SI4896DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 58.29 грн |
| 5000+ | 54.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4896DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI4896DY-T1-E3 за ціною від 50.69 грн до 148.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
на замовлення 5235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 2817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4896DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 381 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4896DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI4896DY_T1_E3 | Виробник : VISHAY | 0643 |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4896DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07+ SOP-16 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4896DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4896DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 9.5A; Idm: 50A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 41nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W On-state resistance: 22mΩ Drain current: 9.5A Drain-source voltage: 80V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI4896DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 9.5A; Idm: 50A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 41nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W On-state resistance: 22mΩ Drain current: 9.5A Drain-source voltage: 80V |
товару немає в наявності |