Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF7314PBF
IRF7314PBF

IRF7314PBF

irf7314pbf-datasheet.pdf
Код товару: 36431
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Монтаж: SMD
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7314PBF IR

  • MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual P
  • Typ Voltage Vds:-20V
  • Cont Current Id:4.2A
  • On State Resistance:0.053ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
  • Typ Voltage Vgs th:-0.7V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Pin Configuration:c
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:1.4W
  • Power Dissipation Pd:1.4W
  • Pulse Current Idm:23A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7314
  • Transistor Case Style:SOIC

Можливі заміни IRF7314PBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF
Код товару: 54354 		Виробник : IR irf7314pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Монтаж: SMD
у наявності: 339 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+23 грн
10+ 20.5 грн
Мінімальне замовлення: 3

Інші пропозиції IRF7314PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7314PBF IRF7314PBF Виробник : Infineon Technologies irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товар відсутній
IRF7314PBF IRF7314PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7314_DataSheet_v01_01_EN-1228313.pdf MOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX
товар відсутній
IRF7314PBF IRF7314PBF Виробник : Infineon (IRF) irf7314.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній