Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD50N06S409ATMA2
IPD50N06S409ATMA2

IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies

ipd50n06s4-09_ds_11.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
221+54.58 грн
227+ 53.22 грн
230+ 52.63 грн
257+ 45.29 грн
269+ 40.14 грн
500+ 36.08 грн
1000+ 34.45 грн
3000+ 32.81 грн
Мінімальне замовлення: 221
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD50N06S409ATMA2 за ціною від 30.47 грн до 86.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4-09_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.5 грн
12+ 50.68 грн
25+ 49.42 грн
50+ 47.12 грн
100+ 38.94 грн
250+ 35.79 грн
500+ 33.5 грн
1000+ 31.99 грн
3000+ 30.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
на замовлення 14971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+57.72 грн
500+ 45.39 грн
1000+ 34.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+65.6 грн
50+ 57.79 грн
100+ 49.99 грн
500+ 41.29 грн
1000+ 33.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD50N06S4_09_DS_v01_02_en-1227078.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 12311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.23 грн
10+ 60.7 грн
100+ 43.86 грн
500+ 38.66 грн
1000+ 34.51 грн
2500+ 31.77 грн
5000+ 31.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.67 грн
10+ 68.24 грн
100+ 53.08 грн
500+ 42.22 грн
1000+ 34.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4-09_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd50n06s4-09_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD50N06S409ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPD50N06S409ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній