IRF640NPBF

IRF640NPBF


irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Код товару: 42934
Виробник: IR
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
у наявності 538 шт:

447 шт - склад
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+28 грн
10+ 25.2 грн
100+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF640NPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF640 IRF640
Код товару: 7926
Виробник : Philips IRF640.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 287 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+27 грн
10+ 23.1 грн
Мінімальне замовлення: 2

Інші пропозиції IRF640NPBF за ціною від 24.39 грн до 70.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 57355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+37.81 грн
17+ 35.39 грн
100+ 31.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 57355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+47.01 грн
15+ 42.36 грн
100+ 35.05 грн
500+ 29.58 грн
1000+ 25.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 57341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
252+48 грн
Мінімальне замовлення: 252
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
235+51.48 грн
298+ 40.67 грн
500+ 34.63 грн
1000+ 30.49 грн
Мінімальне замовлення: 235
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.94 грн
10+ 40.94 грн
26+ 33.03 грн
72+ 31.22 грн
250+ 30.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+54.47 грн
13+ 47.8 грн
100+ 37.77 грн
500+ 31.01 грн
1000+ 26.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 52352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.05 грн
50+ 44.88 грн
100+ 35.56 грн
500+ 28.29 грн
1000+ 27.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+60.62 грн
221+ 54.68 грн
324+ 37.36 грн
337+ 34.67 грн
500+ 30.66 грн
1000+ 28.14 грн
2000+ 26.93 грн
4000+ 25.55 грн
Мінімальне замовлення: 200
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN-3363196.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 33462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+62.77 грн
10+ 49.45 грн
100+ 34.08 грн
500+ 29.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.73 грн
10+ 51.02 грн
26+ 39.64 грн
72+ 37.46 грн
250+ 36.33 грн
500+ 36.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 57288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+70.67 грн
15+ 54.18 грн
100+ 39.17 грн
500+ 30.78 грн
1000+ 28.08 грн
5000+ 27.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF640NPBF Виробник : IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
на замовлення 386 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.29 грн
10+ 53.43 грн
100+ 48.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF640NPBF IRF640NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf640n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

IRF640
Код товару: 7926
description IRF640.pdf
IRF640
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
у наявності: 287 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+27 грн
10+ 23.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9640PBF
Код товару: 22646
IRF9640PBF.pdf
IRF9640PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/44
Монтаж: THT
у наявності: 219 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+32 грн
10+ 28.8 грн
100+ 25.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
NE555P
Код товару: 26138
description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fse555
NE555P
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1601 шт
Кількість Ціна без ПДВ
7+8 грн
10+ 7.2 грн
100+ 6.5 грн
1000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
П'єзовипромінювач YMD-12095-G-5V
Код товару: 110866
П'єзовипромінювач YMD-12095-G-5V
Виробник: Global Tone
Корпусні та встановлювальні вироби > Динаміки, мікрофони, звуковипромінювачі
Тип: Зумери
Опис: П'єзовипромінювач, резонанс: 2300Hz, живлення:5V
Габаритні розміри: Ø12x9,5mm
Функціональна особливість: З генератором
Рабоча напруга: 5 VDC
Резонансна частота: 2300 Hz
Рівень звуку: 85 dB
у наявності: 206 шт
очікується: 4000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
5+10 грн
10+ 9 грн
100+ 8 грн
Мінімальне замовлення: 5
1N5408
Код товару: 2135
1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: ВипрямнийVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 8309 шт
Кількість Ціна без ПДВ
17+3 грн
24+ 2.1 грн
100+ 1.9 грн
1000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 17