![IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/efd30ce0f6b80b8872b853495d08e8df85502ce7/pg-to252-3-11_lowres.jpg)
IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
221+ | 54.58 грн |
227+ | 53.22 грн |
230+ | 52.63 грн |
257+ | 45.29 грн |
269+ | 40.14 грн |
500+ | 36.08 грн |
1000+ | 34.45 грн |
3000+ | 32.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD50N06S409ATMA2 за ціною від 30.47 грн до 86.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD50N06S409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD50N06S409ATMA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm |
на замовлення 14971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD50N06S409ATMA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 13936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD50N06S409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD50N06S409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD50N06S409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IPD50N06S409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
IPD50N06S409ATMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS® -T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 47A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 71W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
![]() |
IPD50N06S409ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
IPD50N06S409ATMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS® -T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 47A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 71W Case: PG-TO252-3-11 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |