![MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5883/488%7E318-08%7EET%2CL%2CLT%2CSF%2CSN%7E3.jpg)
MMBT5551LT3G onsemi
![mmbt5550lt1-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.66 грн |
30000+ | 1.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT5551LT3G onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 225 mW.
Можливі заміни MMBT5551LT3G onsemi
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT5551 Код товару: 200829 |
Виробник : Jingdao |
![]() Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A h21: 250 Монтаж: SMD |
у наявності: 1377 шт
|
|
||||||||||
![]() |
PMBT5551 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 20409 |
Виробник : NXP/Philips |
![]() Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,3 A Монтаж: SMD |
у наявності: 2144 шт
|
|
Інші пропозиції MMBT5551LT3G за ціною від 1.18 грн до 12.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT5551LT3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 32260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551LT3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 17041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MMBT5551L |
на замовлення 10667 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551LT3G Код товару: 107209 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551LT3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Power dissipation: 0.225/0.3W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 30...250 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551LT3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Power dissipation: 0.225/0.3W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 30...250 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
MMBT5551L | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V |
товар відсутній |