STB9NK50ZT4
Код товару: 2225
Виробник: STUds,V: 500 V
Idd,A: 7,2 A
Rds(on), Ohm: 0,72 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 910/32
Монтаж: SMD
у наявності 167 шт:
108 шт - склад
18 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 24 грн |
10+ | 21.6 грн |
100+ | 19.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STB9NK50ZT4 за ціною від 33.63 грн до 126.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
на замовлення 4065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.72 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 7,2 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 3.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||
STB9NK50ZT4 |
на замовлення 1841 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.5A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH |
товар відсутній |
||||||||||||
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.5A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.5A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
З цим товаром купують
ES1J Код товару: 3349 |
Виробник: YJ/TSC/HOTTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns
у наявності: 3141 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 4 грн |
15+ | 3.5 грн |
100+ | 3 грн |
PLS-20 (KLS1-207-1-20-S) Код товару: 110715 |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Штирі однорядні на плату прямі, 20 контактів 1х20, крок 2,54мм, 1А
Штирі або гнізда: Штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 20
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Штирі однорядні на плату прямі, 20 контактів 1х20, крок 2,54мм, 1А
Штирі або гнізда: Штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 20
очікується:
4000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 3 грн |
20+ | 2.5 грн |
100+ | 2.1 грн |
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (резистор SMD) Код товару: 1215 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 2975 шт
очікується:
40000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |
470 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-470R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3310 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 470 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 470 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 10185 шт
очікується:
20000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |
IR2117S Код товару: 3395 |
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,2/0,42 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 125/105 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,2/0,42 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 125/105 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 14 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 55 грн |
10+ | 49.5 грн |