Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7103TRPBF
IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Код товару: 19112
Виробник: IR
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 382 шт:
261 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
50 шт - РАДІОМАГ-Одеса
54 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+27.5 грн
10+ 24.8 грн
100+ 21.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7103TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:50V
  • Continuous Drain Current, Id:3A
  • On Resistance, Rds(on):130mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

Інші пропозиції IRF7103TRPBF за ціною від 20.84 грн до 69.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.67 грн
12000+ 22.2 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+24.97 грн
8000+ 22.78 грн
12000+ 21.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 198754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+37.68 грн
250+ 32.05 грн
1000+ 25.34 грн
2000+ 20.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10989-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 198754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+49.64 грн
50+ 37.68 грн
250+ 32.05 грн
1000+ 25.34 грн
2000+ 20.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7103_DataSheet_v01_01_EN-3363112.pdf MOSFETs MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
на замовлення 39380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.48 грн
10+ 47.21 грн
100+ 31.57 грн
500+ 27.32 грн
1000+ 24.67 грн
2000+ 23.07 грн
4000+ 22.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.59 грн
10+ 54.81 грн
100+ 37.97 грн
500+ 29.77 грн
1000+ 25.34 грн
2000+ 22.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
174+69.79 грн
211+ 57.29 грн
291+ 41.59 грн
292+ 40 грн
500+ 31.02 грн
1000+ 25.29 грн
2000+ 25.11 грн
4000+ 23.82 грн
8000+ 21.67 грн
Мінімальне замовлення: 174
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

IRF7342TRPBF
Код товару: 31772		 irf7342pbf-datasheet.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності: 184 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+30 грн
10+ 27 грн
100+ 24.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
NDS9948
Код товару: 100660		 nds9948-1011724.pdf
NDS9948
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
у наявності: 407 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+20 грн
10+ 17.9 грн
100+ 16 грн
Мінімальне замовлення: 3
10uF 25V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B106KAHNNNE – Samsung)
Код товару: 72199
10uF 25V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B106KAHNNNE – Samsung)
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 5041 шт
Кількість Ціна без ПДВ
17+3 грн
25+ 2 грн
100+ 1.9 грн
1000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 17
33nF 50V X7R 5% 1206 4k/reel (C1206B333J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 16351		 X7R_X5R.pdf
33nF 50V X7R 5% 1206 4k/reel (C1206B333J500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 33 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±5% J
Типорозмір: 1206
очікується: 4000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
50+1.1 грн
100+ 0.9 грн
1000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 50
P6KE27A
Код товару: 29918		 p6ke-955098.pdf
P6KE27A
Виробник: MIC/Sunmate
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 23 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 27 V
Струм витоку, Irm: 0,5 µA
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: THT
у наявності: 752 шт
Кількість Ціна без ПДВ
13+4 грн
16+ 3.2 грн
100+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 13