Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (99643) > Сторінка 453 з 1661
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TDZTR6.2 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
TDZTR6.8 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2 |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
TDZTR7.5 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2 |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
TDZTR8.2 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2 |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
UDZSTE-172.0B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±4% Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms Supplier Device Package: UMD2 Part Status: Not For New Designs Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
UDZTE-175.6B | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2 |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
UDZTE-178.2B | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2 |
на замовлення 5675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
UMA1NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT5 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
UMA3NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT5 Part Status: Active |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMA4NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: UMT5 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
UMA5NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT5 Part Status: Active |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMB3NTN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMD4NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 |
на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMD5NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW, 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
на замовлення 1620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMH5NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT6 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
UMH8NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 |
на замовлення 4480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
UML2NTR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN + Diode (Isolated) Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: UMT5 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMN10NTR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 3 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: UMD6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V |
на замовлення 20990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMN11NTN | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: UMD6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V |
на замовлення 20743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMP11NTN | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: UMD6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V |
на замовлення 27283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMP1NTR | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 25MA UMD5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25mA Supplier Device Package: UMD5 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V |
на замовлення 5896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMR12NTN | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: UMD6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V |
на замовлення 14557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
UMZ8.2TT106 | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER ARRAY 8.2V UMD3 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5.37% Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 1 Pair Common Cathode Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: UMD3 Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
US6J11TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active |
на замовлення 5885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
US6M11TR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT6 Part Status: Active |
на замовлення 13750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VDZT2R11B | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2 |
на замовлення 12401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
VDZT2R12B | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2 |
на замовлення 15141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
VDZT2R16B | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 16V 100MW VMD2 |
на замовлення 3775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
VDZT2R18B | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2 |
на замовлення 7046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
VDZT2R20B | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2 |
на замовлення 7851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
VDZT2R27B | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 27V 100MW VMD2 |
на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
VDZT2R30B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 30V 100MW VMD2 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±3% Package / Case: SOD-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms Supplier Device Package: VMD2 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
VDZT2R33B | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2 |
на замовлення 15769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
VDZT2R36B | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 36V 100MW VMD2 |
на замовлення 6428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
VDZT2R3.6B | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2 |
на замовлення 6385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
VDZT2R3.9B | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW VMD2 |
на замовлення 3664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
VDZT2R8.2B | Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMD2 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±2% Package / Case: SOD-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: VMD2 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BA03FP-E2 | Rohm Semiconductor | Description: IC REG LDO 3V 1A TO252-3 |
на замовлення 1794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BA10FP-E2 | Rohm Semiconductor | Description: IC REG LDO 10V 1A TO252-3 |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BA12FP-E2 | Rohm Semiconductor | Description: IC REG LDO 12V 1A TO252-3 |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BA3830F-E2 | Rohm Semiconductor | Description: IC OPAMP 450MW 9V 18SOP |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BA5814FM-E2 | Rohm Semiconductor | Description: IC BRIDGE DRIVER PAR 28HSOP |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BD3005HFP-TR | Rohm Semiconductor | Description: IC REG LDO ADJ 0.5A HRP7 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
BD6384EFV-E2 | Rohm Semiconductor | Description: IC MOTOR DRIVER PAR 40HTSSOP |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BD9591AMWV-ME2 | Rohm Semiconductor | Description: IC CUSTOM ANALOG |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
BH7824FVM-TR | Rohm Semiconductor | Description: IC AMP HDPH/SPEAKER UNBAL 8MSOP |
на замовлення 3060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BH7881EFV-E2 | Rohm Semiconductor | Description: IC AMP HDPH/SPEAKER LV 24HTSSOP |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BM5446EFV-E2 | Rohm Semiconductor | Description: IC AMP SPEAKER W/DSP HTSSOP-B54 |
на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BR24S128F-WE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC EEPROM 128KBIT 400KHZ 8SOP |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BR24S16FVM-WTR | Rohm Semiconductor | Description: IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8MSOP |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BR24S32F-WE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC EEPROM 32KBIT 400KHZ 8SOP |
на замовлення 2497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BR93L56FJ-WE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SOP-J |
на замовлення 2483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BR93L66FJ-WE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP-J |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BR93L66RFJ-WE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP-J |
на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BR93L66RFV-WE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SSOPB |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BU7831KN-E2 | Rohm Semiconductor | Description: IC VOICE/AUDIO MIX&SELECT 20VQFN |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BU90LV048-E2 | Rohm Semiconductor | Description: IC RECIEVIER LVDS 16SSOP |
на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BU9882F-WE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 14SOP |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BU9882FV-WE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 14SSOP |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
BU9883FV-WE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC EEPROM 6KBIT 400KHZ 16SSOPB |
на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
TDZTR6.2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR6.8 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR7.5 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TDZTR8.2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)UDZSTE-172.0B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±4%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V
Description: DIODE ZENER 2V 200MW UMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±4%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: UMD2
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 500 V
товару немає в наявності
UDZTE-175.6B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)UDZTE-178.2B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW UMD2
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)UMA1NTR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT5
товару немає в наявності
UMA3NTR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Part Status: Active
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Part Status: Active
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.71 грн |
15+ | 21.07 грн |
100+ | 10.62 грн |
UMA4NTR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT5
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)UMA5NTR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Part Status: Active
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT5
Part Status: Active
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 21.5 грн |
21+ | 14.64 грн |
100+ | 7.42 грн |
500+ | 6.16 грн |
1000+ | 4.8 грн |
UMB3NTN |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.87 грн |
16+ | 19.59 грн |
100+ | 11.1 грн |
500+ | 6.9 грн |
UMD4NTR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25.33 грн |
16+ | 18.48 грн |
100+ | 10.46 грн |
UMD5NTR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25.33 грн |
20+ | 15.23 грн |
100+ | 9.56 грн |
500+ | 6.66 грн |
1000+ | 5.92 грн |
UMH5NTR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
товару немає в наявності
UMH8NTR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)UML2NTR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: UMT5
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.15A UMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: UMT5
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.01 грн |
14+ | 22.47 грн |
100+ | 11.36 грн |
500+ | 9.44 грн |
UMN10NTR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 20990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 35.32 грн |
11+ | 29.28 грн |
100+ | 21.82 грн |
500+ | 16.08 грн |
1000+ | 12.43 грн |
UMN11NTN |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 20743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.17 грн |
13+ | 23.8 грн |
100+ | 16.57 грн |
500+ | 12.14 грн |
1000+ | 9.87 грн |
UMP11NTN |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 27283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 35.32 грн |
12+ | 26.24 грн |
100+ | 15.75 грн |
500+ | 13.69 грн |
1000+ | 9.31 грн |
UMP1NTR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 25MA UMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25mA
Supplier Device Package: UMD5
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 25MA UMD5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25mA
Supplier Device Package: UMD5
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 37.62 грн |
11+ | 29.35 грн |
100+ | 19.98 грн |
500+ | 14.06 грн |
1000+ | 10.55 грн |
UMR12NTN |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 14557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 27.64 грн |
13+ | 22.84 грн |
100+ | 15.87 грн |
500+ | 11.63 грн |
1000+ | 9.45 грн |
UMZ8.2TT106 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 8.2V UMD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5.37%
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: UMD3
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
Description: DIODE ZENER ARRAY 8.2V UMD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5.37%
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: UMD3
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.01 грн |
12+ | 24.91 грн |
100+ | 14.92 грн |
500+ | 12.97 грн |
1000+ | 8.82 грн |
US6J11TR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 45.3 грн |
10+ | 37.04 грн |
100+ | 25.76 грн |
500+ | 18.87 грн |
1000+ | 15.34 грн |
US6M11TR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
на замовлення 13750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 45.3 грн |
10+ | 37.04 грн |
100+ | 25.76 грн |
500+ | 18.87 грн |
1000+ | 15.34 грн |
VDZT2R11B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 11V 100MW VMD2
на замовлення 12401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R12B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 12V 100MW VMD2
на замовлення 15141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R16B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 16V 100MW VMD2
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R18B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 18V 100MW VMD2
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R20B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 20V 100MW VMD2
на замовлення 7851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R27B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 27V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 27V 100MW VMD2
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R30B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 30V 100MW VMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±3%
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
Description: DIODE ZENER 30V 100MW VMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±3%
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 23 V
товару немає в наявності
VDZT2R33B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 33V 100MW VMD2
на замовлення 15769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R36B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 36V 100MW VMD2
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R3.6B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 3.6V 100MW VMD2
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)VDZT2R3.9B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW VMD2
Description: DIODE ZENER 3.9V 100MW VMD2
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.48 грн |
13+ | 23.21 грн |
100+ | 14.46 грн |
500+ | 9.29 грн |
1000+ | 7.14 грн |
2000+ | 6.43 грн |
VDZT2R8.2B |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
Description: DIODE ZENER 8.2V 100MW VMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: VMD2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 5 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.17 грн |
15+ | 20.03 грн |
100+ | 10.1 грн |
BA03FP-E2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 3V 1A TO252-3
Description: IC REG LDO 3V 1A TO252-3
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BA10FP-E2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 10V 1A TO252-3
Description: IC REG LDO 10V 1A TO252-3
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BA12FP-E2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO 12V 1A TO252-3
Description: IC REG LDO 12V 1A TO252-3
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BA3830F-E2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP 450MW 9V 18SOP
Description: IC OPAMP 450MW 9V 18SOP
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BA5814FM-E2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC BRIDGE DRIVER PAR 28HSOP
Description: IC BRIDGE DRIVER PAR 28HSOP
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BD3005HFP-TR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LDO ADJ 0.5A HRP7
Description: IC REG LDO ADJ 0.5A HRP7
товару немає в наявності
BD6384EFV-E2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MOTOR DRIVER PAR 40HTSSOP
Description: IC MOTOR DRIVER PAR 40HTSSOP
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BH7824FVM-TR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC AMP HDPH/SPEAKER UNBAL 8MSOP
Description: IC AMP HDPH/SPEAKER UNBAL 8MSOP
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BH7881EFV-E2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC AMP HDPH/SPEAKER LV 24HTSSOP
Description: IC AMP HDPH/SPEAKER LV 24HTSSOP
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BM5446EFV-E2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC AMP SPEAKER W/DSP HTSSOP-B54
Description: IC AMP SPEAKER W/DSP HTSSOP-B54
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR24S128F-WE2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 128KBIT 400KHZ 8SOP
Description: IC EEPROM 128KBIT 400KHZ 8SOP
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR24S16FVM-WTR |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8MSOP
Description: IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8MSOP
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR24S32F-WE2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT 400KHZ 8SOP
Description: IC EEPROM 32KBIT 400KHZ 8SOP
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR93L56FJ-WE2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SOP-J
Description: IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SOP-J
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR93L66FJ-WE2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP-J
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP-J
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR93L66RFJ-WE2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP-J
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP-J
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR93L66RFV-WE2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SSOPB
Description: IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SSOPB
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BU7831KN-E2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC VOICE/AUDIO MIX&SELECT 20VQFN
Description: IC VOICE/AUDIO MIX&SELECT 20VQFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BU90LV048-E2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC RECIEVIER LVDS 16SSOP
Description: IC RECIEVIER LVDS 16SSOP
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BU9882F-WE2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 14SOP
Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 14SOP
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BU9882FV-WE2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 14SSOP
Description: IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 14SSOP
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BU9883FV-WE2 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 6KBIT 400KHZ 16SSOPB
Description: IC EEPROM 6KBIT 400KHZ 16SSOPB
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)