![IRF540 IRF540](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5442/MFG_INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1.jpg)
IRF540 onsemi
![MOTOS04825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
398+ | 51.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF540 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V.
Можливі заміни IRF540 onsemi
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF540NPBF Код товару: 3289 |
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: THT |
у наявності: 2166 шт
1996 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 36 шт - РАДІОМАГ-Харків 30 шт - РАДІОМАГ-Одеса 85 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||
IRF540PBF Код товару: 182036 |
Виробник : Siliconix |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A Монтаж: THT |
у наявності: 252 шт
168 шт - склад
49 шт - РАДІОМАГ-Київ 15 шт - РАДІОМАГ-Львів 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF540 за ціною від 43.98 грн до 62.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF540 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
IRF540 | Виробник : Siliconix |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
IRF540 Код товару: 7921 |
Виробник : ST |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||
![]() |
IRF540 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRF540 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRF540 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||
|
IRF540 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
|
IRF540 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRF540 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRF540 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRF540 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRF540 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |