Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N04S404ATMA1
IPD90N04S404ATMA1

IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies

ipd90n04s4-04_ds_1_0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD90N04S404ATMA1 за ціною від 34.71 грн до 115.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd90n04s4-04_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.33 грн
5000+ 39.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd90n04s4-04_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.79 грн
5000+ 42.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 57445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+64.11 грн
500+ 51.54 грн
1000+ 36.45 грн
5000+ 34.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Power dissipation: 71W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.1mΩ
Drain current: 81A
Gate charge: 20nC
Drain-source voltage: 40V
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3-313
Pulsed drain current: 360A
Mounting: SMD
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+83.65 грн
6+ 70.42 грн
16+ 53.72 грн
43+ 50.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd90n04s4-04_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
145+83.88 грн
156+ 77.94 грн
185+ 65.65 грн
200+ 59.81 грн
500+ 55.2 грн
1000+ 52.48 грн
2000+ 49.45 грн
2500+ 49.28 грн
5000+ 48.16 грн
Мінімальне замовлення: 145
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.5 грн
10+ 76.08 грн
100+ 59.17 грн
500+ 47.06 грн
1000+ 38.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Power dissipation: 71W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.1mΩ
Drain current: 81A
Gate charge: 20nC
Drain-source voltage: 40V
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3-313
Pulsed drain current: 360A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.38 грн
5+ 87.75 грн
16+ 64.46 грн
43+ 60.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 57445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+115.71 грн
10+ 83.65 грн
100+ 64.11 грн
500+ 51.54 грн
1000+ 36.45 грн
5000+ 34.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd90n04s4-04_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd90n04s4-04_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca629525e87&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPD90N04S40-4ATMA1 IPD90N04S40-4ATMA1 Виробник : Infineon Technologies INFNS15027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
товар відсутній