Продукція > SI4 > SI4410DYPBF

SI4410DYPBF


si4410dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356846a03297f Виробник:

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4410DYPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4410DYPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4410DYPBF SI4410DYPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products si4410dypbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
SI4410DYPBF SI4410DYPBF Виробник : Infineon Technologies si4410dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356846a03297f Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
товар відсутній
SI4410DYPBF SI4410DYPBF Виробник : Infineon / IR si4410dypbf-1732993.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC
товар відсутній