Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD350N06LGBTMA1
IPD350N06LGBTMA1

IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies

ipd350n06lgrev1.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.15 грн
5000+ 24.03 грн
12500+ 23.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPD350N06LGBTMA1 за ціною від 18.09 грн до 66.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982 Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd350n06lgrev1.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.98 грн
5000+ 24.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd350n06lgrev1.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
230+52.72 грн
232+ 52.2 грн
286+ 42.3 грн
289+ 40.39 грн
500+ 32.55 грн
1000+ 22.31 грн
3000+ 20.9 грн
6000+ 19.49 грн
Мінімальне замовлення: 230
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+55.51 грн
12+ 32.67 грн
25+ 28.82 грн
35+ 24.97 грн
94+ 23.59 грн
500+ 23.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd350n06lgrev1.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+58.08 грн
13+ 48.96 грн
25+ 48.47 грн
100+ 37.88 грн
250+ 34.72 грн
500+ 29.02 грн
1000+ 20.72 грн
3000+ 19.41 грн
6000+ 18.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD350N06L+G++Rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431be39b97011c320778777982 Description: MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
на замовлення 4256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.82 грн
10+ 48.71 грн
100+ 37.92 грн
500+ 30.16 грн
1000+ 24.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.61 грн
7+ 40.71 грн
25+ 34.58 грн
35+ 29.97 грн
94+ 28.31 грн
500+ 28.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd350n06lgrev1.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd350n06lgrev1.1.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD350N06LG__DS_v01_03_en-3359999.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній