Технічний опис BSM50GD120DN2
- IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3
- Transistor Type:IGBT Module
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:50A
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Power Dissipation:350W
- Case Style:Econopack 3
- Termination Type:Solder
- SVHC:Cobalt dichloride
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:80`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- No. of Transistors:6
- Power Dissipation Pd:350W
- Pulsed Current Icm:100A
- Typ Voltage Vce Sat:2.5V
Інші пропозиції BSM50GD120DN2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM 50GD120 DN2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 72A 350000mW 17-Pin ECONO2-2 |
товар відсутній |
||
| BSM50GD120DN2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200V 50A FL BRIDGE |
товар відсутній |
||
 |
BSM50GD120DN2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 50A Case: ECONOPACK 2K Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Power dissipation: 350W Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |