![SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4484/MFG_PowerPAK-8x8L.jpg)
SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix
![sqjq184e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 115.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції SQJQ184E-T1_GE3 за ціною від 104.89 грн до 258.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQJQ184E-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SQJQ184E-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SQJQ184E-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SQJQ184E-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
SQJQ184E-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 4671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SQJQ184E-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 4671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SQJQ184E-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
SQJQ184E-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 430A; Idm: 1200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 430A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 600W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 272nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
SQJQ184E-T1/GE3 | Виробник : Vishay | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
SQJQ184E-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 430A; Idm: 1200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 430A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 600W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 272nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |