![MMBT5551 MMBT5551](/img/sot-23.jpg)
MMBT5551 Jingdao
![Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 200829
Виробник: JingdaoКорпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності 1377 шт:
1377 шт - склад
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 1.4 грн |
25+ | 0.8 грн |
100+ | 0.64 грн |
1000+ | 0.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MMBT5551 за ціною від 0.62 грн до 3807.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3L Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Diotec Electronics |
![]() |
на замовлення 43000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Diotec Electronics |
![]() |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : EVVO |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 42650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 215211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 42650 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : MDD |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 504000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 5465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3L Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 3974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 5761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 9731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : HOTTECH |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : HOTTECH |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : AnBon |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Microdiode Electronics |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 11391000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : DIOTEC |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : HT Jinyu Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 166665000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 215211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : ONS |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 4250 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 3992 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : LGE |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Frequency: 100...300MHz |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Rectron |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 Код товару: 160587 |
Виробник : Yangjie |
![]() Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A h21: 300 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 4153 |
![]() Корпус: SOT-23 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A h21: 250 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 350 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : EVVO |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 300 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
MMBT5551 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBT5551 | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
З цим товаром купують
MMBT5401 Код товару: 160586 |
![]() |
Виробник: Yangjie
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 180 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 300
товар відсутній
BZV55-C5V1 Код товару: 4297 |
![]() |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 5,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 5,1 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -0.8mV/K
у наявності: 3625 шт
очікується:
100 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2 грн |
14+ | 1.5 грн |
100+ | 1.3 грн |
1000+ | 1.08 грн |
Макетна плата 5x7 двостороння, зелена Код товару: 144388 |
Виробник: Global Tone
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 50x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 432 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 50x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 432 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
у наявності: 1634 шт
очікується:
1150 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 16 грн |
10+ | 14.4 грн |
100+ | 12.9 грн |
4,7 kOhm 1% 0,25W вив. (MFR025FTB-4K7R – Hitano) Код товару: 175671 |
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Габарити: 6х2,3 mm; Dвив=0,55 mm
Тип: метало-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 4,7 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Габарити: 6х2,3 mm; Dвив=0,55 mm
Тип: метало-плівкові
у наявності: 5159 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 0.8 грн |
100+ | 0.68 грн |
1000+ | 0.55 грн |
2N5401 Код товару: 177484 |
![]() |
Виробник: Diotec
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 400 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 400
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 400 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 400
у наявності: 1532 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 1.5 грн |
16+ | 1.3 грн |
100+ | 1.1 грн |
1000+ | 0.9 грн |