Продукція > VISHAY > SI4435DDY-T1-E3
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3 Vishay

si4435ddy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435DDY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4435DDY-T1-E3 за ціною від 15.65 грн до 59.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.15 грн
5000+ 16.25 грн
7500+ 15.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68841.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68841.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.12 грн
5000+ 19.08 грн
10000+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68841.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68841.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.67 грн
5000+ 20.31 грн
10000+ 19.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+26.91 грн
39+ 22.47 грн
105+ 21.24 грн
1000+ 20.4 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.02 грн
500+ 24.03 грн
1000+ 21.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68841.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
400+30.5 грн
501+ 24.33 грн
506+ 24.08 грн
527+ 22.29 грн
1000+ 19.54 грн
Мінімальне замовлення: 400
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay doc68841.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.51 грн
22+ 28.46 грн
25+ 28.32 грн
100+ 21.78 грн
250+ 19.97 грн
500+ 18.4 грн
1000+ 17.42 грн
Мінімальне замовлення: 20
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.59 грн
10+ 33.53 грн
39+ 26.96 грн
105+ 25.49 грн
1000+ 24.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4435ddy.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+46.2 грн
10+ 44.07 грн
100+ 27.47 грн
500+ 22.78 грн
1000+ 20.23 грн
2500+ 18.24 грн
5000+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+55.33 грн
18+ 46.34 грн
100+ 30.02 грн
500+ 24.03 грн
1000+ 21.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 17131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.88 грн
10+ 38.81 грн
100+ 26.73 грн
500+ 19.95 грн
1000+ 18.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4435DDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)