Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF7342TRPBF
IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF

irf7342pbf-datasheet.pdf
Код товару: 31772
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності 184 шт:
128 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+30 грн
10+ 27 грн
100+ 24.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7342TRPBF за ціною від 20.65 грн до 105.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+35.54 грн
8000+ 32.59 грн
12000+ 31.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+40.8 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+41.4 грн
1000+ 35.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+59.03 грн
500+ 46.53 грн
1000+ 32.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
167+72.59 грн
179+ 67.75 грн
209+ 57.86 грн
250+ 53.32 грн
500+ 43.95 грн
1000+ 33.21 грн
3000+ 27.24 грн
Мінімальне замовлення: 167
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+79.99 грн
10+ 67.4 грн
25+ 62.91 грн
100+ 51.81 грн
250+ 45.84 грн
500+ 39.18 грн
1000+ 30.83 грн
3000+ 25.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 17695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.94 грн
10+ 67.73 грн
100+ 52.65 грн
500+ 41.88 грн
1000+ 34.12 грн
2000+ 32.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7342_DS_v01_01_EN-1732029.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
на замовлення 33448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.88 грн
10+ 73.81 грн
100+ 50.39 грн
500+ 42.72 грн
1000+ 34.71 грн
2000+ 32.75 грн
4000+ 31.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON 2333691.pdf Description: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+105.54 грн
10+ 81.31 грн
100+ 59.03 грн
500+ 46.53 грн
1000+ 32.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7342TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 2P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 3,4 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25; Qg, нКл = 38 @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 829 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+44.12 грн
16+ 41.17 грн
100+ 38.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF7342TRPBF Виробник : Infineon irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 Транз. Пол. ММ 2P-Channel SO8 -55V -3,4A 2W 105mOhm
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.54 грн
10+ 48.09 грн
100+ 42.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 IRF7342TRPBF Микросхемы
на замовлення 95 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7342.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

IRF7103TRPBF
Код товару: 19112		 description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 382 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+27.5 грн
10+ 24.8 грн
100+ 21.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF7341TRPBF
Код товару: 25204		 description IRF7341.pdf
IRF7341TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 187 шт
очікується: 15 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+33 грн
10+ 29.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Код товару: 17877		 taj-776811-datasheet.pdf
47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) (конденсатор танталовий SMD)
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 10 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 3426 шт
Кількість Ціна без ПДВ
8+6.5 грн
10+ 5.4 грн
100+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
P6KE27A
Код товару: 29918		 p6ke-955098.pdf
P6KE27A
Виробник: MIC/Sunmate
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 23 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 27 V
Струм витоку, Irm: 0,5 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: THT
у наявності: 752 шт
Кількість Ціна без ПДВ
13+4 грн
16+ 3.2 грн
100+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 13
SRP7028C-3R3M
Код товару: 176336		 srp7028c.pdf
Індуктивності, дроселі > Індуктивності SMD інші
Номінал: 3,3 µH
Точність: ±20%
Габарити або типорозмір: 7,1x6,6 mm
товар відсутній