Інші пропозиції DMG9926UDM-7 за ціною від 9.34 грн до 28.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMG9926UDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 980mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMG9926UDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 980mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 45228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMG9926UDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A |
на замовлення 10708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMG9926UDM-7 Код товару: 184264 |
Мікросхеми > Аналогові |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
DMG9926UDM-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
DMG9926UDM-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26 Mounting: SMD Power dissipation: 0.98W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 30A Case: SOT26 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
DMG9926UDM-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26 Mounting: SMD Power dissipation: 0.98W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 30A Case: SOT26 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |