57.29 грн
12+ 33.72 грн
25+ 29.75 грн
34+ 25.85 грн
94+ 24.43 грн
500+ 24.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.75 грн
7+ 42.02 грн
25+ 35.7 грн
34+ 31.02 грн
94+ 29.31 грн
500+ 29.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.49 грн
10+ 58.67 грн
100+ 38.96 грн
500+ 28.61 грн
1000+ 26.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N06S214ATMA2 Infineon_IPD50N06S2_14_DS_v01_01_en-1731714.pdf
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.56 грн
10+ 103.4 грн
100+ 64.09 грн
500+ 51.14 грн
1000+ 46.97 грн
2500+ 43.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 3427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+152.51 грн
10+ 93.89 грн
100+ 63.85 грн
500+ 49.29 грн
1000+ 43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon_IPD50N06S2L_13_DS_v01_00_en-1731785.pdf
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 31018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.49 грн
10+ 97.61 грн
100+ 65.75 грн
250+ 62.08 грн
500+ 52.58 грн
1000+ 48.27 грн
2500+ 44.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.62 грн
10+ 96.21 грн
100+ 65.52 грн
500+ 49.13 грн
1000+ 45.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD50N06S409ATMA2 Infineon_IPD50N06S4_09_DS_v01_02_en-1227078.pdf
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 12305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.64 грн
10+ 64.94 грн
100+ 44.17 грн
500+ 37.26 грн
1000+ 35.32 грн
2500+ 32.51 грн
5000+ 32.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.72 грн
10+ 74.93 грн
100+ 50.91 грн
500+ 37.79 грн
1000+ 34.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S4L08ATMA1 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
831+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 831
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.61 грн
10+ 78.6 грн
100+ 52.97 грн
500+ 39.37 грн
1000+ 36.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon_IPD50N06S4L_08_DS_v01_00_en-1731795.pdf
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.49 грн
10+ 86.03 грн
100+ 53.23 грн
500+ 42.15 грн
1000+ 38.2 грн
2500+ 33.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+87.15 грн
7+ 54.85 грн
20+ 44.36 грн
55+ 41.96 грн
500+ 40.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.58 грн
5+ 68.35 грн
20+ 53.23 грн
55+ 50.35 грн
500+ 48.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon_IPD50N06S4L_12_DS_v01_00_en-1226991.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 6463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.22 грн
10+ 76.6 грн
100+ 48.12 грн
500+ 37.91 грн
1000+ 34.1 грн
2500+ 31 грн
5000+ 29.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.16 грн
5000+ 28.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.72 грн
10+ 71.33 грн
100+ 47.84 грн
500+ 35.42 грн
1000+ 32.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
MCB150N06KY-TP
MCB150N06KY-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 30 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.07 грн
10+ 99.81 грн
100+ 68.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
MCTL150N06YHE3-TP MCTL150N06YHE3_TOLL_8_-3462174.pdf
MCTL150N06YHE3-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+412.9 грн
10+ 341.65 грн
25+ 280.54 грн
100+ 240.26 грн
250+ 226.59 грн
500+ 213.64 грн
1000+ 182.71 грн
RF1S50N06 HRISS983-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S50N06
Виробник: Harris Corporation
Description: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
290+72.69 грн
Мінімальне замовлення: 290
RF1S50N06LE
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
281+74.78 грн
Мінімальне замовлення: 281
RF1S50N06LESM HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
307+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 307
RF1S50N06SM9A FAIRS43769-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RF1S50N06SM9A
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 9898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
317+66.4 грн
Мінімальне замовлення: 317
RF1S50N06SM9AS2551 HRISS01274-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET 60V 50A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
293+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 293
RFP50N06 RFP50N06.pdf
RFP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.99 грн
4+ 113.89 грн
10+ 87.67 грн
28+ 83.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFP50N06 RFP50N06.pdf
RFP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.58 грн
3+ 141.93 грн
10+ 105.2 грн
28+ 99.81 грн
250+ 95.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]