на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.95 грн |
| 10+ | 39.4 грн |
| 100+ | 35.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7342PBF IR
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key.
Можливі заміни IRF7342PBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7342TRPBF Код товару: 31772 |
Виробник : IR |
 Транзистори > Польові P-канальніКорпус: SO-8 Uds,V: 55 V Id,A: 3,4 A Rds(on),Om: 0,105 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 690/26 Монтаж: SMD |
у наявності: 182 шт
|
|
Інші пропозиції IRF7342PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7342PBF Код товару: 29394 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 55 V Id,A: 3,4 A Rds(on),Om: 0,105 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 690/26 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|
 |
IRF7342PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRF7342PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
|
|
|
IRF7342PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
|
 |
IRF7342PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товар відсутній |
|
 |
IRF7342PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS |
товар відсутній |
|
 |
IRF7342PBF | Виробник : Infineon (IRF) |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |