Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF7314TRPBF
IRF7314TRPBF

IRF7314TRPBF

irf7314pbf-datasheet.pdf
Код товару: 54354
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Монтаж: SMD
у наявності 339 шт:
321 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
3+23 грн
10+ 20.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7314TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transist

Інші пропозиції IRF7314TRPBF за ціною від 22.32 грн до 66.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS07021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+36.88 грн
250+ 35.92 грн
1000+ 32.46 грн
2000+ 29.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7314.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7314.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
282+43.52 грн
286+ 42.91 грн
298+ 41.08 грн
500+ 35.88 грн
1000+ 31.94 грн
Мінімальне замовлення: 282
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS07021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+54.16 грн
50+ 36.88 грн
250+ 35.92 грн
1000+ 32.46 грн
2000+ 29.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.71 грн
10+ 48.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7314_DataSheet_v01_01_EN-3363229.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.56 грн
10+ 50.44 грн
100+ 32.73 грн
1000+ 26.89 грн
4000+ 23.61 грн
8000+ 22.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7314.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7314.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7314.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7314pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7314pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

Радиатор прессованный для D2PAK, TO263 (FK24413D2PAK)
Код товару: 74204		 FK24413D2PAK.pdf
Радиатор прессованный для D2PAK, TO263 (FK24413D2PAK)
Корпусні та встановлювальні вироби > Радіатори
Опис: Радіатор пресований
Тепловий опір: 22,8 K/W
Застосування: TO-263
Висота: 13,0 mm
Ширина: 26,0 mm
Глибина: 10,0 mm
у наявності: 166 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+44 грн
10+ 39.9 грн
100+ 36.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
PBD-6 (KLS1-208-2-06-S)
Код товару: 110760		 kls-208-ser-datasheet.pdf
PBD-6 (KLS1-208-2-06-S)
+1
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Гнізда 2-х рядні на плату прямі, 2x3 контактів, крок 2,54мм, висота: 8,4mm, 1A
Штирі або гнізда: Гніздо (розетка)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: 2-х рядні
К-сть контактів: 6
у наявності: 2231 шт
Кількість Ціна без ПДВ
17+3 грн
20+ 2.5 грн
100+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 17
SMTS-102-A2-3P
Код товару: 143351		 doc000273546-datasheet.pdf
SMTS-102-A2-3P
+1
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
Група: Тумблери
Монтаж: THT
Довжина штока: 9,4 mm
Опис Опис: ON-ON (3A 125VAC) SPDT 3P
Кількість положень: 2
у наявності: 893 шт
очікується: 1030 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+18 грн
10+ 15.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
Запобіжник 3,6x10mm 3А 250VAC з виводами (KLS5-1005-3000)
Код товару: 3457		 31nm.JPG
Запобіжник 3,6x10mm 3А 250VAC з виводами (KLS5-1005-3000)
Виробник: KLS
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Плавкі запобіжники з виводами і без виводів
Короткий опис: Запобіжник швидкий з аксіальними виводами у склі швидкий 3А 250В 4х11м
Номінальний струм: 3 А
Розмір: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Фізичне виконання: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
у наявності: 511 шт
очікується: 1000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
12+4.5 грн
14+ 3.8 грн
100+ 3.2 грн
1000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
US1M
Код товару: 30533		 US1A-M.pdf
US1M
Виробник: Yangjie
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
STTH108A, STTH110A, BYG23M, MURA105T3G, MURA110T3G, MURA120T3G, MURA140T3G, MURA160T3G
товар відсутній