IRLR2905TRPBF Китай
Код товару: 181683
Виробник: КитайКорпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Монтаж: SMD
у наявності 2 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 27.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR2905TRPBF Китай
- MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:36A
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- On Resistance, Rds(on):40mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
- Power Dissipation, Pd:110W
Можливі заміни IRLR2905TRPBF Китай
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR2905 Код товару: 30677 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Монтаж: SMD |
у наявності: 1032 шт
|
|
Інші пропозиції IRLR2905TRPBF за ціною від 19.01 грн до 103.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR2905TRPBF Код товару: 86018 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
у наявності: 3968 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRLR2905TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRLR024NTRPBF Код товару: 22061 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 4296 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 15 грн |
10+ | 12.5 грн |
100+ | 11.9 грн |
Дротяний припій, 1mm, 16g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2 5% Ø1.0, 16g Код товару: 99859 |
Виробник: CYNEL
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,016кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Вага/Об’єм/К-сть: 16 g
Діаметр: 1 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
Вид припоя: Свинцевий
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,016кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Вага/Об’єм/К-сть: 16 g
Діаметр: 1 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
Вид припоя: Свинцевий
у наявності: 2624 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 64 грн |
10+ | 58.5 грн |
100+ | 53.9 грн |
IRLU2905Z Код товару: 182753 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Управление логическим уровнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Управление логическим уровнем
Монтаж: THT
товар відсутній
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3314 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 1 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 35006 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 0.2 грн |
1000+ | 0.15 грн |
10000+ | 0.12 грн |
0,82 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R82) Код товару: 3269 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 0,82 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс.: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 0,82 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс.: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
у наявності: 223 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 7 грн |
10+ | 5.8 грн |
100+ | 4.9 грн |