![IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/45/441435/smn_/manual/pg-to252-3-11_lowres.jpg_4721497711.jpg)
IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 35.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD90N04S404ATMA1 за ціною від 34.71 грн до 115.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD90N04S404ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD90N04S404ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD90N04S404ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 57445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD90N04S404ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A Polarisation: unipolar Kind of package: reel Power dissipation: 71W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 4.1mΩ Drain current: 81A Gate charge: 20nC Drain-source voltage: 40V Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3-313 Pulsed drain current: 360A Mounting: SMD |
на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD90N04S404ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD90N04S404ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD90N04S404ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A Polarisation: unipolar Kind of package: reel Power dissipation: 71W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 4.1mΩ Drain current: 81A Gate charge: 20nC Drain-source voltage: 40V Technology: OptiMOS™ T2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3-313 Pulsed drain current: 360A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2433 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD90N04S404ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 57445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IPD90N04S404ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IPD90N04S404ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IPD90N04S404ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IPD90N04S40-4ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V |
товар відсутній |