IRLR2905TRPBF

---

Код товару: 86018

Виробник: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD

у наявності 3968 шт:

---

3875 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
50 шт - РАДІОМАГ-Львів
29 шт - РАДІОМАГ-Одеса

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	24.5 грн
10+	21.8 грн
100+	19.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR2905TRPBF IR

Можливі заміни IRLR2905TRPBF IR

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IRLR2905 Код товару: 30677	Виробник : IR	Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Монтаж: SMD	у наявності: 1032 шт згорнути розгорнути 1032 шт - склад	Кількість Ціна без ПДВ 4+ 15 грн 10+  13.5 грн 100+  12.2 грн Мінімальне замовлення: 4 купити
	IRLR2905TRPBF Код товару: 181683	Виробник : Китай	Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Монтаж: SMD	у наявності: 2 шт згорнути розгорнути 2 шт - РАДІОМАГ-Львів	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 27.5 грн Мінімальне замовлення: 2 купити

Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 19.01 грн до 103.69 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IRLR2905TRPBF Код товару: 181683	Виробник : Китай	Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Монтаж: SMD	у наявності: 2 шт згорнути розгорнути 2 шт - РАДІОМАГ-Львів	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 27.5 грн Мінімальне замовлення: 2 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 500+ 19.01 грн Мінімальне замовлення: 500 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2000+ 19.01 грн Мінімальне замовлення: 2000 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2000+ 37.56 грн 4000+  34.79 грн Мінімальне замовлення: 2000 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2000+ 40.22 грн 4000+  37.26 грн Мінімальне замовлення: 2000 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 288+ 42.6 грн 320+  38.32 грн 331+  37 грн 500+  34 грн 1000+  30.12 грн 2000+  28.05 грн Мінімальне замовлення: 288 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2000+ 43.49 грн 4000+  39.54 грн 10000+  38.78 грн Мінімальне замовлення: 2000 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level	на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 9+ 46.69 грн 10+  36.74 грн 35+  25.06 грн 95+  23.73 грн Мінімальне замовлення: 9 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2000+ 46.83 грн 4000+  42.59 грн 10000+  41.76 грн Мінімальне замовлення: 2000 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	на замовлення 18567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 242+ 50.7 грн 262+  46.72 грн 500+  44 грн 1000+  38.53 грн 2000+  34.54 грн 4000+  30.55 грн 10000+  30.2 грн Мінімальне замовлення: 242 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	на замовлення 18567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 12+ 51.82 грн 13+  47.08 грн 100+  43.38 грн 500+  39.4 грн 1000+  33.12 грн 2000+  30.79 грн 4000+  28.37 грн 10000+  28.04 грн Мінімальне замовлення: 12 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт	на замовлення 1841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 6+ 56.02 грн 10+  45.78 грн 35+  30.07 грн 95+  28.48 грн Мінімальне замовлення: 6 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : INFINEON	Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 2531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 100+ 64.25 грн 500+  52.24 грн 1000+  39.68 грн Мінімальне замовлення: 100 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : INFINEON	Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 2531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 10+ 84.67 грн 50+  74.46 грн 100+  64.25 грн 500+  52.24 грн 1000+  39.68 грн Мінімальне замовлення: 10 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 7+ 91.26 грн 10+  72.48 грн 25+  52.33 грн Мінімальне замовлення: 7 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25	на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 4+ 99.96 грн 10+  78.4 грн 100+  60.98 грн Мінімальне замовлення: 4 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC	на замовлення 3640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 4+ 103.69 грн 10+  78.44 грн 100+  55.44 грн 500+  50.51 грн 1000+  41.55 грн 2000+  37.95 грн 4000+  35.76 грн Мінімальне замовлення: 4 купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товар відсутній	купити
	IRLR2905TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25	товар відсутній	купити

З цим товаром купують

IRLR2905Z Код товару: 4031

Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD

товар відсутній

купити

10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (резистор SMD) Код товару: 3689

Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805

у наявності: 4654 шт

згорнути розгорнути

625 шт - РАДІОМАГ-Київ
2929 шт - РАДІОМАГ-Львів
300 шт - РАДІОМАГ-Одеса
800 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна без ПДВ
400+	0.15 грн
1000+	0.12 грн

Мінімальне замовлення: 400

купити

100 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-100KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4604

Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805

у наявності: 34555 шт

згорнути розгорнути

22205 шт - склад
2300 шт - РАДІОМАГ-Київ
4650 шт - РАДІОМАГ-Львів
4500 шт - РАДІОМАГ-Одеса
900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

очікується: 20000 шт

згорнути розгорнути

20000 шт - очікується 20.10.2024

Кількість	Ціна без ПДВ
400+	0.15 грн
1000+	0.12 грн
10000+	0.09 грн

Мінімальне замовлення: 400

купити

10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Код товару: 82544

Виробник: Yageo
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805

у наявності: 92800 шт

згорнути розгорнути

88146 шт - склад
1714 шт - РАДІОМАГ-Київ
600 шт - РАДІОМАГ-Львів
540 шт - РАДІОМАГ-Харків
1500 шт - РАДІОМАГ-Одеса
300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна без ПДВ
400+	0.15 грн
1000+	0.12 грн
10000+	0.09 грн

Мінімальне замовлення: 400

купити

1uF 25V X7R 10% 0805 (CL21B105KAFNNNE – Samsung) Код товару: 108063

Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805

у наявності: 24333 шт

згорнути розгорнути

19679 шт - склад
2010 шт - РАДІОМАГ-Київ
743 шт - РАДІОМАГ-Львів
280 шт - РАДІОМАГ-Харків
720 шт - РАДІОМАГ-Одеса
901 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна без ПДВ
70+	0.8 грн
100+	0.7 грн
1000+	0.5 грн

Мінімальне замовлення: 70

купити