![DMG9926UDM-7 DMG9926UDM-7](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/330/31%3B-SOT26%3B-K%2C-W%3B-6-Top.jpg)
DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated
![ds31770.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 980mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMG9926UDM-7 за ціною від 9.13 грн до 27.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMG9926UDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 980mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 45228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DMG9926UDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 10744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
DMG9926UDM-7 Код товару: 184263 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
![]() |
DMG9926UDM-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
DMG9926UDM-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26 Mounting: SMD Power dissipation: 0.98W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 30A Case: SOT26 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
DMG9926UDM-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26 Mounting: SMD Power dissipation: 0.98W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 30A Case: SOT26 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||
DMG9926UDM-7 Код товару: 184264 |
![]() |
товар відсутній
|