MMBT5551

MMBT5551 Jingdao


Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
Код товару: 200829
Виробник: Jingdao
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності 1377 шт:

1377 шт - склад
Кількість Ціна без ПДВ
36+1.4 грн
63+ 0.8 грн
100+ 0.64 грн
1000+ 0.48 грн
Мінімальне замовлення: 36
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MMBT5551 за ціною від 0.64 грн до 4013.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.43 грн
6000+ 1.3 грн
9000+ 1.11 грн
30000+ 0.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.61 грн
9000+ 1.32 грн
24000+ 1.25 грн
45000+ 0.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Electronics mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7110+1.72 грн
9000+ 1.42 грн
24000+ 1.34 грн
45000+ 0.94 грн
Мінімальне замовлення: 7110
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Electronics mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6411+1.91 грн
7247+ 1.69 грн
12000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 6411
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 23775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+2.44 грн
275+ 1.35 грн
500+ 1.21 грн
950+ 0.93 грн
2575+ 0.88 грн
Мінімальне замовлення: 175
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 408108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8435+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 8435
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 209211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8435+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 8435
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 23775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.92 грн
175+ 1.68 грн
500+ 1.45 грн
950+ 1.12 грн
2575+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : MDD MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 12000
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+8.39 грн
53+ 5.58 грн
100+ 3.04 грн
500+ 2.24 грн
1000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 37
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT555x.pdf Description: HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+8.39 грн
53+ 5.58 грн
100+ 3.04 грн
500+ 2.24 грн
1000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 37
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: BJT SOT-23 160V 600MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+9.92 грн
43+ 6.91 грн
100+ 3.73 грн
500+ 2.75 грн
1000+ 1.91 грн
Мінімальне замовлення: 31
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 10680 шт:
термін постачання 61-70 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.96 грн
52+ 6.25 грн
100+ 3.6 грн
500+ 2.82 грн
1000+ 1.98 грн
3000+ 1.48 грн
9000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited MMBT5551%20Rev-0.pdf Description: Small Signal Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+4013.15 грн
100+ 3220.37 грн
1000+ 2576.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
MMBT5551 Виробник : HOTTECH mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMBT5551 Виробник : HOTTECH mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMBT5551 Виробник : AnBon mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMBT5551 Виробник : Microdiode Electronics mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor Diode
на замовлення 11391000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14151+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 14151
MMBT5551 Виробник : DIOTEC mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN 600mA 160V 350mW 100MHz MMBT5551 smd TMMBT5551
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.9 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMBT5551 Виробник : ONS mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfe=80/250
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
112+2.62 грн
125+ 2.16 грн
132+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 112
MMBT5551 Виробник : HT Jinyu Semiconductor mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN Transistor
на замовлення 166665000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 6000
MMBT5551 Виробник : NTE Electronics, Inc. mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf MMBT5551
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
502+24.38 грн
1000+ 20.32 грн
2500+ 19.04 грн
Мінімальне замовлення: 502
MMBT5551/G1 Виробник : MOTO
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBT5551G1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBT5551-G1
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBT5551(G1)
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBT5551 G1 Виробник : N/A SOT-23 05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBT5551 Виробник : LGE mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
MMBT5551 Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)
на замовлення 3992 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MMBT5551 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551 - TRANSISTORS (BJT) - SINGLE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Good-Ark Semiconductor MMBT5551.pdf Description: TRANSISTOR, NPN, 600MA, 160V, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551 Виробник : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551
Код товару: 160587
Виробник : Yangjie mmbt5551-sot23.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
товар відсутній
MMBT5551 (транзистор біполярний NPN) MMBT5551 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 4153
MMBT5551.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
товар відсутній
MMBT5551 Виробник : LUGUANG ELECTRONIC MMBT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY mmbt5551.pdf ONSM-S-A0005942473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MMBT555x.pdf MMBT5551.pdf MMBT5551.pdf 2N5551%2CMMBT5551.pdf MMBT5551S20SG1.pdf?rlkey=jv5visdotyeakcur17y18byq0&st=pvw4743p&dl=0 MMBT5551%20Rev-0.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi / Fairchild MMBT5551_D-2316093.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diodes Incorporated ds30061-3214431.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Rectron SOT_23_Power_Transistors-765531.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Description: BJT SOT-23 160V 600MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
MMBT5551 Виробник : ON Semiconductor 2n5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : EVVO MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : Diotec Semiconductor mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MMBT5551 MMBT5551 Виробник : onsemi 2N5551%2CMMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній

З цим товаром купують

MMBT5401
Код товару: 160586
mmbt5401-sot23-datasheet.pdf
MMBT5401
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
товар відсутній
BZV55-C5V1
Код товару: 4297
BZV55.pdf
BZV55-C5V1
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 5,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
у наявності: 3630 шт
очікується: 1200 шт
Кількість Ціна без ПДВ
25+2 грн
34+ 1.5 грн
100+ 1.3 грн
1000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
Макетна плата 5x7 двостороння, зелена
Код товару: 144388
Виробник: Global Tone
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 50x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 432 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
у наявності: 1489 шт
очікується: 1160 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+16 грн
10+ 14.4 грн
100+ 12.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
4,7 kOhm 1% 0,25W вив. (MFR025FTB-4K7R – Hitano)
Код товару: 175671
mfr_series-hitano-datasheet.pdf
4,7 kOhm 1% 0,25W вив. (MFR025FTB-4K7R – Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Габарити: 6х2,3 mm; Dвив=0,55 mm
Тип: метало-плівкові
у наявності: 5079 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
70+0.8 грн
100+ 0.68 грн
1000+ 0.55 грн
Мінімальне замовлення: 70
2N5401
Код товару: 177484
2n5400.pdf LUMIMAX2N5401.PDF 2N5400-01.pdf
2N5401
Виробник: Diotec
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 400 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 400
у наявності: 1440 шт
Кількість Ціна без ПДВ
34+1.5 грн
39+ 1.3 грн
100+ 1.1 грн
1000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 34