у наявності 852 шт:
701 шт - склад
44 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
35 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 35.00 грн |
10+ | 31.50 грн |
100+ | 27.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRF540NPBF IR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF540PBF Код товару: 182036 |
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A Монтаж: THT |
у наявності: 237 шт
168 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ 15 шт - РАДІОМАГ-Львів 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF540NPBF за ціною від 22.13 грн до 104.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 82167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 11721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced Technology: HEXFET® Gate charge: 47.3nC Kind of package: tube |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 30276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced Technology: HEXFET® Gate charge: 47.3nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 81351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 30280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
на замовлення 25531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 116283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF540NPBF | Виробник : Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm |
на замовлення 727 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
IRF9540NPBF Код товару: 31944 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 412 шт
283 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
42 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Харків
42 шт - РАДІОМАГ-Одеса
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 24.50 грн |
10+ | 21.80 грн |
LM317T-DG Код товару: 150592 |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Тип виходу: Регульований
Темп.діапазон: 0…125°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: TO-220
Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
Udrop, V: 1,25 V
Тип виходу: Регульований
Темп.діапазон: 0…125°C
у наявності: 870 шт
828 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 16.00 грн |
10+ | 14.40 грн |
100+ | 12.90 грн |
FR207 Код товару: 24933 |
Виробник: MIC/YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-15
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 2 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 500 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-15
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 2 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 500 ns
у наявності: 3127 шт
2861 шт - склад
47 шт - РАДІОМАГ-Київ
190 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
47 шт - РАДІОМАГ-Київ
190 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 1.50 грн |
10+ | 1.00 грн |
100+ | 0.80 грн |
1000+ | 0.60 грн |
1N4007 Код товару: 176822 |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 50868 шт
50868 шт - склад
очікується:
8000 шт
8000 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1.00 грн |
17+ | 0.60 грн |
100+ | 0.50 грн |