IRF640N HXY MOSFET
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF640N HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY, кількість в упаковці: 25 шт.
Можливі заміни IRF640N HXY MOSFET
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF640 Код товару: 7926 |
Виробник : Philips |
![]() Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70 Монтаж: THT |
у наявності: 283 шт
|
|
||||||||
![]() |
IRF640NPBF Код товару: 42934 |
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
у наявності: 538 шт
|
|
Інші пропозиції IRF640N за ціною від 28.31 грн до 33.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640N | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRF640N | Виробник : Infineon |
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRF640N | IRF640N Транзисторы |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||
![]() |
IRF640N Код товару: 30510 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||
![]() |
IRF640N | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |