Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4896DY-T1-E3
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3 Vishay Siliconix

71300.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+59.28 грн
5000+ 54.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4896DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI4896DY-T1-E3 за ціною від 52.35 грн до 147.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71300.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71300.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+65.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71300.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+98.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71300.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.85 грн
10+ 105.15 грн
100+ 83.69 грн
500+ 66.46 грн
1000+ 56.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71300.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+136.93 грн
10+ 113.54 грн
25+ 112.42 грн
100+ 85.78 грн
250+ 78.62 грн
500+ 66.65 грн
1000+ 52.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 71300.pdf MOSFET 80V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.13 грн
10+ 115.93 грн
100+ 79.95 грн
500+ 72.3 грн
1000+ 69.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71300.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
82+147.46 грн
99+ 122.28 грн
100+ 121.07 грн
126+ 92.38 грн
250+ 84.66 грн
500+ 71.78 грн
1000+ 56.38 грн
Мінімальне замовлення: 82
SI4896DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71300.pdf
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4896DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4896DY_T1_E3 Виробник : VISHAY 0643
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4896DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71300.pdf 07+ SOP-16
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4896DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71300.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4896DY-T1-E3 SI4896DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71300.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4896DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 9.5A; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 80V
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4896DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71300.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 9.5A; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
On-state resistance: 22mΩ
Drain current: 9.5A
Drain-source voltage: 80V
товар відсутній