Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ184E-T1_GE3
SQJQ184E-T1_GE3

SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq184e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+115.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції SQJQ184E-T1_GE3 за ціною від 104.89 грн до 258.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq184e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 430A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+209.89 грн
10+ 184.99 грн
25+ 174.81 грн
50+ 166.91 грн
100+ 140.85 грн
250+ 127.27 грн
500+ 117.52 грн
1000+ 104.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq184e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 430A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
54+226.04 грн
61+ 199.21 грн
65+ 179.75 грн
100+ 151.69 грн
250+ 137.06 грн
500+ 126.56 грн
1000+ 112.96 грн
Мінімальне замовлення: 54
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq184e.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.22 грн
10+ 192.16 грн
100+ 155.47 грн
500+ 129.69 грн
1000+ 111.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqjq184e.pdf MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET , 1.4 mO 10V
на замовлення 4577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+258.55 грн
10+ 213.99 грн
25+ 175.62 грн
100+ 150.53 грн
250+ 142.87 грн
500+ 134.5 грн
1000+ 121.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3960319.pdf Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+190.76 грн
500+ 166.97 грн
1000+ 142.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3960319.pdf Description: VISHAY - SQJQ184E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+234.54 грн
50+ 213.43 грн
100+ 190.76 грн
500+ 166.97 грн
1000+ 142.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq184e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 430A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
товар відсутній
SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjq184e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 430A; Idm: 1200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 430A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 600W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 272nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SQJQ184E-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFET
товар відсутній
SQJQ184E-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqjq184e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 430A; Idm: 1200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 430A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 600W
Case: PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 272nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній